2.2 Результаты компьютерного моделирования и их обсуждение

Анализируя результаты моделирования многокомпонентных наногетероструктур светоизлучающих диодов синего и зеленого цветов свечения в среде Sim Windows было выяснено, что:

– во всех приборах проявлялась очень слабая зависимость вольт – амперных харатеристик, а так же внешнего квантового выхода от типа легирования, в соответствии с рисунком 22;

– оптимальным является n – тип легирования, так как при этом типе легирования достигается меньшее напряжение при одной и той же плотности тока, чем в других типах легирования;

– вольт – амперные характеристики смещены в области меньших напряжений при n – типе, в соответствии с рисунком 22.

Зависимости ВнКВ СИД синего цветов свечения от размеров и количества КЯ и их типа проводимости при значениях плотности тока 100 А/см² и 1000 А/см² приведены ниже.

Рисунок 22 – Внутренний квантовый выход с длиной квантово–размерных ям 2 нм и длиной барьера 3 нм при j = 100 А/см²

Рисунок 23 – Внутренний квантовый выход с длиной квантово–размерных ям 3,5 нм и

длиной барьера 4,5 нм при j = 100 А/см²

Рисунок 24 – Внутренний квантовый выход с длиной квантово–размерных ям 2 нм и длиной барьера 3 нм при j = 1000 А/см²

Рисунок 25 – Внутренний квантовый выход с длиной квантово–размерных ям 3,5 нм и

длиной барьера 4,5 нм при j = 1000 А/см²

Анализируя результаты моделирования (рис. 22–25) СИД синего свечения, можно сделать следующие выводы: 1) во всех приборах проявлялась сравнительно слабая зависимость ВнКВ от легирования и типа проводимости квантово–размерной активной области СИД. Представленные результаты позволяют объяснить тот факт, что у СИД наибольшей яркостью, произведенных ведущими мировыми компаниями, обнаруживаются сходные рабочие характеристики независимо от различной технологии получения эпитаксиальных структур; 2) в приборах с длиной КЯ 2 и 3.5нм нм при плотности тока j = 100 A/см² ВнКВ уменьшался с увеличением количества КЯ. Максимальный ВнКВ η был порядка 47–49 % и 60–65% соответственно, а в приборе с пятью КЯ η уже составлял 33–34 % ; 3) при плотности тока j = 1000 A/см² у всех приборов наблюдалось увеличение ВнКВ на 20–25 % по сравнению с этим параметром при плотности тока j = 100 A/см². Очевидно, существует суперлинейная зависимость мощности излучения от плотности тока в диапазоне 100–1000 А/см², при условии неизменности температуры квантово–размерной активной области СИД.

3 Безопасность жизнедеятельности и охрана окружающей природной среды

Целью данного раздела является проведение анализа операций, производимых при выполнении дипломной работы, для выявления опасных и вредных производственных факторов (ОВПФ), действующих на организм исследователя.

3.1 Идентификация опасных и вредных производственных факторов

При выполнении дипломной работы были выявлены опасные и вредные про­изводственные факторы согласно ГОСТ 12.0.003–74 . Они приведены в таблице 2.

Таблица 2 – Идентификация опасных и вредных факторов

Операция технологического процесса	Применяемое оборудование	Опасные и вредные факторы		Нормируемые значения параметра
		Классификация	Перечень
1	2	3	4	5
1.Установка и подключение ПК	Системный блок, фильтр, дисплей, кла­виатура, мышь	Физический(для всего перечня)	1. Повышенный уровень напряжения в электрической цепи, замыкание которой может произойти через тело человека 2.Повышенный уровень электромагни­тных излучений Е=12В/м	Ток переменный частотой 50 гц Допустимые напряжения и токи U=2В,I=0,3 мА E = 2,5 В/м H = 25 нТл При f = 2–400 кГц

Продолжение таблицы 2

1	2	3	4	5
2. Работа за ПЭВМ	Системный блок, фильтр, дисплей, кла­виатура, мышь		3.Повышенная или пониженная влажность воздуха ф=65 % 4. Повышенная или пониженная температура воздуха 5. Недостаточная освещенность рабочей зоны Е =200 лк.	Категория работ по тяжести – Iб Оптимальная влажность 40–60 % Допустимая –меньше 75 % в холодный период года, меньше 55 % в теплый период года. Категория работ по тяжести – IIa. Допустимое значение Холодный период 25 – 210С Теплый период 28 – 22 0С Разряд зрительных работ – Б1. Ен = 300 лк СанПиН 2.2.2/2.4.1340–03