9.2 Структура такого транзистора.
Рисунок 9.1
Принцип действия.
Приложим напряжение сток- исток при
этом электроны через n-
канал перемещаются от истока к стоку.
-
максимален при
.
Подаём напряжение на
при этом p-n
переход смещён в обратном направлении.
При увеличении
ширина
p-n перехода
увеличивается за счёт n-канала.
При этом сечение тока ,проводящего
канала уменьшается. Его проводимость
уменьшается и выходной ток
также уменьшается.
9.3 Вольт-амперные характеристики транзистора.
1.Стоковые или выходные вольт-амперные характеристики.
Это зависимость
при
>
>
>
Рисунок 9.2
I. Нерабочий участок. Сильная зависимость тока от напряжения.
II.Рабочий участок. Слабая зависимость тока от напряжения.
III.Нерабчий участок. Резкое увеличение тока. Пробой p-n перехода.
2. Стоко- затворная вольт-амперная характеристика:
при
.
Рисунок 9.3
Она показывает на сколько эффективно происходит управление с помощью напряжения .
напряжение отсечки ,при котором
=0.
9.4 Основные параметры полевого транзистора:
1.
,
при
.
Определяется сопротивлением p-n
перехода, включенном в обратном
направлении.
2. Крутизна стоко- затворной характеристики отражает влияние управляющего напряжения на выходной ток.
,
при
3. Межэлектродные ёмкости
Предельные максимальные параметры:
максимальный ток.
-
максимальное выходное напряжение.
КП302А
мА
20В
В
мВт,
при
9.5 Полевые транзисторы с изолированным затвором.
n- МОП- металл окисел полупроводник;
n- МДП- металл диэлектрик полупроводник;
p-МОП- металл окисел полупроводник;
k- МОП- металл окисел полупроводник;
Они делятся:
- Полевые транзисторы со встроенным каналом;
- Полевые транзисторы с индуцированным каналом;
9.6 Рассмотрим полевые транзисторы со встроенным каналом:
Рисунок 9.4
Принцип действия основан на эффекте изменения проводимости токопроводящего канала под воздействием поперечного электрического поля.
ток
увеличивается;
управляющее
напряжение;
ток
уменьшается;
Для таких транзисторов возможен как
режим обогащения , так режим обеднения.
Если канал n-типа ,то при
ток
стока увеличивается ,так как электроны
стремятся к положительному полюсу.
Электроны из области р - также будут
стремиться в n-канал.
Концентрация носителей заряда в канале
увеличивается , ток стока возрастает –
это режим обогощения , если
поле затвора оказывает отталкивающее
действие на электроны, приводит к
уменьшению их концентрации и уменьшению
проводимости канала , ток стока уменьшается
– это режим обеднения.
МОП или МДП – это транзисторы ,затвор которых электрически отделён от канала слоем диэлектрика.
Рисунок 9.5
МОП- это транзисторы со встроенным каналом n-типа.