Федеральное агентство связи

ГОУ ВПО «Сибирский государственный университет

телекоммуникаций и информатики»

Уральский технический институт связи и информатики (филиал)

Электротехника и электроника

Методическое пособие по выполнению контрольной работы № 2

по теме «Расчет параметрического стабилизатора напряжения»

для студентов заочной формы обучения специальности

230105.65 «Программное обеспечение вычислительной техники и

автоматизированных систем»

Екатеринбург

2009

ББК 32.881

УДК 621.391

Рецензент: доцент, к.т.н, Муханов В.В.

Паутов В.И., Матвиенко В.А.

Электротехника и электроника: Методическое пособие по выполнению контрольной работы № 2 по теме «Расчет параметрического стабилизатора напряжения» / В.И. Паутов, В.А. Матвиенко.- Екатеринбург : УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ», 2009. 12 с.

Методический материал является учебным пособием и предназначен для закрепления знаний студентов при изучении дисциплины «Электротехника и электроника». В пособие включен теоретический материал, необходимый для проведения электрических расчетов цепей, содержащих элементы с линейными и нелинейными характеристиками.

Приведены варианты заданий и методические указания по выполнению контрольного задания, а также основная и справочная литература.

Библиогр.: 9 назв. Рис. 3. Табл. 3. Прил. 1.

Рекомендовано НМС УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ» в качестве методического пособия по выполнению контрольной работы по курсу «Электротехника и электроника» для студентов заочной формы обучения специальностей 230105.65 «Программное обеспечение вычислительной техники и автоматизированных систем».

ББК 32.881

УДК 621.391

Кафедра общепрофессиональных дисциплин

©УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ», 2009

Введение

Контрольная работа по дисциплине «Электротехника и электроника» для специальности 230105.65 «Программное обеспечение вычислительной техники и автоматизированных систем» предназначена для закрепления теоретических знаний и получения практических навыков проведения расчетов электротехнических цепей.

Приведенные в пособии краткие теоретические сведения позволят выполнить контрольную работу не обращаясь к учебникам. Рассмотренные примеры демонстрируют методику проведения расчетов.

Курс «Электротехника и электроника» состоит из двух частей. Поэтому в контрольной работе предлагается рассчитать две цепи: одна относится электротехнике (задача 1), другая – (задача 2) к электронике.

2. Краткие теоретические сведения

2.1 Основные термины и определения

Физические процессы в p-n-переходе

Основным элементом большинства полупроводниковых приборов являет- ся электронно-дырочный переход (р-n-переход), представляющий собой переходный слой между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электронную электропроводность, другая – дырочную.

Полупроводниковый прибор с р-n-переходом, имеющий два омических вывода, называют полупроводниковым диодом (далее диод). Одна из областей р-n-структуры (р+), называемая эмиттером, имеет концентрацию основных носителей заряда на несколько порядков больше, чем другая область, называемая базой.

Статическая вольт-амперная характеристика (ВАХ) диода изображена на рис. 6. Здесь же пунктиром показана теоретическая ВАХ электронно-дырочного перехода, определяемая соотношением

I = I₀ (е^U/(φт) – 1), (5)

где I₀ – обратный ток насыщения (ток экстракции, обусловленный неосновными носителями заряда);

U – напряжение на р-n-переходе;

φ_т = kT/q – температурный потенциал.

Обратная ветвь ВАХ у кремниевых диодов при данном масштабе практически сливается с осью абсцисс.

Влияние температуры.

На вольт-амперную характеристику диода существенное влияние оказывает температура окружающей среды. При увеличении температуры обратный ток насыщения увеличивается примерно в 2,5 раза у кремниевых диодов на каждые 10 °С.

Максимально допустимое увеличение обратного тока диода определяет максимально допустимую температуру диода, которая составляет 150 – 200 °С для кремниевых диодов.

Если через кремниевый диод протекает прямой постоянный ток, то при увеличении температуры падение напряжения на диоде уменьшается с темпом 2,5 мВ/^oС

dU/dT = – 2,5 мВ/°С (6)

Дифференциальным сопротивлением диода называют отношение приращения напряжения на диоде к вызванному им приращению тока

r_диф = dU/dI. (7)

Пробой диода.

При обратном напряжении диода свыше определенного критического значения наблюдается резкий рост обратного тока (рис. 7). Это явление называют пробоем диода. Пробой диода возникает либо в результате

воздействия сильного электрического поля в p-n-переходе (электрический пробой может быть туннельным или лавинным), либо в результате разогрева перехода при протекании тока большого значения и при недостаточном теплоотво-

де, не обеспечивающем устойчивость теплового режима перехода (тепловой пробой). Электрический пробой обратим, т. е. он не приводит к повреждению диода, и при снижении обратного напряжения (или ограничения тока) свойства диода сохраняются. Тепловой пробой является необратимым.

Iпр мА

40 -

20 -

60 20⁰С

dIпр

Uобр Uст

0,4 0,8 Uпр

Электрический

пробой

dUпр

Uст

Влияние

изменения

температуры

I_{ст мах}

Тепловой пробой

Iобр

Рис. 7 Вольт-амперная характеристика диода

Типы полупроводниковых диодов

Выпрямительные диоды используют для выпрямления переменных токов частотой 50 Гц – 100 кГц. Основные параметры выпрямительных диодов даются применительно к их работе в однополупериодном выпрямителе с активной нагрузкой.

Высокочастотные (универсальные) и импульсные диоды применяют для выпрямления токов, модуляции и детектирования сигналов с частотами свыше 100 кГц.

Стабилитроны предназначены для стабилизации напряжения на нагрузке при изменении питающего напряжения или сопротивления нагрузки, для фиксации уровня напряжения и т. д. Для стабилитронов рабочим является участок пробоя ВАХ в области обратных напряжений (рис. 7). На этом участке напряжение на диоде остается практически постоянным при изменении обратного тока диода.

Стабилитрон характеризуется следующими параметрами:

–напряжение стабилизации Uст – напряжение на стабилитроне в рабочем режиме (при заданном токе стабилизации);

–минимальный ток стабилизации I_{ст min} – наименьшее значение тока стабилизации, при котором режим пробоя устойчив;

–максимально допустимый ток стабилизации I_{ст max} – наибольший ток стабилизации, при котором нагрев стабилитронов не выходит за допустимые пределы.

–дифференциальное сопротивление r_ст – отношение приращения напряжения стабилизации к вызывающему его приращению тока стабилизации г_ст = ∆U_ст/∆I_ст.

–максимально допустимая рассеиваемая мощность Рдоп = Uст I_{ст max}. Если выделяющаяся на стабилитроне мощность превышает допустимую, то прибор начнет перегреваться и может наступить тепловой пробой.

Обозначение диодов

Диоды на принципиальных схемах обозначаются следующим образом. Выпрямительные и универсальные – рис.8.а, стабилитроны – рис.8. б.

Один из электродов обозначается буквой А по аналогии с электровакуумными приборами – анод, другой – К – катод.

Обозначение диодов:

Выпрямительные диоды общего применения – КД101А – кремниевый диод малой мощности, 01 разработки, разновидности А.

а) б)

Рис. 8 Обозначение выпрямительного диода и стабилитрона

Стабилитроны относятся к специализированным диодам. Стабилитроны малой мощности рассеяния обозначаются:

КС153А – кремниевый стабилитрон малой мощности, напряжение стабилизации 5,3 В, разновидности А.