1. Новые контрольные / 1- 4_Методы анализа и расчёта электронных схем

Федеральное Агентство по образованию РФ

Томский государственный университет систем

управления и радиоэлектроники (ТУСУР)

Кафедра промышленной электроники (ПрЭ)

Контрольная работа № 1.

Вариант 4.

По дисциплине: «Методы анализа и расчёта электронных схем»

Тема: «Анализ линейной электронной схемы непрерывного действия»

(Учебные пособия: «Методы анализа и расчёта электронных схем» авторы: Четвергов А.В. Легостаев , Томск-2007)

Преподаватель Студент группы

_________/ ________/ _________//

_________ 2009 г. _________ 2009 г.

Томск 2009

Цель работы: анализ линейной электронной схемы непрерывного действия, содержащий активный многополюсный компонент, матричными и топологическими методами.

Задание 1: Сформировать математическую модель электронной схемы (рис.1) в виде системы уравнений в расширенном координатном базисе.

Рис. 1

В качестве эквивалентной схемы биполярного транзистора воспользуемся низкочастотной физической Т-образной эквивалентной схемой, приведенной на рис.2

Рис. 2

Схема замещения по переменному току для полного диапазона частот приведена на рис.3, где :

Рис. 3

Замещая в схеме на рис.3, биполярный транзистор, эквивалентной схемой замещения (рис.2), получаем схему замещения по переменному току, содержащую только двухполюсные компоненты, которая приведена на рис.4:

Рис. 4

Составим полюсной граф, соответствующий схеме замещения (рис.4), который представлен на рис.5:

Рис. 5

Рис. 6 – Граф y-ветвей

Граф содержит вершин, ветвей.

Система независимых контуров и сечений, приведена на рис.7:

Рис. 7

Для графа (рис.7), , , и матрица главных сечений имеет вид:

Для графа (рис.7) , и матрица контуров графа имеет вид:

или

где - вектор токов y-ветвей - вектор токов z-ветвей

- вектор контурных токов

или

где - вектор напряжений y-ветвей, - вектор напряжений z-ветвей

- вектор узловых напряжений

; ; ; .

Матрица проводимости y-ветвей:

Матрица сопротивлений z-ветвей:

;

;

где - матрица эквивалентных параметров;

- обобщённый вектор внешних воздействий, которые определяются:

ЗАЧЕТ.

Задание 2. Метод – МЭС; координатный базис – ККБ.

Схема замещения приведена на рис.8:

Рис.8

где:

Укороченная матрица сопротивлений:

Z*=		1	2	3	4	5
	1				0	0
	2				0
	3					0
	4	0	0
	5	0		0

Схемная функция: .

Задание 3. Тип сигнального графа – ОСГ.

Схема замещения приведена на рис.9:

Рис.9

где:

Рис.10 – обобщённый сигнальный U-граф пассивной части схемы.

Рис.11 – обобщённый сигнальный U-граф транзистора VT1.

Рис.12 – Суммарный однородный обобщённый сигнальный U-граф схемы.

Рис.13 – Суммарный неоднородный обобщённый сигнальный U-граф схемы.

Схемная функция: