
Основы наноелектроники / Основы наноэлектроники / ИДЗ / Книги и монографии / Физические основы молекулярной электроники (Плотников), 2000, c.164
.pdf
Глава /V Принципыпостроениядействующихи перспективныхустройств,\10.7 электроники
а
б
v=o-----
Рис.4.12. а -- схематическоеизображениеэлектронныхуровней молекуляр ного выпрямителяпри нулевом напряжении;б --- сдвиг уровнейэнергии моле кулярного выпрямителяпри приложениипрямого напряжения, обеспечиваю щий прохождениеэлектрона посредствомтрех туннельных переходовА', В', С/ . А и С --- высшие занятые уровни, В и D -- уровни акцептора и донора [6]
Металл |
Молекула |
jметалл |
|
----t---- |
- |
I
I
Акцептор Затвор Донор
РисА.13. Схема уровней гипотетического молекулярного выирямителя, работающего в режиме перекиючающего 'Элемента. Выброс электрона из молекулы-затвора делает возможным туннельный процесс при ври ложении прямого напряжения по схеме. изображенной на рис.4.12 [6]
151

Физические основы молекулярной электроники
Необходимо отметить, что хотя со времени опубликования первых работ Авирама и Ратнера прошло более двух десятков лет,
в литературе до сих пор предлагаются лишь теоретические моде
ли устройств для переработки информации на молекулярном уров не. При этом можно выделить два основных принципа, на кото рых базируется работа предлагаемых УМЭ: 1) концепция управ-
и
|
|
|
|
d |
|
б |
|
|
|
|
|
|
|
ВЫХОД |
Y..(SN)" |
N=N |
N=N |
N=N |
~ (SN),,- |
N· |
N· |
·N |
• |
А'С"'А' |
11 |
n |
|
С |
А'С'А' |
||
|
I |
|
9 |
о' |
(SN)" |
О' |
(SN)" |
|
l |
|
~ |
|
|
|
|
|
ВХОДА |
|
ВХОД В |
|
|
|
v+ |
в
111
ВХОДА |
ВХОД В |
ВЫХОД
РИС.4.14. Схема молекулярного элемента НЕ-И: а - система потенци
альных ям, соответствующих положительно заряженным гетероцикли
ческим группировкам; б - структурная формула молекулярного элемен та; в -- принципиальнаяэлектрическаясхема элементаНЕ-И [6]
152

Глава /V Принципыпостроениядействующихи перспективныхустройств.мол. электроники
ляющих группировок, 2) концепция солитонного переключения. В первом случае предполагается создание молекулярной систе мы, в которой реализуется резонансный туннельный механизм электронной проводимости (см. 1.1.5). Даже небольшой сдвиг энергетических уровней в одной из потенциальных ям делает невозможным резонансное туннелирование по такой цепи. При мер устройства типа И-НЕ, основанного на этом принципе, при веден на рис.4.14. В данном случае положительнозаряженныеаро
матические гетероциклические группировки являются потенци
альными ямами для электронов, а диазогруппировки - потенци
альными барьерами. Если на один из входов, связанный с арома тической молекулой, подать электрон, то ее энергетическая струк тура меняется, и электроны основной цепи теряют возможность свободно проходить через цепочку потенциальных барьеров. В дру гих вариациях подобных устройств электронная структура управ ляющей группировки менялась либо под действием приложенно-
|
|
|
|
|
|
г |
-------------- |
|
|
|
, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
, |
|
|
|
|
|
а |
|
|
|
|
|
· |
-о |
|
|
/.0 |
i |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
,,~ |
I |
|
|
|
|
|
||
|
t! |
|
|
t! |
|
|
|
N+ |
|
|
|
|
|
|
|
|
<, |
<, |
|
н |
· |
|
|
I |
!н |
Н |
|
|
|
|
|||
"'c~ |
|
С |
~" ~c |
I |
|
|
С |
|
'с |
"с--::?,с" ~ |
|
|
|
|||
|
|
|
|
"'c~ ';'c~ |
|
'-.......c~ |
|
|
|
|||||||
н |
|
|
н |
н |
'1 |
|
|
' |
н |
с |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
::L н 3.с |
: |
|
|
|
|
Н: |
н |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
/"с н• _ • |
.J: |
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
r----~ |
N |
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
r - - - - - • - - - .- - - . - , |
||||
РИС.4.15. Схема, |
иллюстрирующая |
|
|
I |
|
|
|
I |
||||||||
|
|
I |
|
|
|
• |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
• |
|
|
|
I |
принцип солитонного переключе |
|
|
|
V |
|
0 - ' |
||||||||||
ния: фотоизомеризация молекуляр |
|
|
|
,,/ |
! |
|||||||||||
|
|
|
,7 |
|
|
|
||||||||||
ного фрагмента (выделен пункти |
|
|
|
|
|
|
||||||||||
рам), встроенного в полиеновую |
|
6 |
, |
I1 |
|
|
~ ••• |
|||||||||
цепь, делает невозможным прохож |
|
...........: |
~.c.... |
|
||||||||||||
дение солитона по этой цепи; наобо |
|
|
"с?' |
|
"r-~ |
|||||||||||
|
|
: |
IJ' |
|
|
н I |
||||||||||
рот разрыв двойной углеродной свя |
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
, |
I |
|
|
|
||||||||||
зи молекулярного фрагмента пр" |
|
|
r----~N+ |
|
|
|
||||||||||
|
|
:~~~з~/". _~ |
|
|
|
|||||||||||
прохождении солитона делает невоз |
|
|
Н. |
~ |
||||||||||||
можным его фотоизомеризацию [6] |
|
|
153

