- •Контрольные вопросы по лабораторной работе №1
- •1. Для чего нужен тестер?
- •2. Как подключается тестер при измерении силы тока?
- •3. Что можно измерить осциллографом?
- •4. Как можно настроить осциллограф?
- •Контрольные вопросы по лабораторной работе №2
- •Контрольные вопросы по лабораторной работе №3
- •Контрольные вопросы по лабораторной работе №4
- •1. Что такое полупроводники?
- •2. Какие полупроводники называются донорными, а какие акцепторными?
- •3. Что такое p-n-переход? Как он осуществляется?
- •4. Что такое вах?
- •5. Что такое прямой и обратный токи?
- •Контрольные вопросы по лабораторной работе №5
- •Обозначения транзисторов на схемах.
- •Использование транзисторов
- •Транзистор с обратной проводимостью
- •Коэффициент h21
- •От чего зависит коэффициент усиления усилительного каскада?
- •Для чего требуется резистивный делитель в усилительном каскаде?
- •Контрольные вопросы по лабораторной работе №5а
Контрольные вопросы по лабораторной работе №4
1. Что такое полупроводники?
Полупроводники – это вещества, удельное сопротивление которых убывает с повышением температуры, наличием примесей, изменением освещенности. По этим свойствам они разительно отличаются от металлов. Основным свойством полупроводника является увеличение электрической проводимости с ростом температуры. Полупроводниками являются вещества, ширина запрещённой зоны которых составляет порядка нескольких электрон-вольт (эВ). Обычно к полупроводникам относятся кристаллы, в которых для освобождения электрона требуется энергия не более 1,5 – 2 эВ. Типичными полупроводниками являются кристаллы германия и кремния, в которых атомы объединены ковалентной связью. При нагревании полупроводников их атомы ионизируются. Освободившиеся электроны не могут быть захвачены соседними атомами, так как все их валентные связи насыщены. Свободные электроны под действием внешнего электрического поля могут перемещаться в кристалле, создавая электронный ток проводимости. Удаление электрона с внешней оболочки одного из атомов в кристаллической решетке приводит к образованию положительного иона. Этот ион может нейтрализоваться, захватив электрон. Далее, в результате переходов электронов от атомов к положительным ионам происходит процесс хаотического перемещения в кристалле места с недостающим электроном – «дырки». Внешне этот процесс хаотического перемещения воспринимается как перемещение положительного заряда. При помещении кристалла в электрическое поле возникает упорядоченное движение «дырок» – дырочный ток проводимости.
В полупроводниках запрещённой зоной называют область энергий, отделяющую полностью заполненную электронами валентную зону (при Т=0 К) от незаполненной зоны проводимости. В этом случае шириной запрещённой зоны называется разность энергий между дном (нижним уровнем) зоны проводимости и потолком (верхним уровнем) валентной зоны. Характерные значения ширины запрещённой зоны в полупроводниках составляют 0,1 – 4 эВ. Кристаллы с шириной запрещённой зоны более 4 эВ обычно относят к диэлектрикам.
2. Какие полупроводники называются донорными, а какие акцепторными?
На проводимость полупроводников большое влияние оказывают примеси. Примеси бывают донорные и акцепторные. Донорная примесь – это примесь с большей валентностью. При добавлении донорной примеси в полупроводнике образуются липшие электроны. Проводимость станет электронной, а полупроводник называют полупроводником n-типа. Например, для кремния с валентностью, равной 4, донорной примесью является мышьяк с валентностью, равной 5. Каждый атом примеси мышьяка приведет к образованию одного электрона проводимости.
Акцепторная примесь – это примесь с меньшей валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуется лишнее количество «дырок». Проводимость будет «дырочной», а полупроводник называют полупроводником р-типа. Например, для кремния акцепторной примесью является индий с валентностью, равной 3. Каждый атом индия приведет к образованию лишней «дырки».
