6.1 Импульсные диоды обязательно характеризуются такими параметрами:
СД емкость диода, и tвост . импульсные диоды – маломощные диоды.
Пример: рассмотрим основные параметры диода ГД507А
Тип |
Iпр.ср mA |
Iпр.имп.max,mA |
Uобр.max В |
Iобр μА |
tвост нс |
СД пФ |
ГД507А |
16 |
100 |
20 |
50 |
100 |
0,8 |
Выпускается в виде диодных матриц, которые содержат несколько импульсных диодов. Рассмотрим диодную сборку КДС525.
Рисунок 6.3
6.2 Варикапы
Это полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости p-n перехода от обратного напряжения. Обозначение:
2В102А
В
варикапах используется емкость обратно
включенного p-n
перехода который называется барьерный.
Рисунок 6.4
d – ширина p-n
перехода,
(4.1)
Изменяя приложенное обратное напряжение к варикапу мы изменяем ширину p-n перехода и соответственно величину барьерной емкости p-n перехода. Основная характеристика варикапа- вольто-фарадная характеристика диода
Основные параметры варикапа 2В102А
С
нам
14÷37 пФ
-
коэффициент перекрытия
Q = 40
Добротность – отношение активного сопротивления к полному сопротивлению потерь.
Рисунок 6.5
ТКЕ- температурный коэффициент емкости.
Рmax- максимальная мощность рассеивания на варикапе 100 mВ применяется в качестве нелинейного конденсатора в системах дистанционного управления и автоматической подстройки частоты.
Рисунок 6.6
-
резонансная частота колебательного
контура.
6.3 Излучающие полупроводниковые диоды.
Широко используются как световые индикаторы, в оптоэлектронных парах. Излучающие диоды это полупроводниковые приборы, предназначенные для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию оптического излучения.Используется при прямовключении, обозначается: АЛ102А. исходные полупроводниковые материалы: GaAs, SiC, GaP.
Принцип действия:
Рисунок 6.7
При подаче на p-n переход прямого напряжения наблюдается интенсивный переход основных носителей заряда- дырок в n область, а электронов в p область. Основные носители заряда рекомбинируют с неосновными в этих областях. При рекомбинации носителей заряда выделяется энергия. У многих полупроводников энергия превращается в тепло. На основе этих полупроводников GaAs, SiC, GaP рекомбинация является излучательной, то есть выделяется в виде квантов излучения фотонов hν. Это свойство используется для создания излучательных диодов. Основной характеристикой излучающих диодов является спектральная характеристика – это зависимость интенсивности излучения от длины волны излучаемого света.
Рисунок 6.8