Физические основы молекулярной электроники
го электрического поля, либо в результате изомеризации при ос вещении или других воздействиях.
Концепция солитонного переключения предполагает на личие в цепи, по которой возможно прохождение солитона, моле кулярного фрагмента, переключающегося из одного состояния в другое. Рассмотрим возможную молекулярную модель, иллюст рирующую этот принцип (рис.4.15). В данном случае в состав по лиеновой цепи включена молекула 1,l-N, N-диметил-2-нитроэте намина, прерывающая фотоизомеризацию.Если в полиеновой цепи проходит электросолитон,то происходитзамена всех двой ных связей на одинарныеи наоборот, в том числе и в выделенном фрагменте. В результате фотопревращениев нем становится не возможным, что может быть индикатором прохождениясолито на. С другой стороны, исходная фотоизомеризацияможет изме нять электроннуюструктуру фрагментатаким образом, что пос
ледующеепрохождениесолитонатакже становитсяневозможным.
Другойвариантмолекулярногопереключагелябыл краткорассмот рен нами в П.4.3. и проиллюстрированна рис.4.11.
В последнее время предпринимаютсяактивные попытки создания элсментов для переработки информации, которые дей ствовали бы на основе химическихсигналов. Как отмечалосьра нее, такой способ передачи и обработки информациис успехом используетсяживыми объектами, начиная от простейшихи кон чая наиболее высокоорганизованнымивидами живой материи. Обработкаинформациив виде химическихсигналовоттачивалась в течениимногих миллионовлет эволюцииживых форм, поэтому повторитьили смоделироватьее в лабораторныхусловиях, а тем более в виде готовыхпереключательныхустройств- задача нео быкновенно сложная. Одним из возможных принципов для созда
ния логических элементов такого типа является использование
молекул ротаксанов и полиротаксанов.
Переключение из одного состояния в другое в элементе
на основе ротаксанов происходит за счет изменения положения
циклического компонента (так называемой "бусины") относи-
154

Глава /V Принципыпостроениядействующихи перспективныхустройствМОЛ. электроники
тельно линейного компонента("нити"), на который "нанизана" бусина. В качестве примерарассмотримсистему, состоящуюиз трех компонент:циклическойпроизводнойфепилена(1) (рис.4.16) и двух линейных молекул - производной бензидина (2) и про изводной бифенола (3). В нормальном состоянии в такой систе ме циклический компонент 1 оказывается "нанизанным" на це почку 2 и находится между двумя бензольными кольцами. При добавлении к смеси кислоты происходит протонизация NH групп в соединении 2, и молекула J переходит в другое устойчивое со стояние - между двумя бензольными кольцами цепочки 3. Та кой переход является обратимым и управляется кислотно-щелоч ным баллансом среды. В ходе такой реакции значительно меня ются оптические свойства смеси. Так, например, полоса погло щения компонента 2 с присоединеной "бусиной" 1 имеет макси-
++
D I
++
2
Г""".Г""".Г""".
но о о ,N
Н
Г""".Г""".Г'
Н() О О О
. /\ . /\ . /\
N, О О но
н
0 '\ . /\ ~
О О fI О
3
РИС.4.16. Циклическая производная фенилсна (/), про изводная бснэидина (2), производная бифенола (3)
155

