3.5 Выводы по безопасности жизнедеятельности и охране окружающей среды

В данном разделе был проведен анализ операций, производимых при выполнении выпускной квалификационной работы.

Были выявлены опасные и вредные производственные факторы, которые были классифицированы по классам и даны предельно допустимые дозы и нормируемые значения параметров. Также были предложены меры защиты от этих факторов.

Был проведен анализ планирование помещения лаборатории.

Были приведены оптимальные и допустимые метеоусловия помещения лаборатории с учетом категории работ по тяжести.

Была проведена классификация лаборатории по опасности поражения электрическим током.

Был произведен расчет необходимой естественной и искусственной освещенности лаборатории и приведены нормируемые параметры.

Была проведена оценка огнестойкости и пожаровзрывоопасности лаборатории и рекомендован комплекс противопожарных мероприятий.

Была произведена оценка компьютера как объекта загрязнения окружающей среды.

Выводы

 Проведен аналитический обзор литературы по истории, развитию, областях применения а также свойствах многокопмонентных наногетероструктур AlGaInN.

 Изучено влияние типов проводимости на многокомпонентные наногетероструктуры.

 Получены вольт – амперные характеристики и зависимости квантового выхода от плотности тока для светоизлучающих диодов синего цвета свечения.

 Установлено,что оптимальный тип легирования – р – тип

 Определена оптимальная структура активной области многокомпонентных наногетероструктур. Оптимальной является структура, которая в активной области содержит 4 КРЯ шириной 3,5 нм и ширина барьеров при этом составляет 4,5нм.

Список использованных источников

1 Шуберт Ф.Е. Светоизлучающие диоды – Москва: ФИЗМАТЛИТ, 2008.–496 с.

2 Бахтизин Р.З. Голубые диоды // Соросовский образовательный журнал. – 2001. –т.7.–No3. –С. 75–83.

3 Рабинович О.И. История изучения многокомпонентных гетероструктур на основе AlInGaN//КиТ.–2012.–№7–С.160–167.

4 S.Nakamura, G.Fasol. The Blue Laser Diode. Springer, Berlin, 2013, 343 p.

5 B.Gil. Group III Nitride Semiconductor Compounds: Physics and Applications. Clarendod Press, Oxford, 2014, 459 p.

6 K. Pakula, C.T. Foxon, T.S. Cheng. Lattice parameters of gallium nitride // Appl. Phys. Lett. 69(1), 2012, p.73–75.

7 M.FLi, T.C,Chong, J.B.Xia. Electronic properties of zinc–blende GaN, AIN, and their alloys GaAlN // J.Appl. Phys. 79(1), 2011, p. 188–194

8 Levinshtein М.Е., Rumyantsev S.L., Zubrilov A. Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AIN, InN, SiC, SiGe //John Wiley & Sons, Inc., New York, 2014, p. 1–30.

9 Pankove J.I., Bloom, S., Harbeke, G. // RCA Rev., 36 (1975) p. 163.

10 Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S. // John Wiley & Sons, Inc., New York, 2013,1–30.

11 Manchon, D.D., Barker, A.S., Zetterstrom, R.B. // Solid State Commun,8(1912) p. 1227

12 Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Том 1 – 2 , «Мир», Москва, 1984 г.

13 Mocc T. Полупроводниковая оптоэлектроника. «Мир», Москва, 1976 г.

14 Агафонов Д. Р., Мурашова М. А., Столяревская Р. И. // Исследования визуального восприятия красных железнодорожных светофоров на основе СИД. «Светотехника» № 6 (2013 г.) стр.22

18 Пасынков В.В., Чиркин Л.К., Полупроводниковые приборы, «Лань», Москва, С. – П., Краснодар, 2013 г,

19 S.–H.Wei, A.Zunger. Calculated natural band offsets of all II–VI and III–V semiconductors: Chemical trends and the role o f cation d orbitals. Applied Physics Letters, V ol.72, N16 (2014) pp.2011–2013.

20 F.Bemardini, V.Fiorentini. Macrosopic polarization and band offsets at nitride heterojunctions. Physical Review B, Vol.57, N 16 (2015) pp.R9427–R9430.

21 T.Takeuchi, S.Sota, M.Katsuragawa, Quantum–Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells. J.Appl.Phys.Vol.36 (2014) pp.382–385.

22 Amato et al. Patent Number 5,496, 766. Mar. 5,2016

23 Nakamura et al. Patent Number 5,306, 662. Apr. 26,2014

24 E. L. Piner, F. G. Mclntosh, N. A. El–Masry, etc. Growth and Properties of InGaN and AlInGaN Thin Films on (0001) Sapphire // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1,2016, 43

25 Wagner J., Ramakrishnan А., Behr D., etc. Composition dependence of the band gap energy of In_xGa_l–xN layers on GaN (x < 0.15) grown by metal– organic chemical vapor deposition // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1,G2.8,2011.–6C.

