Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ММ Материаловедение / 03_Материаловедение-Кристаллизация.pptx
Скачиваний:
50
Добавлен:
11.06.2020
Размер:
570.95 Кб
Скачать

Материаловедение

Кристаллизация металлов

Кристаллизацией называется процесс перехода металла из жидкого состояния в твердое.

Жидкость –

Кристалл –

дальний порядок

ближний порядок

 

Изотропные

Анизотропные

свойства

свойства

 

Кривые охлаждения.

Т = Тos степень переохлаждения

fv=(Fж.- Fтв.)/V – изменение свободной энергии на единицу объема затвердевающего вещества.

fvV - движущая сила кристаллизации.

При затвердевании энергия понижается на fvV. Возникновение границы

раздела повышает энергию на S

(S - суммарная поверхность зародышей,- удельная поверхностная энергия).

Общее изменение энергии:

Ф = - fvV + S .

Для зародыша (кубик):

Ф= - а3 m fv + 6а2m

Размер критического зародыша

аk = 4 / fv

Ф

 

64m 3

96

m 3

 

2 32 m 3

 

96 m 3

 

1 m 3

к

 

fv2

 

fv2

 

3 32 fv2

 

96 fv2

 

3 fv2

 

 

 

 

 

 

Или

 

 

 

Фк 1 S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

Т.е. свободная энергия на границе кристалл-жидкость на 2/3 компенсируется объемной свободной энергией, а на 1/3 - энергией флуктуации Фk.

Критический размер зародыша зависит от степени переохлаждения.

Пп-к < Пк-ж - условие для гетерогенного зарождения (Пп-к - поверхностная энергия подложка - кристалл, Пк-ж - поверхностная энергия кристалл - жидкость).

Твердая фаза - подложка, обладающая структурным и размерным соответствием с кристаллизующимся металлом облегчает

зародышеобразование, т.е. уменьшает T и увеличивает n.

Закон Вульфа-Кюри. Свободно растущий кристалл принимает такую форму, при которой удельная поверхностная энергия iFi минимальна, ( i - поверхностное натяжение, Fi - площадь любой грани,n приходящейся на

единицу объема металла).

В кристалле скорость перемещения грани пропорциональна ее

поверхностному натяжению. Форма кристалла, соответствующая минимуму удельной поверхностной энергии называется равновесной.

Рост кристалла

Двумерный зародыш

Скорость процесса и окончательный размер кристаллов при затвердевании определяются соотношением между кинетическими параметрами процесса кристаллизации: скоростью зарождения центров кристаллизации (СЗ) и линейной скоростью роста кристаллов (ЛСР).

dV/d с3n

Форма кристаллов и структура слитка

При малых Т образуются правильно ограненные кристаллы

равновесной формы.

В зависимости от условий кристаллизации и степени загрязненности могут возникать кристаллы иной формы: пластинчатые, игольчатые, в виде сфероидов и т. п. Однако, наиболее распространенной формой является дендритная (древовидная).

При затвердевании сначала растут главные оси (оси первого порядка - 1), затем - побочные оси: второго (2) и т. д. порядков.

Дендритная форма кристалла (схема)

Форма растущего кристалла зависит от температурных условий в расплаве и на поверхности раздела.

положительный

отрицательный

концентрационное

температурный градиент,

температурный градиент,

переохлаждение,

плоский фронт

дендрит

дендрит

Строение

слитка

Слиток стали состоит из трех зон кристаллитов:

I — зона мелких кристаллов (снаружи), II — зона столбчатых кристаллов,

III — зона крупных равноосных кристаллов (в середине)