Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ФІзика. проф. курс 1 част..doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
5.03 Mб
Скачать

2.12.2. Класифікація кристалів за типом зв'язків

За типом зв'язків розрізняють п'ять класів кристалів.

1. Кристали молекулярні (з Ван -дер- ваальсовими зв'язками). Енергія зв'язку в таких кристалах має значення порядку величини 103 ÷104 Дж/моль. Прикладами таких кристалів є кристали затверділих інертних газів - неону, аргону, криптону, ксенону.

2. Кристали з ковалентним зв'язком. Взаємодія між частинками в таких кристалах обумовлено тим, що два електрона належать одночасно двом атомам. Енергія зв'язку в таких кристалах має значення порядку величини 105 ÷106 Дж/моль. Прикладами таких кристалів є кристали кремнію, алмазу.

3. Кристали з водневим зв'язком. Цей зв'язок обумовлений наявністю водню в речовинах. Він слабкіший ковалентного. Енергія зв'язку в таких кристалах має значення порядку величини104 Дж/моль. Прикладами таких кристалів є кристали льоду, речовини КН2РО - сегнетоелектрика, який застосовується в пристроях обробки інформації, фтороводню НF, синильної кислоти НСN, фториду амонію NH4F та ін.

4. Кристали з іонним зв'язком. Цей зв'язок обумовлена взаємодією іонів. Енергія зв'язку в таких кристалах має значення порядку величини 105 ÷106 Дж/моль. Прикладами таких кристалів є кристали кухонної солі NaCl, фториду літію LiF.

5. Кристали з металевим зв'язком. У металах всі валентні електрони слабо пов'язані з атомами (позитивними іонами, що знаходяться у вузлах кристалічної гратки) та усуспільнені, так що не можна визначити який валентний електрон до якого атома відноситься. Валентні електрони в металах уподібнюють ідеальному електронному газу, що заповнює простір між вузлами кристалічної гратки, в яких знаходяться позитивні іони. Енергія зв'язку в таких кристалах має значення порядку величини 104 ÷105 Дж/моль. Прикладами таких кристалів є кристали всіх металів. У кристалах також можливі змішані зв'язки.

2.12.3. Дефекти в кристалах

Реальні кристали відрізняються від ідеальних порушенням строгого порядку в кристалічній гратці. Порушення строгого порядку може бути викликано різними причинами. Кажуть, що в кристалах є дефекти. Дефекти можна розділити на точкові, лінійні (дислокації), поверхневі та об'ємні.

Домішки впливають на фізичні властивості кристалів, наприклад, напівпровідники з донорними або акцепторними домішками мають домішкову провідність поряд з власною провідністю.

Дефекти по Шотткі - відсутність частинки в якому-небудь вузлі кристалічної гратки (вакансія у вузлі).

Дефекти по Френкелю являють собою наявність частинки між вузлами гратки, яка з’являється там, покинувши своє місце в одному з вузлів. У цьому випадку утворюється пара дефектів (пара Френкеля), так як порожній вузол і наявність зайвої частинки в між вузлами рівною мірою призводять до порушення строгого порядку.

Лінійні дефекти або дислокації можна розділити на крайові і гвинтові.

Крайові дефекти виявляються в наявності краю «зайвої» атомної площині.

Гвинтові дислокації представляють собою кручену лінію, утворену з частинок кристала.

Поверхневі дефекти - це дефекти, які проявляються на площині. До них відносяться поверхня самого кристала, межі між окремими частинами кристала, по-різному орієнтованими, межі між кристалами в полікристалі.

Об'ємні дефекти - це дефекти, які проявляються в тривимірному просторі. До них відносяться пори і тріщини в кристалах.

Всі дефекти впливають на фізичні властивості кристалів, такі як міцність, електропровідність, теплопровідність та інші.