26 Chichibu S.F., Sota Т., Wada K., etc. Spectroscopic studies in InGaN quantum wells. // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.7, 2015. –14 c.

27 Chiu S.–Y, Anwar A.F.M., Wo S. Base transit time in abrupt GaN/InGaN/AlGaN HBTs // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6.7,2015.

28 N.M. Smidt, P.S. Vergels, E.B. Yakimov. EBIC characterization of light emitting structures based on GaN // Semicon, 2014, v 41. 4

29 R.L. Anderson. IBM. J. Res. Dev. v.4, 2011, p.283; R.L. Anderson. Solid State Electron., v.5,2013, p.31

31 Takeshi Uenoyama Optical gain spectra in InGaN/GaN quantum wells with the compositional fluctuations // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1,G2.9,2013.–6 с

32 Н.И Бочкарева, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, А.В. Клочков, Ю.Г. Шретер. Неоднородность инжекции носителей заряда и деградация голубых светодиодов // ФТП, 2006, том 40, вып. 1, с. 122– 127

33 С. Никифоров. Температура в жизни и работе светодиодов. Часть 1 // Компоненты и технологии. 2015, No9, с. 140–146

34 С. Никифоров. Температура в жизни и работе светодиодов. Часть 2 // Компоненты и технологии. 2015, No8, с. 18–23

35 Sakharov A.V., Lundin W.V., Usikov А., etc. Heterostructure for UV LEDs based on thick AlGaN layers // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 28,2010.–4 с.18–22

36 Н.C, Грушко, Н.В. Дуванова, Е.А. Логинова. Структуры InGaN/SiC с модулированным легированием // Ученые записки Ульяновского государственного университета. Сер. Физическая. 2014, вып. 1(16), с.30–39

37 А.Н. Туркин. Катодолюминесценция гетероструктур на основе нитрида галлия // 2–nd Russian Conference "Gallium, Aluminium and Indium Nitrides", Febr. 2003.

38 M.A. Reshchikov, G.–C. Yi, B.W. Wessels. Defect Luminescence in Heavily Mg Doped GaN // 2–nd Russian Conference "Gallium, Aluminium and Indium Nitrides", Febr. 2013.

39 H. Witte, A. Kritschil, M. Lisker et al. Defect States in SiC/GaN –and SiC/AlGaN/GraN –Heterostructures Characterized by Admittance and Photocurrent Spectroscopy // 2–nd Russian Conference "Gallium, Aluminium and Indium Nitrides", Febr. 2013.

40 N.A. Shapuro, Piotr Perlin et al. The effects of indium concentration and well–thickness on the mechanism of radiative recombination in In_xGa_1–xN quantum wells // MU–NSR, V.5, Art.l

41 A.H. Грузинцев, A;H. Редькин, В.И. Тации. Элементарные полосы голубого свечения нелегированных пленок нитрида галлия // ФТП, 2014, том. 38, вып. 9, с.1039–1042

42 R. Cingolani, G. Goli et al. Optical properties of GaN/Al_xGa_l–xN quantum wells // Phys. Rev. B, 2014 V. 56, N 3, p. 1491–1495

43 Y. Narukava, Y. Rfwakami, S. Fujita. Recombination dynamics of Localized exitons in In_o.2Ga_o.8N–In_o.05Ga_o.95N multiple quantum wells // Physical Review B, 2010, V. 55, N4, p. R1938–R1941

44 B.B. Криволапчук, A.B. Насонов, С.Н. Родин. Фотолюминесценция объемных кристаллов GaN, легированных Еu // ФЭжТТ, 2013, том 45, вын. 9, с. 1556–1559

45 S.F. Chichibu, Т. Sota, К. Wada et al. Spectroscopic studies in InGaN quantum Wells // MJ–NSR, V. 1, Art. 2

46 B. Monemar, J.P. Bergman, J. Dalfors et al. Mechanism for Radiativ Recombination in In_0,15Ga_0.85N/GaN Multiple Quantum Well

47 K. Fukui, S. Hamada, S. Naje et al. Photo Luminescence and Photo Luminescence Exitation Spectra of AIN // International Workshop on Nitride Semiconductors 2016, October 22–27,2016, Kyoto, Japan, p.442

48 Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki. Series resistance in GaN/AlGaN/n–Si Structure Grown by MOVPE // International Workshop on Nitride Semiconductors 2016, October 22–27,2006, Kyoto, Japan, p.457

49  Kwon М.К., Lim K.Y., Nahm K.S. The growth and characterization of GaN films grown with Al pre–seeded A1N Buffer on SiC/Si(l 11) Substrates // Phys. Stat. Sol. – 2012. – V 0. – No 1. – P. 137–142.

