- •Igbt транзистор
- •2 Монтаж кристаллов многовыводных интегральных микросхем жестко организованными выводами: Flip–Chip, bga. Монтаж и демонтаж корпусов bga. Особенности контроля качества паяных соединений.
- •3 Технология и оборудование монтажа cob (кристалл на плате). Основные достоинства технологии cob. Области применения cob (smart–cart и др.).
- •4 Многокристальные модули (мkм): конструктивные особенности, выбор материалов подложки, технология сборки. Внутренний монтаж кристаллов на подложки из алюминия.
- •Flip-chip технология
- •С применением полиимидной ленты носителя
- •Внутренний монтаж кристаллов
- •5 Электронные микромодули с 3–d интеграцией, классификация структур, конструктивные особенности, технология сборки микромодулей.
- •3D интеграция: пластина на пластину
- •6 Микроблоки с общей герметизацией (мбог): техническая характеристика, технология сборки и монтажа микроплат, герметизация микроблоков.
- •7 Волоконно–оптические кабели и линии связи (волс): техническая характеристика, особенности конструкций, технология соединений. Оптическая запись и хранение информации на дисках. Тиражирование дисков.
- •8 Технология оптоэлектронных устройств отображения информации: светодиодные панели и экраны, особенности сборки.
- •10 Технология оптического и электрического контроля электронных модулей. Автоматизация контроля. Адаптеры, летающие зонды и матрицы. Рентгеновский контроль качества паяных и микросварных соединений.
- •12 Диагностика неисправностей в электронных модулях. Автоматизированные системы анализа отказов. Этапы технической диагностики. Контактные и бесконтактные методы диагностики.
- •13 Неразрушающие методы технической диагностики электронных модулей: рентгенотелевизионный, тепловизионный, фотоакустический. Области применения методов и используемое оборудование.
- •14 Дефекты поверхностного монтажа электронных модулей и методы их устранения.
- •15 Технология и оборудование для демонтажа smd и многовыводных интегральных компонентов в электронных модулях.
- •16 Герметизация изделий электроники. Классификация и характеристика методов. Технология поверхностной герметизации. Применяемые материалы.
- •17 Технология объемной герметизации. Вакуумно–плотная герметизация изделий пайкой и сваркой. Контроль герметичности.
- •18 Регулировка и настройка рэс, методы, оценка их погрешностей. Автоматизация регулировки.
- •19 Проверка и регулировка параметров источников питания электронных устройств.
- •20 Технология контроля и регулировки параметров нч блоков радиовещательных приемников.
- •21 Технология контроля и регулировки параметров вч блоков радиовещательных приемников. Определение чувствительности и избирательности приемников.
- •22 Комплексная автоматизация производственных процессов. Этапы, пути и критерии автоматизации.
- •23 Расчет производительности общественного труда и пути ее роста.
- •24 Специальное автоматическое технологическое оснащение: структура, классификация. Агрегатное и переналаживаемое асто.
- •25 Автоматические линии, основные типы и их характеристики.
- •26 Проектирование поточных линий сборки рэс. Расчет основных параметров линий.
- •27 Расчет параметров конвейера сборки и варианты его планировки.
- •28 Основные технические показатели промышленных роботов, методики их контроля.
- •29 Роботы и робототехнологические комплексы в производстве рэс, варианты компоновки. Рабочие зоны роботов–манипуляторов, технические характеристики.
- •30 Автоматизированное технологическое оснащение и промышленные роботы в составе ртк и гпм.
- •31 Приводы промышленных роботов и расчет усилий приводов. Линейные шаговые двигатели их преимущества.
- •32 Захватные устройства роботов-манипуляторов. Оценка их эффективности.
- •33 Загрузочные устройства для автоматического технологического оборудования. Расчет объема загрузки на плановые периоды работы.
- •34 Контроль параметров промышленных роботов в составе гпм.
- •35 Роботехнологические комплексы сборки, пайки, влагозащиты и отмывки. Примеры компоновки. Расчет и пути повышения производительности роботизированной сборки.
- •36 Гибкие производственные модули сборки и монтажа рэу.
- •37 Гибкие производственные системы, ячейки, планировка участка сборки с автоматизированным складом. Расчет коэффициента использования производственной площади.
- •38 Планировка участка сборки электронных модулей с поверхностным и смешанным монтажом по типу европейских сборочных линий.
- •39 Гибкость и мобильность гпс. Порядок расчета гибкости. Проблемы при внедрении гпс.
- •40 Принципы управления производственными и технологическими системами. Асутп и функции подсистем.
- •41 Человеко-машинные асу тп для цеха, участка. Примеры и схемы реализации. Достоинства и недостатки схем.
- •42 Технологические датчики и блоки сбора данных для систем управления оборудованием.
- •43 Автоматические системы управления и регулирования тп.
- •44 Микропроцессорные асу тп, схемы построения и основные характеристики.
- •45 Управление тп и оборудованием с помощью пэвм и микроЭвм. Промышленные компьютеры.
- •46 Применение программируемых контроллеров для управления тп и то.
- •47 Технологическая подготовка производства, основные принципы построения и автоматизация.
- •48 Автоматизация проектирования технологических процессов с применением эвм. Прикладные пакеты сапр тп.
- •49 Автоматизированные и интегрированные технологические комплексы. Компьютеризованные производства cam. Структура и основные характеристики.
