
Основы наноелектроники / Основы наноэлектроники / ИДЗ / Книги и монографии / Физические основы молекулярной электроники (Плотников), 2000, c.164
.pdf
Глава /V Принципы построениядействующихи перспективныхустройствмол. электроники
РИС.4.2.Линейнаязависи
мость скорости измене
ния коэффициента отра жения на длиневолны633 нм от концентрации NOx (Жу и др., 1990 г.)
РИС.4.3. Схема газового
сенсора на основе опто
волоконного интерферо метра Маха-Цендера.
I :I: 10
::s::
:;.
100 1000
Концентрация но; 10-4 %
Оптическое волокно
/ ---------.....
Осветитель
Чувствительная зона
131

Физические основы молекулярной электроники
а
R
с Со
L
измсрительная |
|
Термостатированная |
||||||||
I..··..:~D~~~·····I |
|
|
|
камера |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
, |
, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Измерительный |
|
|
Опорный генератор |
|
||||||
|
|
|
|
|
||||||
|
генератор |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
f~ + i1F |
|
|
|
F |
Смеситель
Система об аботки данных
Гис.4.4. Эквивалентная электрическая схема кварцевого резо натора (а) и схема кварцевых пьезорезонансных микровссов (6)
132

Глава /V Принципыпостроениядействующихи перспектинныхустройств.\107. электроники
волоконнойоптики. Причемсветоводымогут быть выполненыпо планарноймикротехнологиина поверхностиполупроводниковой подложки, на которой также создается необходимаясхема обра ботки сигнала. Свет разделяется и проходит через два плеча ин терферометра.Одно плечо, покрытое защитным слоем, является опорным,другое- открыто для адсорбции молекул из окружаю щего газа или жидкости. На это плечо может быть нанесена поли мерная или другая органическая пленка, способная селективно адсорбировать те или иные молекулы окружения. Действие сен сора основано на слабом изменении толщины и коэффициента пре ломления или поглощения пленки, нанесенной на активное плечо интерферометра, при адсорбции на нее молекул газа или жидко сти. Интенсивность интерференционной картины на выходе сен сора меняется как при изменении эффективноко коэффициента преломления, так и за счет потлощения излучения. Если измере ния проводятся на одной длине волны, это дает возможность оп ределять концентрацию какого-нибудь одного известного компо нента в окружающей среде. При проведении измерений в широ ком диапазоне ИК волн сенсор работает аналогично инфракрас ному спектрометру. Преимущество оптических сенсоров состоит в их высокой чувствительности, вплоть до 10-3 ррт, независимо сти их работы от электромагнитных помех, а также возможности детектирования нескольких веществ одновременно. Одним из ос
новных недостатков оптического подхода является его чувстви
тельность к "световому шуму" и изменениям окружающей осве
щенности.
4) Сенсоры на основе пьезорезонансных кварцевых весов с чувствительностью до 10-4 рргп могут быть построены на осно
ве пьезорезонаторов, покрытых слоем органических молекул с из
бирательной адсорбционной способностью. Стандартная схема построения дифференциального пьезореэонансного сенсора пред ставлена на рис.4.4, там же изображена эквивалентная электри ческая схема пьезокристалла с металлическими контактами. Диф ференциальный сенсор работает следующим образом. Вакууми рованный резонатор в нем является опорным и используется для
133

Физические основы молекулярной электроники
генерации персменных колебаний с высокостабильной частотой в диапазоне 5 -=- 15 МГц. Измерительный резонатор с близкой ре зонансной частотой имеет активное покрытие и способен адсор бировать молекулы анализируемого вещества. Сигналы от двух
генераторов смешиваются, и выделяется разностная частота, ко
торая может быть измерена с высокой точностью. Малейшее из
менение массы одного из резонаторов приводит к изменению его
эквивалентной собственной частоты: bF/F = дИ/М и к соответ ствующему изменению регистрируемой разностной частоты. В ка честве активных покрытий были использованы различные пара фины, глютаминовая и жирные кислоты, лицетины и амины, в том числе и в виде ПЛБ. Триэтаноламин, например, был использован для детектирования SO:: с концентрацией до 10-3 ррт. На рис. 4.5 для примера привсдена зависимость сдвига разностной частоты сенсора от концентрации SOz в воздухе.
::1 |
350 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
~ |
|
|
000 1 |
|
|
|
|
|
||||||
~ |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
• |
|
|
|
|
|
|
|
|
<] |
300 |
|
• |
• |
|
2 |
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
250 |
|
• |
• • |
3 |
|
|
|
|
|
|
|||
|
200 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
150 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
100 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
50 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
О""'"t |
---- |
|
|
,-----,-----т |
---- |
,----_ _-~-- |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
о |
|
|
|
5 |
10 |
15 |
20 |
25 |
30 |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Концентрация S02, 10-4 % |
||||
|
Рис. 4.5 |
Отклик на S02 пьезссенсора с тремя разны |
ми покрытиями. триэтаноламина (1). "Квадрола"(2), "Армина 2С" (3). (Кормаркер и Гулбалт, 1974 г.)
134