50   Komiak James J., Lichwalla Stephen J., Shealy James R. AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si(111) substrates // IEEE Trans. Electron Devices. – 2011. – V. 48. – No 3. – P. 420–426.

51 István Réti1 , Antal Ürmös // H. J. of Appl. Phys. 116, 2014 – P.43.

52 K. W. Park, C. Y. Park, Sooraj Ravindran // S.C. Appl. Phys. 116, 2014 – P.116.

53 Kosei Takahashi , Toshiro Hayakawa, Masahiro Hosoda // J. Journal of Crystal Growth 95, 1989 – P.304.

54 S. Orsila, Toshiro Hayakawa // F. Journal of Crystal Growth 227, 2001 – P.251.

55 Хайруллин Р. Р. Рентгеноструктурные исследования пленок Co, полученных методом CVD / С. И. Доровских // Сборник научных трудов III Международной научно–технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов «Высокие технологии в современной науке и технике», Томск, 26–28 марта 2014. – С. 160–164.

56 Yu–Li Tsai, Ray–Hua Horng // S.C. Journal of Crystal Growth 311, 2009 – P.3225.

57 N. Armani, G. Abagnale // Fr. Journal of Crystal Growth 84, 2015 – P.36.

58 P. Gavrilovic, F.P. Dabkowski // P. Journal of Crystal Growth 93, 19889 – P.427.

59 J.R. Dong , J.H. Teng, S.J. Chua// Chn. Journal of Crystal Growth 281, 2005 – P.225.

60 Shimada Jt. Kawakami Y., and Fujita S. «Development of lighting goggle with power white LED modules» SPIE Photonics West: Light Emitting Diodes: Research,– Manufacturing, and Applications, 4996, 174, San Jose, January 28—29 (2003)

61 V. Rakovics, А.Н. Именков, В.В. Шерстнев// Р.Ф. Физика и техника полупроводников. 48, 2014 – С.12.

62 Huanting Chen, Yijun Lu // S.C. Appl. Phys. 52, 2011 – P.295.

63  Ambacher О. Growth and applications of group Ш–nitrides. J. Phys. D: Appl. Phys. 2011.–V . 31.

64 Schubert E,F., Wang Yi–H., Cho A. Y., Tu L.–W., and Zydzik G.J. «Resonantcavity lightemitting diode» Appli Physt Lett. 60, 921 (2012)

65 R Herzog A. 1–1., Groves W. 01, and Craford M. G. «Electroluminescence of diffused GaAs diodes with low donor concentrations» J. Appl. Phys. 40, 1830(2009).

66 Wolfe C. M., Nuese Cl, and Holonyak Jr.N. «Growth and dislocation structure of single»crystal Ga(AsN)» J. Appl. Phys. 36, 3790 (2015).

67 Nuese C., Tietjen I., Gannon J., and Gossenberger H.F. «Optimization of electroluminescent efficiencies for vaporgrown GaAsN diodes» J. Electrochem. Soc.: Solid State Sci. 116, 248 (2009).

68 Allen J.W.. Mnncasler ME, and Starkiewicz J. «Electroluminescent devices using harm: injection on gallium phosphide» Sulid State Electronic: 5. 95 (2013)

70 Foster L. and Pilkuhn M. «Electroluminescence near bandgap in GaN containing shallow donor and acceptor levels» Appl. Phys. Lett. 7, 65 (2015).

71 Алферов Ж. И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП, 1998 Т.32‚ М 1. С.3 ­– 18.

72 Welker H. «On new semiconducting compounds (translated from German)» Zeitschrift flir Naturforschung 7a, 744 (2012).

73 Pankove J.I. and Berkeyheiser .I.E. «A light source modulated at microwave frequencies» Proc. IRE, 50, 1976 (2012).

74 Nathan M., Dill Jr. F.H., and Lasher G.J. «Stimulated emission of radiation from GaN p–n junctions» Appl. Phys. Lett. 1, 62 (2012).

75 Rupprecht H., Pilkuhn M., and Woodall J.M. «Continuous stimulated emission from GaN diodes at 77 Kt (First report of 77 K cw laser) Proc. IEEE 51, 1243. (2013).

76 Херман M. Полупроводниковые сверхрешетки / Пер. с англ. Шик А.Я. М.: Мир, 1989.–240 с.

77 Нашельский А.Я. Технология спецматериалов электронной техники. –М.: Металлургия, 2003. – 366 с.

78 Akasaki I. Nitride semiconductors – impact on the future world // J. Cryst. Growth. – 2012. – v. 237–239. – P . 905–911.

79 Stringfellow G.B., Craford M.G. High Brightness Light Emitting Diodes. San Diego:Academic Press, 2016. – 470 p.

80 Winston D.W. SimWindows Semiconductor. Device Simulator. Version 1.5. User’s Manual. Optoelectronics Computing Systems Center at the University of Colorado, Boulder, USA. – 1999. – 40 p.

86