- •50 Автоматизированные системы проектирования технологической документации и оснастки ТехноПро’99, TechCard и др.
- •51 Технологическая оснастка и правила ее проектирования. Поверочные расчеты оснастки.
- •52 Методика технологического контроля конструкторской документации.
- •53 Нормоконтроль технологической документации. Правила заполнения комплекта тд.
- •54 Перспективы развития технологии рэс. Cals технологии, нанотехнологии. Открытие мемристора.
14 Дефекты поверхностного монтажа электронных модулей и методы их устранения.
Дефекты поверхностного монтажа
1—шарики припоя, 2—смещение выводов,
3—короткие замыкания, 4—недостаток припоя,
5—”надгробный камень”
Спаи выводов контроллера в корпусе QFP-44 при шаге между выводами 0.8 мм возникли из-за попадания паяльной пасты за пределы контактных площадок. Причиной стало превышение размерами апертур размеров контактных площадок из-за неправильно спроектированного трафарета, а также протравы апертур, характерные для метода хим.травления
Непропаи выводов габаритных корпусов кварцевых резонаторов. Дефект возник вследствие неправильно подобранного температурного профиля и так называемого «теневого эффекта», характерного для метода ИК-пайки.
Дефект типа «надгробный камень» возник из-за смещения компонента при установке (неточность позиционирования).
Смещение выводов элементов относительно контактных площадок, не допустимое согласно критериям оценки качества международного стандарта IPC-A-610D. Дефект возник из-за смещения компонента при установке (неточность позиционирования).
Шарики припоя – шарики вдоль корпусов чипов. Согласно международному стандарту IPC-A-610D возникновение одиночных, покрытых флюсом шариков вдоль корпусов чип-компонентов допускается, в предположении, что стандартные условия эксплуатации изделия не приведут к перемещениям шариков. Дефект возник по причине превышения размерами апертур трафарета размеров контактных площадок
Как показала практика 70% всех дефектов поверхностного монтажа приходится на нарушения, допущенные на этапе нанесения паяльной пасты, 30% - ИК нагрев и точность установки SMD.
Правильно отрегулированный температурный профиль позволяет получать качественные паяные соединения c минимальным числом дефектов.
15 Технология и оборудование для демонтажа smd и многовыводных интегральных компонентов в электронных модулях.
Ручные методы демонтажа компонентов
При демонтаже компонентов основными задачами являются:
- локальный нагрева вывода (выводов) компонента,
- удаление припоя из металлизированного отверстия или с контактной площадки платы .
Одним из способов удаления припоя является использование фитиля, представляющего собой шнур из скрученных тонких медных проволочек. При нагреве паяльника припой расплавляется и всасывается внутрь фитиля под действием капиллярного давления, которое тем больше, чем уже зазоры между проволочками фитиля.
Удаление припоя вакуумным отсосом
При необходимости удаления большого количества припоя обычно используют паяльник с вакуумным отсосом. После оплавления припоя нажатием на педаль подается сжатый воздух к инжекционной насадке, что создаёт разряжение, обеспечивающее отсасывание припоя. Припой скапливается в камерах сборника паяльника, откуда затем выбирается. Время демонтажа одного соединений составляет 1–2 с.
Рис.5. 1 – металлизированное отверстие, 2– припой, 3 – наконечник паяльника, 4 – отсос припоя, 5 – вывод элемента, 6– печатная плата
Рис. 6. Паяльник для демонтажа: 1 – сменный наконечник, 2 – нагреватель, 3 – полый стержень, 4 – присоединительная колодка, 5 – сборник припоя, 6– патрубок, 7– ручка, 8 – инжекционная насадка, 9 – регулятор напряжения
Применение термовоздущных станций (термофенов)
Для монтажа компонентов в мелкосерийном и единичном производстве, а также для ремонта электронных модулей используют термовоздушные паяльные станции ввиду их универсальности, большой разновидности насадок для монтажа/демонтажа различных видов корпусов, наличия вакуумного пинцета для захвата электронных компонентов, небольших размеров.
Портативная термовоздушная паяльная станция AOYUE 852A оснащена различными видами сменных насадок для термофена и вакуумного пинцета, имеет цифровой контроль температуры и скорости воздушного потока
Процесс демонтажа интегральной микросхемы
а - разогрев контактных площадок до расплавления припоя, б - установка на корпус микросхемы присоски вакуумного пинцета, в, г - демонтаж микросхемы с поверхности печатной платы
Применение ИК источников нагрева для демонтажа
Инфракрасные (ИК) источники нагрева широко применяются при ремонте электронных модулей как в мелкосерийном, так и серийном производстве, что обусловлено возможностью точного контроля температуры пайки, в то время как для конвективных источников это проблематично
Двухсторонняя ИК система нагрева используется в ремонтной станции ERSA IR550A, которая имеет следующие технические характеристики :
Мощность верхнего ИК излучателя 4x200Вт (размеры 60x60мм)
Мощность нижнего ИК излучателя 2x400Вт (размеры 135x250м)
Время разогрева верхнего излучателя 90 с. Скорость нагрева от 0,3 до 2 С/с.
Максимальная потребляемая мощность 1600 Вт
Длина волны ИК излучателей 2–5 мкм . Напряжение 220В, 50 Гц
