- •Igbt транзистор
- •2 Монтаж кристаллов многовыводных интегральных микросхем жестко организованными выводами: Flip–Chip, bga. Монтаж и демонтаж корпусов bga. Особенности контроля качества паяных соединений.
- •3 Технология и оборудование монтажа cob (кристалл на плате). Основные достоинства технологии cob. Области применения cob (smart–cart и др.).
- •4 Многокристальные модули (мkм): конструктивные особенности, выбор материалов подложки, технология сборки. Внутренний монтаж кристаллов на подложки из алюминия.
- •Flip-chip технология
- •С применением полиимидной ленты носителя
- •Внутренний монтаж кристаллов
- •5 Электронные микромодули с 3–d интеграцией, классификация структур, конструктивные особенности, технология сборки микромодулей.
- •3D интеграция: пластина на пластину
- •6 Микроблоки с общей герметизацией (мбог): техническая характеристика, технология сборки и монтажа микроплат, герметизация микроблоков.
- •7 Волоконно–оптические кабели и линии связи (волс): техническая характеристика, особенности конструкций, технология соединений. Оптическая запись и хранение информации на дисках. Тиражирование дисков.
- •8 Технология оптоэлектронных устройств отображения информации: светодиодные панели и экраны, особенности сборки.
- •10 Технология оптического и электрического контроля электронных модулей. Автоматизация контроля. Адаптеры, летающие зонды и матрицы. Рентгеновский контроль качества паяных и микросварных соединений.
- •12 Диагностика неисправностей в электронных модулях. Автоматизированные системы анализа отказов. Этапы технической диагностики. Контактные и бесконтактные методы диагностики.
- •13 Неразрушающие методы технической диагностики электронных модулей: рентгенотелевизионный, тепловизионный, фотоакустический. Области применения методов и используемое оборудование.
- •14 Дефекты поверхностного монтажа электронных модулей и методы их устранения.
- •15 Технология и оборудование для демонтажа smd и многовыводных интегральных компонентов в электронных модулях.
- •16 Герметизация изделий электроники. Классификация и характеристика методов. Технология поверхностной герметизации. Применяемые материалы.
- •17 Технология объемной герметизации. Вакуумно–плотная герметизация изделий пайкой и сваркой. Контроль герметичности.
- •18 Регулировка и настройка рэс, методы, оценка их погрешностей. Автоматизация регулировки.
- •19 Проверка и регулировка параметров источников питания электронных устройств.
- •20 Технология контроля и регулировки параметров нч блоков радиовещательных приемников.
- •21 Технология контроля и регулировки параметров вч блоков радиовещательных приемников. Определение чувствительности и избирательности приемников.
- •22 Комплексная автоматизация производственных процессов. Этапы, пути и критерии автоматизации.
- •23 Расчет производительности общественного труда и пути ее роста.
- •24 Специальное автоматическое технологическое оснащение: структура, классификация. Агрегатное и переналаживаемое асто.
- •25 Автоматические линии, основные типы и их характеристики.
- •26 Проектирование поточных линий сборки рэс. Расчет основных параметров линий.
- •27 Расчет параметров конвейера сборки и варианты его планировки.
- •28 Основные технические показатели промышленных роботов, методики их контроля.
- •29 Роботы и робототехнологические комплексы в производстве рэс, варианты компоновки. Рабочие зоны роботов–манипуляторов, технические характеристики.
- •30 Автоматизированное технологическое оснащение и промышленные роботы в составе ртк и гпм.
- •31 Приводы промышленных роботов и расчет усилий приводов. Линейные шаговые двигатели их преимущества.
- •32 Захватные устройства роботов-манипуляторов. Оценка их эффективности.
- •33 Загрузочные устройства для автоматического технологического оборудования. Расчет объема загрузки на плановые периоды работы.
- •34 Контроль параметров промышленных роботов в составе гпм.
- •35 Роботехнологические комплексы сборки, пайки, влагозащиты и отмывки. Примеры компоновки. Расчет и пути повышения производительности роботизированной сборки.
- •36 Гибкие производственные модули сборки и монтажа рэу.
- •37 Гибкие производственные системы, ячейки, планировка участка сборки с автоматизированным складом. Расчет коэффициента использования производственной площади.
- •38 Планировка участка сборки электронных модулей с поверхностным и смешанным монтажом по типу европейских сборочных линий.
- •39 Гибкость и мобильность гпс. Порядок расчета гибкости. Проблемы при внедрении гпс.
- •40 Принципы управления производственными и технологическими системами. Асутп и функции подсистем.
- •41 Человеко-машинные асу тп для цеха, участка. Примеры и схемы реализации. Достоинства и недостатки схем.