Глава 11· Принципы построения действующих и перспективных устройств мол. злектроники
Приложенный |
а |
Гребенчаты й |
|
||
электрический |
|
прсобразоватсль |
|
|
|
сигнал |
|
|
--'v\r-
-+ - + -
~~--_..-----r..~- |
|
|
пооо |
0000 |
попп |
ПnnО |
ооао |
0000 |
|
Выходной
б
электрический
сигнал
Рис 4 6 Схема работы сенсора на релсевских ПАВ (а) Устройство гребенчатого прсобразовагеля (п)
135

Физические основы молекулярной электроники
5) Сенсоры на поверхностных акустических волнах стро ятся на простом принципе. Поверхность пьезоэлектрического ма териала покрывается органической пленкой, обладающей свой ством селективной адсорбции. Когда молекулы газа адсорбиру
ются на поверхность, они нарушают условия распространения
вдоль нее поверхностных акустических волн. Иными словами, так как энергия поверхностной акустической волны сконцентрирова-
Табица.4.1 .
Газы, детектированные с помощью поверхностных акустичес
ких волн
Детсктированный |
Примененный |
Активное |
|
газ |
пьезоэлектрик |
покрытие |
|
|
|
|
|
S02 |
цььо, |
Триэтаноламин |
|
|
|
|
|
S02 |
зю. |
Фталоцианин |
|
|
|
|
|
N02 |
LiNЬОз |
Фталоцианин |
|
Или Si02 |
|
||
|
|
|
|
Производные |
? |
Аминопропил- |
|
нитробензола |
триэтоксилан |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
Толуэн |
ZnO/AVSixNy |
Полидиметил- |
|
силоксан |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
Н20 |
цмьо, |
Полиимид |
|
|
|
|
|
Н20 |
зю. |
Фталоцианин |
|
|
|
|
|
Пары различных |
ZпО-Si |
Различные |
|
органических |
полимерные |
|
|
Или зю, |
|
||
соединений |
|
|
|
|
пленки |
|
|
|
|
|
|
СО2 |
') |
Полиэтиленимин |
|
|
|
|
|
СО |
зю, |
Фталоцианин |
|
|
|
|
|
СН4 |
зю. |
Фталоцианин |
|
|
|
|
|
136

Глава /V Принципыпостроениядействующихи перспективныхустройств НО7 электроники
на на расстоянии одной-двух длин акустической волны от поверх ности, это позволяет ей сильно взаимодействовать с веществом, находящемся на поверхности. Взаимодействие приводит к изме нению амплитуды, фазы и скорости распространения волны. Для возбуждения на поверхности пьезоэлектрика релеевских поверх
ностных акустических ВОЛII на нее наносится система вложепых
друг в друга проводящих гребенок (рис.4.6), аналогичная система служит приемником сигнала. Поданные на гребенку электричес кие колебания преобразуются в акустическую волну, распростра няющуюся вдоль поверхности и преобразующуюся назад в элект рические колебания приемной гребенкой. В сенсорах также мо гут быть применены акустические волны Лэмба, возникающие, если толщина пьезоэлектрика мала по сравнению с длиной вол ны. Система работает на частотах от десятков до тысяч мегагерц. В таблице 4.1 представлены результаты, полученные в различное
время с использованием сенсоров на поверхностных акустичес
ких вол пах.
Были продемонстрированы чувствительности сенсоров, в
частности для толуэна, трихлорметана и четыреххлористого угле
рода, вплоть до 10-4 ррт. Из теоретических расчетов было показа
но, что сенсоры на волнах Лэмба в тонких пластинках способны показать максимальную чувствительность из всех устройств на основе пьезоэффекта.
6) Пироэлекгрические сенсоры могут быть созданы на основе монокристаллов, керамик или полимеров, обладающих спонтанной поляризацией, зависящей от температуры. В частно сти, разработаны фото-пироэлектрические сенсоры на основе пле нок полимера поливинилиденфторида (ПВДФ) дЛЯ детектирова ния водорода. В таком сенсоре пленка ГIВДФ нанесена на алюми ниевую подложку и покрыта палладиевой пленкой, селективно ад сорбирующей водород. За счет облучения амплитудно-модулиро ванным лазером в пленке создается стабильное распределение теплового поля. Распределение температуры нарушается за счет теплоты адсорбции при попадании на поверхность сенсора моле кул Н2, одновременно меняется и разность потенциалов между электродами. На рис.4.7 показана схема дифференциального сен-
137