Физические основы молекулярной электроники
+
+
РИС.4.17. Схема переключающегося эле мента на основе полиротаксановой цепи
мум В области 690 нм, а для цепочки3 с присоединеным (1) мак симум поглощения наблюдается при 480 нм. Это дает возмож ность считыватьинформациюоптическимспособом.Однакопо ведение такой системы и, в частности, относительныйпроцент переключенийзависитот концентрациикомпонент,что представ
ляет дополнительныетрудностидля построениялогическогоэле
мента. Чтобы избежать этих трудностей, были синтезированы специальныеротаксаны,содержащиеобе группы - бензидино вую (2) и бифенольную (3) - в одной цепочке (рис. 4. 17). В исходном состоянии такой системы соотношение количества "бу син" 1, "нанизанных" на группы 2 и 3, составляет 5: 1. После про тонизации (или окисления) NH групп это соотношение стано вится равным О: 1. То есть единственное место, где при этом мо жет закрепляться кольцо 1, - это бифенольная группа. Синтез полиротаксанов позволяет создавать цепи различной длины и
сложности, которые могут выполнять различные логические
функции за счет передачи сигнала переключения вдоль цепей.
4.5. Проблема ввода-вывода информации в устройствах молекулярной электроники
Поскольку процессы хранения и переработки информации в устройствах молекулярной электроники носят специфический характер, встает проблема сопряжения таких устройств с тради-
156

Гuша/V Принцилы построения действующих и перспектинных )'( трои тв \10.7 ..электроники
ционными электроннымисистемами, использующимисяв насто
ящее время. То есть всегда необходимыпреобразователисигнала из одной формы в другую, позволяющиеперерабатывагьинфор мацию в системах, состоящих из нескольких частей, каждая из которых работаетна основе различных физическихпринципов и
оперирует принципиальпоразными типами сигналов.
Устройствапреобразованиясигнала частичноуже обсуж дались в предыдущих параграфах этой главы. Например, в п.4.2 изложены основные возможные способы иреобразованиясигна ла из химической формы в электрическую. В таб.4.3 отражены основныетипы и некоторыеконкретныепримеры преобразовате лей. Кроме того, запись оптическойинформациив молекулярные системы памяти, обсуждавшаясяв п.4.3, тоже является преобра зовапием сигнала из одной формы в другую.
Другаясторонаэтой проблемы- построение систем вы вода и отображения информации -- тоже может быть решена с помощью устройств молекулярнойэлектроники.Для этого раз рабатываютсяустройствадвух типов, которые могут лечь в ос нову построениясверхтонкихмониторов.Первыйтип - )ТО уже упоминавшиеся в 4.1 ориентирующие подложки для жидкокри сталлических паиелей. Помимо пассивной роли, такая подлож ка может служить для вывода информации на экран, изменяя его отражательные свойства. Так были получены "электронные таб летки"- экраны небольшого размера из специальных киральных
жидких кристаллов, которые могут менять тип симметрии в зави
симости от ориентации подложки, меняя при этом окраску за счет
изменения Брегговского отражения. Любое воздействие на ориен тирующую подложку, способное менять ее упорядоченность, на пример, вызывая конформационные перестройки, влечет за собой перестройку жидкокристаллической пленки. Такие таблетки на полиимидной и других подложках позволяют записать с помощью лазера и отобразить очень большой объем информации, в резуль тате чего они получили название "газеты будущего".
Очень перспективным материалом для таких структур ЯВ ляются азо-красители. Если азо-краситель растворен в полимер-
157

