- •Задание на контрольную работу № 1
- •Задачи №№ 1-10
- •Задача № 11-20
- •Задача № 21
- •Задача № 22
- •Задача № 23
- •Задача № 24
- •Задача № 25
- •Задача № 26
- •Задача № 27
- •Задача № 28
- •Задача № 29
- •Задача № 30
- •Задачи №№ 31-40
- •Задачи №№ 41-45
- •Задачи №№ 46-50
- •Методические указания к выполнению задач контрольной работы №1 Задачи №№ 1-10
- •Задачи №№ 11-20
- •Задачи №№ 21-30
- •Задачи №№ 31-50
- •Задачи №№ 31-40
- •Задачи №№ 41-50
- •Задание на контрольную работу № 2
- •Задача №1
- •Задача №2
- •Задача №3
- •Задача №4
- •Задача №5
- •Задача №6
- •Задача №7
- •Задача №8
- •Задача №9
- •Задача №10
- •Задача №11
- •Задача №12
- •Задача №13
- •Задача №14
- •Задача №15
- •Задача №16
- •Задача №17
- •Задача №18
- •Задача №19
- •Задача №20
- •Задачи №21-30
- •Задача №31
- •Задача №32
- •Задача №33
- •Задача №34
- •Задача №35
- •Задача №36
- •Задача №37
- •Задача №38
- •Задача №39
- •Задача №40
- •Задача №41
- •Задача №42
- •Задача №43
- •Задача №44
- •Задача №45
- •Задача №46
- •Задача №47
- •Задача №48
- •Задача №49
- •Задача №50
- •Методические указания к выполнению задач контрольной работы №2
- •Задачи №№1-10
- •Задачи №№ 11-20
- •Задачи №№ 21-30
- •Задание на контрольную работу №3
- •Задача №1
- •Задача №2
- •Задача №3
- •Задача №4
- •Задача №5
- •Задача №6
- •Задача №7
- •Задача №8
- •Задача №9
- •Задача №10
- •Задача №11
- •Задача №12
- •Задача №13
- •Задача №14
- •Задача № 15
- •Задача №16
- •Задача №17
- •Задача №18
- •Задача №19
- •Задача №20
- •Задачи №№ 21 – 30
- •Задачи №№31 – 40
- •Задачи №№41-50
- •Методические указания к выполнению задач контрольной работы №3 Задачи №№ 1-10
- •Задачи №№11-20
- •Задачи №№ 21-30
- •Технические данные полупроводниковых диодов
- •Задачи №№31-50
Задачи №№31-50
Для правильного ответа на указанные вопросы следует изучить соответствующий материал из рекомендованной литературы. Ответ на вопрос должен быть конкретным с пояснением физической сущности работы того или иного устройства. При описании прибора или устройства следует обязательно пояснить свой ответ электрическими схемами, графиками и чертежами.
При изучении основ электроники определенную трудность представляет тема 2.7. «Интегральные схемы микроэлектроники». Электронная техника сегодняшнего дня значительно совершенствуется за счет объединения в одном сложном миниатюрном элементе (пластинке или кристалле малых размеров) большого числа различных деталей: диодов, транзисторов, резисторов и т.д. Все они изготавливаются в едином технологическом процессе, электрически соединяются в необходимые схемы и заключаются в общий корпус, представляя единое целое. Полученный в результате такого объединения сложный элемент малых размеров называется интегральной микросхемой (ИС).
По технологии изготовления интегральные микросхемы подразделяют на:
Гибридные, выполняемые в виде пленок, наносимых на поверхность диэлектрического материала и навесных бескорпусных элементов – транзисторов, конденсаторов и т.п., прикрепляемых к основанию;
Полупроводниковые, в которых все элементы формируются в полупроводниковом материале.
Гибридные и полупроводниковые микросхемы подразделяются на схемы с различными степенями интеграции и определенным числом элементов:
а) с малой (до 30);
б) средней (до 200);
в) большой (от 200 до 1000);
г) сверхбольшой (более 1000).
В отличии от гибридных интегральных схем, состоящих из двух различных типов элементов (тонкопленочных резисторов конденсаторов, соединительных проводников и навесных транзисторов, дросселей), полупроводниковые интегральные микросхемы состоят из единого кристалла полупроводника, отдельные области которого выполняют функции транзистора, диода, резистора или конденсатора. Собранную интегральную микросхему помещают в металлический или пластмассовый корпус, имеющий внешние выводы для включения в общую электрическую схему установки. Основными преимуществами интегральных микросхем являются их высокая надежность, малые размеры и масса. Большие интегральные схемы, содержащие до несколько тысяч элементов, имеют массу, не превышающую нескольких грамм. Плотность активных элементов в микросхеме достигает 1000 – 10000 на 1 см3. Среднее время безотказной работы устройства, содержащего 108 элементов, может достигать до 10000 ч, что значительно превышает время работы устройств, собранных из отдельных транзисторов, диодов, резисторов. Интегральные микросхемы обладают также высоким быстродействием и экономичностью, что позволяет значительно снизить расход электроэнергии и уменьшить габариты и массу источников питания электронных устройств.