Физические основы молекулярной электроники
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Pd |
|
|
Ni-Al |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
--- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5096 |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-------1 |
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3496 |
Свето- |
|
J |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
- - |
Лазер ...... |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
деление |
~l |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ni-Al |
|
|
: |
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
t |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
Изоляция |
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Электро соединения |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PD, |
|
|
|
|
|
]696: ----ОптичесКоеволокно |
||||||||||
|
|
|
~ ""-------1 |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
f::\ |
|
|
|
|
|
|
11 |
Ni: 200 А |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
rв |
AI: 600 А |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
\!у |
|
|
|
|
|
|
НI |
Pd: 130 А |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
РИС.4.7. Схематическое изображение пироэлектричес кого газового сенсора на поливинипидэнфториде. Активное плечо) покрытое Pd электродом) вырабаты вает сигнал Vpd ; плечо сравнения с AI-Ni электродами
создает опорный сигнал V ; сигнал на выходе фото
1N
диода VR используется для синхронного детектора
138

Глава IV Принципы построения действующих 11 перспектнвных устройств .~/ОЛ. электроники
сора на основе РУОР. ПЛенка с двумя алюминиевыми электродами, не обладающими избирательностью по отношению к адсорбции во дорода, используется в качестве опорного датчика. Полученый сен сор способен работать в диапазоне концентраций водорода от еди ниц до 104 ррш,
7) Биосенсоры - это специальный класс химических сен соров, который использует высокую чувствительность и селекгив ность биологически активных материалов, являющуюся резуль татом многих миллионов лет эволюции живых объектов, переда ча информации между которыми основана на химических сигна лах. Биосенсор можно определить как систему, объединяющую биологический чувствительный элемент, обычно иммобилизован ный на поверхности твердого тела, с традиционным преобразова телем сигнала. Чувствительный элемент распознает конкретную молекулу благодаря реакции, специфической адсорбции или дру гому физическому или химическому процессу, а преобразователь
конвертирует результат такого распознавания в легко используе
мый сигнал - обычно электрический или оптический. Существует два класса процессов био-распознавания -
это распознавание по био-сродству и био-метаболическое распоз
навание, отличающиеся методом детектирования. Оба класса включают образование сильной связи одного вещества с другим,
имеющим комплементарную структуру - так называемая связь
"ключ-замок". При распознавании по био-сродству образующая ся связь является достаточно сильной, и преобразователь должен зафиксировать наличие этой связи. Наиболее распространенные типы распознавания по био-сродству - это механизмы антитело антиген и рецептор-лиганд. В случае био-метаболического рас познавания после образования связи происходит реакция иссле дуемого вещества с другими реактантами и образуется новый про дукт. В этом случае преобразователь должен зафиксировать изме
нение концентрации продуктов реакции или исходных реактан
тов или выделение тепла в результате реакции. К механизмам био метаболического распознавания относятся реакции с участием эн зимов и "переработка" некоторых молекул органеллами, живыми
тканями и клетками.
139

Физические основы молекулярной электроники
Первый биосенсор, созданный Кларком и Лионсом в 1962 г., использовал электрохимический электрод, покрытый иммобилизо ванным ферментом. С тех пор появилось множество различных биосенсоров, основанных на химически чувствительных полупро водниковых устройствах, волоконной оптике, терморезисторах,
поверхностных акустических волнах, электрохимических элект
родах, пьезорезонапсных кварцевых весах и многих других пре
образователях. Основное отличие биосенсоров от других типов химических сенсоров состоит в их гораздо более высокой чув ствительности и избирательности. Понять ее причины можно на основе связи "ключ-замок", которая образуется только когда ис
следуемое вещество имеет структуру комплиментарную к струк
туре эпзима или антитела, и в результате образования связи пара оказывается в более низком энергетическом положении, чем две пезависимые молекулы. Разнообразие реакций в биологическом мире дает возможность создания очень разнообразных биосенсо
ров, поскольку существуют системы, органеллы, клетки, ткани и
микроорганизмы, способные реагировать на очень разные веще
ства, начиная с маленьких неорганических молекул, таких как кис
лород, и кончая большими сложными молекулами протеинов и уг леводородов. Основные типы веществ, которые можно распозна вать с помощью биосенсоров, представлены в таб.4.2.
Таблица.4.2.
Примеры основных типов веществ, распознаваемых биссенсорами
- --- - - --- - -- ---- --- -- -- ------------------ ---- -------- ---1 |
|||
Распознанасмыевещссгва |
r[римеры |
|
|
|
|||
|
|
|
|
Вещества, участвующис |
|
|
|
в мет аболизмс |
КИСЛОрОД, метан, этанол и другие |
|
|
Субс граты для эизимов |
Глюкоза, пеницелпин, мочевина |
|
|
|
Гормоны, феромоны. токсины, |
|
|
|
нейротрансмиттеры |
|
|
Антигсны Н антитела |
Иммуноглобулины |
|
|
IIIУКЛСШЮВЫСкислоты |
ДНК, РНК |
|
|
|
|
|
|
140