Выводы и предложения

студента по итогам практики

Современные высокоэффективные солнечные элементы (СЭ) представляют собой сложные многослойные гетероструктуры (ГС). Наиболее пригодными и технологически отработанными A^IIIB^V материалами для каскадных СЭ являются InGaAs, GaAs, AlGaAs и InGaP. Они имеют значения энергии запрещенной зоны близкие к оптимальным для каскадного преобразования солнечной энергии. Поскольку эти материалы совместимы по параметру кристаллической решетки с GaAs, то структуры СЭ на их основе выращиваются в едином ростовом процессе на арсениде галлия или на германиевой подложке с p-n переходом

В перспективе желательно заменить дорогие и тяжелые подложки Ge и GaAs на дешевые и легкие кремниевые пластины. Создание приборов микро-, нано- и фотоэлектроники на основе материалов A^IIIB^V, выращенных на подложках Si, является одной из приоритетных задач современного полупроводникового материаловедения. Решение этой проблемы крайне важно и для развития высокоэффективной фотовольтаики.

Методом МЛЭ выращена структура однокаскадного GaAs солнечного элемента на буферных слоях GaAs/GaP/Si. Из выращенной структуры был изготовлен солнечный элемент без просветляющего покрытия и проведено измерение его характеристик. Полученные вольтамперные характеристики мы сравнили с ВАХ солнечного элемента GaAs, выращенного на подложке GaAs.

На основе полученных данных и анализа литературных источников были выделены несколько перспективных направлений улучшения качества буферных слоев GaAs/GaP/Si. А именно: оптимизация системы дислокационных фильтров в сочетании с проведением более высокотемпературных циклических отжигов, использование подложек кремния с нанорельефом.

Отзыв о работе студента руководителем практики от организации:

1. Полученные навыки, характеристика работы студента

Радыгин Д.П. ознакомился с литературными данными о современных высокоэффективных солнечных элементах. Получил практические навыки выращивания структур однокаскадных GaAs/Si солнечных элементов.

Под руководством научного руководителя провел измерения вольтамперных характеристик, провел анализ полученных результатов. В ходе выполнения работы выделены несколько перспективных направлений улучшения качества солнечных элементов. По итогам работы студент предоставил отчет.

2. Краткая аннотация отчёта по практике, представленного студентом

Данная работа посвящена исследованию решений проблем технологии выращивания методом МЛЭ гетероструктур соединений A^IIIB^V/Si, пригодных для создания солнечных элементов.

Повышение качества слоев A^IIIB^V/Si для создания солнечных элементов имеет большую практическую актуальность для космических аппаратов и других отраслях промышленности.

3. Замечания руководителя практики о прохождении практики студентом

В ходе работы Радыгин Д.П. ответственно подошел к выполнению поставленной задачи, показал себя технически грамотным студентом при работе с установками и выполнении задач исследований.

4. Оценка практики ______________________________

(отл., хор., уд., неуд.)

Руководитель практики от организации

_________________ _______________ _________________________

должность подпись расшифровка подписи