Контрольні запитання

1. Залежність електропровідності власного напівпровідника від температури.

2. Рухливість носіїв заряду.

3. Залежність електропровідності домішкових напівпровідників від температури.

4. Залежність рухливості вільних носіїв заряду від температури.

5. Яка будова і принцип дії установки ФПК-07?

Таблиця

№

t

T

Rм

t

T

Rc

t

T

Rн

п/п

▫С

K

Ом

▫С

K

Ом

▫С

K

K-1

Ом

Ом-1м-1

1.

2.

Мідь

α [K^-1] = 4,3·10^-3

Температурна залежність опору для більшості металів близька до лінійної для широкого діапазону температур і описується формулою:

R_T = R₀ (1+ α ΔT)

де:

R_T – електричний опір при температурі T [Ом];

R₀ – електричний опір при початковій температурі T₀ [Ом];

α – температурний коефіцієнт електричного опору [K^-1];

ΔT – зміна температури, що становить T-T₀ [K].

8.617 3324(78)×10^-5 еВ·K⁻¹

ширину забороненої зони (0,67 еВ для германію та 1,12 еВ для кремнію)

6