Классификации включений

Было множество попыток создания классификации включений, охватывающей все их разнообразие. Так Н.П.Ермаков подразделил все включения на 21 класс на основе их состава и происхождения, а еще ранее предложил другую, широко используемую классификацию на основе соотношения присутствующих фаз (приведена в пособии, написанном кафедрой полезных ископаемых).

Классификация включений по Реддеру (1984) – primary-secondary terminology

Классификация подразделяет включения на категории в зависимости от их происхождения: первичные (primary), псевдовторичные (pseudosecondary) и вторичные (secondary). Более подробное разделение включений оказывается возможным на основе дополнительной информации об их валовом составе (силикатные, сульфидные, водные, органические, углекислотные). Кроме этого, перед интерпретацией любых результатов изучения ФВ необходимо провести еще одно естественное и очень важное их подразделение - установить, из какой системы происходило их образование: гомогенной или гетерогенной.

Первичные включения

Интракристаллические (внутризерновые) включения. Большинство исследований включений выполнено на интракристаллических (т.е. расположенных в пределах одного кристалла) включениях. Любой процесс, препятствующий росту совершенного кристалла, может вызвать захват первичных включений (рис. 2-1. РЕДДЕР).

Все первичные включения являются дефектами кристаллов, которые во всех других отношениях могут выглядеть под микроскопом вполне совершенными. Они представляют собой “несчастные случаи” в нормальном закономерном процессе роста кристалла, и поэтому их распределение в кристаллах может быть в значительной степени беспорядочным.

Диагностические критерии для классификации флюидных включений были предложены Roedder (1979). Примеры первичных включений даны на Рис. 5а (статья) для монокристаллов, частично, по отношению к ростовой зональности (Рис. 5б статья).

Интеркристаллические (межзерновые) включения. Хотя практически все основные исследования включений были проведены на интракристаллических включениях, некоторая часть исследований была выполнена на включениях, расположенных на контакте между кристаллами. Д.П.Григорьев (1948) впервые описал захват включений на границе между одновременно растущими кристаллами, которую он назвал “нидукционной поверхностью” и которая на Западе получила название “компромисная поверхность роста” - ”compromise growth surface”. Подобные типы включений наблюдались в аплитах, кварце золотносных жил и т.д. Поскольку стенки интеркристаллических включений представляют собой грани нескольких зерен, а межзерновые границы обладают некоторой огрнаниченной проницаемостью, из боль-ва этих включений происходит утечка их содержимого.

Псевдовторичные включения

Обычно считается, что первичные включения образуются во время роста кристалла, а вторичные - в несколько более позднее время из совершенно других флюидов. Однако имеются промежуточные между этими двумя типами разновидности включений, которые впервые выявил Н.П.Ермаков и назвал их первично-вторичными. Если кристалл в процессе своего роста растрескивался, то флюиды их которых происходил его рост и которые могли быть захвачены в краевые части кристалла в качестве первичных включений, проникали в трещину и консервировались в центральных зонах кристалла. Т.к. такие включения выглядят как вторичные, но образуются в процессе роста кристалла-хозяина, то они на Западе были названы псевдовторичными. Если за время роста кристалла от центральных частей к краевым происходило изменение состава растворов, то соответствующие включения также имеют различный состав. По этой причине, а также в виду явного нахождения в залеченных трещинах псевдовторичные включения часто игнорируются, т.к. принимаются за вторичные. Их истинное происхождение может быть установлено только в том случае, если залеченную трещину можно проследить по направлениям к внешним зонам кристалла до самого ее конца. Она должна заканчиваться на былой грани роста, расположенной внутри кристалла. Обнаружить в реальных образцах достоверные доказательства псевдовторичного генезиса включений удается очень редко.