- •42 Технологические датчики и блоки сбора данных для систем управления оборудованием.
- •43 Автоматические системы управления и регулирования тп.
- •44 Микропроцессорные асу тп, схемы построения и основные характеристики.
- •45 Управление тп и оборудованием с помощью пэвм и микроЭвм. Промышленные компьютеры.
- •46 Применение программируемых контроллеров для управления тп и то.
- •47 Технологическая подготовка производства, основные принципы построения и автоматизация.
- •48 Автоматизация проектирования технологических процессов с применением эвм. Прикладные пакеты сапр тп.
- •49 Автоматизированные и интегрированные технологические комплексы. Компьютеризованные производства cam. Структура и основные характеристики.
- •50 Автоматизированные системы проектирования технологической документации и оснастки ТехноПро’99, TechCard и др.
- •51 Технологическая оснастка и правила ее проектирования. Поверочные расчеты оснастки.
- •52 Методика технологического контроля конструкторской документации.
- •53 Нормоконтроль технологической документации. Правила заполнения комплекта тд.
- •54 Перспективы развития технологии рэс. Cals технологии, нанотехнологии. Открытие мемристора.
10 Технология оптического и электрического контроля электронных модулей. Автоматизация контроля. Адаптеры, летающие зонды и матрицы. Рентгеновский контроль качества паяных и микросварных соединений.
Оптический контроль
Автоматизация визуального контроля
Автоматизация электрического контроля электронных модулей
Автоматический стенд контроля малых сопротивлений: печатных проводников, индуктивностей работает по принципу неуравновешенного моста постоянного тока
производительность контроля параметров ЭРЭ - 15-17 шт/с, цифровых ИС - 5-12 шт/с, топологии - 150 пров./с;
Адаптеры для электрического контроля
Адаптер (ложе гвоздей) состоит из фиксированной 6 и подвижной 3 плат, контактных игл 5, установленных с заданным шагом, пружин 4 для перемещения изделия 1, уплотнения 2. Адаптер изготавливается для каждого типа проверяемой платы. Давление на один зонд 50 г. Шаг расположения зондов 2,5 мм, реже 1,25 мм.
Метод летающих пробников
Для контроля электронных модулей с высокой плотностью монтажа в мелко-серийном производстве применяют тестовое оборудование с подвижными зондами (пробниками). Несколько зондовых головок с приводами по осям X,Y,Z по программе контактируют с платой. При переходе к другой плате изменяют программу тестирования. Недостаток – невысокая производительность метода
Метод летающих матриц
Летающие матрицы решают основные проблемы существующих систем тестирования: сложность переналадки (системы с адаптером) и низкая производительность (системы с подвижными зондами). Матрицы перемещаются на короткие расстояния по осям X и Y с высокой скоростью, среднее расстояние перемещения очень мало (обычно около 1 мм), что дает преимущество в скорости тестирования.
Для реализации метода достаточно двух больших матриц и двух малых. В установке New System S24-25 каждая большая матрица имеет 285 зондов (19 столбцов, 15 рядов), а каждая малая – 75 зондов (5 столбцов, 15 рядов). Таким образом, суммарное число зондов для каждой стороны – 360, а общее – 720. Быстродействие от 70 до 100 тестов/с.
Автоматический рентгеновский контроль соединений
Для контроля качества соединений компонентов BGA, µBGA, Flip Chip используется система Х7055 компании VISCOM, которая отличается высокой скоростью работы, возможностью контроля установки компонентов с шагом 0,3 мм и рентгеновского контроля скрытых дефектов соединений. Система оснащена ортогональными 4-мега-пиксельными камерами с линейным разрешением 10 мкм и угловым разрешением 22 мкм.
11 Технология испытаний электронных модулей. Ускорение испытаний, расчет коэффициента ускорения. Испытания на влагоустойчивость. Эффект “поп-корна” и его устранение. Особенности конструкций металлостеклянных и металлокерамических корпусов и причины негерметичности.
Ускорение технологических испытаний
Ускоряющим фактором для большинства механизмов отказов является повышенная температура. Коэффициент ускорения КТ определяется по уравнению Аррениуса:
где Еа — энергия активации механизмов отказов, эВ;
К — постоянная Больцмана: К = 8,610-5 эВ/К;
Т0, Тф — температура изделия соответственно начальная и в форсированном режиме, К.
Температура кристалла ,
где Тосн — температура основания; RТ — тепловое сопротивление перехода кристалл—окружающая среда; Ррас — мощность, рассеиваемая на кристалле. Для ИМС Еа 0,4 эВ, RТ = 100 К/Вт
Испытания на влагоустойчивость корпусов ИМС
. Время влагозащиты монолитных полимерных корпусов : (1)
где D- коэффициент диффузии влаги, h- толщина пластмассы, Ркр –критическое давление паров воды, Р0 – давление насыщения паров воды.
Температурная зависимость коэффициента диффузии D :
D=D0 exp(-ED/kT), (2)
где D0 =1,1910-7м2/с, ED – энергия активации (0,35эВ), k- постоянная Больцмана, Т– абсолютная температура.
Методы испытаний на влагоустойчивость
Метод испытаний под давлением пара (pressure cooker test – PCT)
Испытание в автоклаве проводится в атмосфере перегретого пара при температуре +121˚С, давлении 0,2 МПа и относительной влажности 100% в течение 240 час
При приложении к ИМС электрической нагрузки (HAST - highly accelerated stress test) реализуются испытания с большим ускорением. Они проводятся при более высоких температурах вплоть до 155°С в условиях ненасыщенного пара (80—85% относительной влажности). При этом коэффициенты ускорения для ИМС в пластмассовых корпусах достигает 700—3500.
Конструкции металлокерамических и металлостеклянных корпусов
Металлокерамические корпуса применяются в блоках радиоэлектронной аппаратуры специального назначения. Основные области применения мощных транзисторов в металлостеклянном корпусе – источники электропитания, блоки кадровой и строчной разверток, регуляторы, схемы управления электродвигателями. Транзисторы должны быть устойчивы к климатическим воздействиям при изменении температуры внешней среды от -60 до +125˚С.
При коммутации токов 30–50 А транзисторы изготавливают в металлостеклянном корпусе КТ-9 или в металлокерамическом корпусе КТ-97В. Для достижения Рк max=100-150 Вт кристаллы монтируют на термокомпенсатор, расположенном на медном теплорастекателе, обладающем высокой теплопроводностью и устойчивостью к механическим воздействиям. Материалом изолятора являются вакуумно-плотная керамика ВК-94-1 или стеклобусы С-45, С-76, С-95.
Внешние вывода корпусов изготавливают из материала МК (медь–ковар). Электрические соединения выполняются проволокой алюминиевой АОЦПоМ диаметром 250-300 мкм. В выходной цепи необходимо формировать не менее чем по две проволочных перемычек, в связи, с чем поверхность траверс должна иметь расширенную площадь, что достигается путем формирования осаженной части в виде шляпки гвоздя для КТ-9 или чеканкой для КТ-97В. Присоединение кристалла к корпусу выполняется пайкой на легкоплавкий припой для корпуса с никелевым покрытием или контактно-реактивной пайкой с образованием эвтектики Au-Si
Металлокерамический (а) и металлостеклянный (б) корпуса: 1 – основание, 2 – крышка, 3 – выводы, 4 – подложка, 5 – кристалл с герметизирующим покрытием
Металлокерамические корпуса состоят из керамического основания с выводами и металлической крышки . Металлостеклянные корпуса более технологичны и состоят из стеклянного основания и металлической крышки. В процессе формовки основание армируют выводами и металлической рамкой, а затем спекают, в результате чего образуется металлостеклянный спай.
Для соединения выводов с рамкой керамического корпуса керамику металлизируют с помощью молибдено–марганцевых паст или металлической фольги толщиной 30–50 мкм. Металлизацию выполняют распылением через свободную маску, трафаретной печатью либо вырубкой из фольги с последующей приклейкой. На металлизацию электролитически наносят слой никеля или меди толщиной 3-5 мкм и затем производят вжигание. Второй метод соединения металла с керамикой — через слой припойного стекла, которое в виде суспензии наносят на соединяемые поверхности и затем спекают при температуре 400–500˚С
Причины негерметичности гермовыводов
Потеря герметичности металлокерамического гермовывода может быть вызвана:
- дефектами в виде микропор и пустот в объеме керамического изолятора, обусловленных составом шликера, технологическими режимами литья, а также конструкцией прессформы;
- недостаточным внутренним диаметром изолятора, снижающим капиллярный зазор при пайке, в результате чего из-за различия КТЛР вывода и керамики возникают напряжения и микротрещины на границе керамика-металлизация;
- неудачно выбранным составом металлизационной пасты и неоптимальными технологическими режимами вжигания и обжига керамики;
- влияние факторов сборки приборов, превышающих допустимый уровень технологических воздействий.
Негерметичность металлостеклянного гермовывода может быть вызвана:
- несоответствием состава стекла, что приведет к росту КТЛР;
- неоптимальными технологическими режимами пайки стеклотаблетки, способных привести к образованию микротрещин;
превышением давления при герметизации, вызывающим образование трещин в стекле.