Физические основы молекулярной электроники
ной матрице, сотавляющей ориентирующую подложку, то при ос вещении такой структуры поляризованным светом происходит транс-цис конформациопная перестройка молекул красителя в по лимерной матрице. Это, в свою очередь, за счет дисперсионных
сил вызывает значительное изменение структуры нанесенного
сверху жидкого кристалла. Ориентация является стабильной и может быть мгновенно изменена за счет соответствующего излу чения. Такие структуры могут создаваться и на гибкой полимер ной подложке, что делает их еще более удобными для использова ния. Они также являются кандидатами на применение в качестве хранилищ информации с большой плотностью записи.
Второй тип устройств отображения информации - это активные излучающие устройства на основе р-n переходов, со зданные из органических материалов. В настоящий момент суще
ствует три основных подхода к построению светодиодов из орга
нических материалов: создание тонких пленок путем осаждения
органических молекул из вакуума, нанесение пленок органичес
ких полимеров с помощью центрифуги и, наконец, технология ПЛБ. Оптимизация каждого из подходов по контроллируемости параметров получаемых устройств, по их производительности и цене решит, какой из подходов будет в будущем применен в се рийных приборах.
Органический светодиод - это многослойная структура, пример которой показан на рис. 4.18. Она состоит из двух элект родов с одним или более органическимислоями между ними. От рицательный электрод инжектируетв структуру электроны, кото рые затем "стекают" через положительныйэлектрод. Однако удоб нее рассматривать положительный электрод как эмиттер дырок. Электроны и дырки должны попасть в излучающий слой и обра зовать там локализованныеэкситоны. Образованиюэкситоновспо собствует наличие в этом слое электронныхловушек. Затем экси
топы распадаются, в результате чего происходит излучение света.
Следовательно, используемая структура должна быть построена так, чтобы выполнять функции инжекции и транспорта носите пей заряда, а также создания и распада экситонов. Инжекция НО-
158

Глава /1/ Принципы построения действующих и перспективных устройств .'110.7 электроники
Катод Излучающий слой
Слой транспорта дырок- |
|
|
Оксид индия-олова - |
~~m~~~~~~~~~~~~~~l |
|
Стекло |
I~ |
_ |
Рис.4.18. Структура светодиода на основе органических материалов
сителей обычно определяется относительным сродством к элект ронам. Большинство металлов могут инжектировать дырки в орга нические материалы, так как имеют более высокое сродство к элек трону. Обычно в качестве инжектора дырок используется прозрач ный слой оксида индия-олова, который способен пропускать из лучаемый свет. В последнее время было получено значительное
улучшение характеристик светодиодов за счет применения поли
мерных положительных электродов на основе полианилина. От рицательный электрод должен иметь более низкое сродство к элек трону, чем основной светоизлучающий слой. Это условие обеспе чить намного труднее. Ранее для этого электрода использовался кальций. Но его высокая реакционная способность ограничивала надежность получавшихся устройств. В последнее время были
созданы органические материалы с очень высоким сродством к
электрону, которые способны работать с алюминиевым отрица
тельным электродом.
После того как электроны и дырки инжектированы в уст ройство, органические материалы обеспечивают их транспорт, а также рождение и распад экситонов. Устройства, в которых в ка
честве излучающего и проводящего дырки слоев используются
различные органические пленки, напыленные из вакуума, иссле-
159

Физические основы молекулярной электроники
дуются с 1987 г. Достигнут значительый прогресс в получении высоких значений эффективности светодиодов, в понижении рабочих напряжений, а также в выборе цвета излучения. Из-за слишком большой ширины линий экситонной люминесценции
последнего удалось достичь только с помощью построения
структур типа интерферометра Фабри-Перо с подстройкой цве та излучения за счет изменения толщины устройства. В резуль тате были получены устройства с эффективностью несколько Люмен на Ватт и со сроком службы в несколько тысяч часов.
Начиная с 1990 г. исследуются светоизлучающие струк туры на основе полимерных материалов, в основном поли-фе пиленвипилена. Такие пленки одновременно выполняют роль излучающего элемента и функцию транспорта дырок от поло жительного электрода. В результате падает необходимость ис польэоваиия дополнительного слоя. Устройства с использова нием полимерных пленок обходятся гораздо дешевле, чем с мо
лекулярными пленками, 110 их производительность также су
шественно уступает производительноси последних. Химичес кое молифицирование полимерных пленок позволяет, как и в случае с молекулярными пленками, добиваться изменения цвета свечения. В результате были получены излучательпые устрой ства с эффективностью до нескольких Люмен на Ватт, однако
они в десятки раз менее долговечны, чем аналоги на молеку
лярных пленках.
Альтернативным подходом к созданию устройств на основе полифеииленвипилепа и его производных является ЛБ технология. IlJIБ ЯВJIЯIОТСЯ удобным материалом благодаря хо рогпей контролируемости толщины и ориентации слоев. Кро ме того В Л Б технологии расходуется на порядок меньше по
пимериого вешества-осповы, являющегося на настоящее вре
м я очен ь лорогостояшим. Были исследованы различные ва рианты усл ройств на основе псполимсризовапных и полиме ризо ванны х ПЛ Б различного состава. Получены различные
пвста изиучеиия.
160