- •1. Вах полупроводникового диода. Электронные процессы в p-n переходе.
- •2. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметра. Статический вах транзистора с об и оэ.
- •3. Принцип действия полевого транзистора. Вах полевого транзистора с указанием
- •4. Статические режимы работы каскадов a,b,c,d. Усилительные каскады с об, оэ, ок.
- •5. Фчх, aчх, передаточная и амплитудная характенристики усилителей.
- •7. Генраторы син-х колебаний
- •Стабилизация амплитуды колебаний
- •8.Усилители мощности синусоидальных сигналов.
- •9. Статические режимы работы транзисторного ключа
- •3. Включение транзисторного ключа
- •4. Выключение транзисторного ключа
- •10. Тип сх на операц усилителях
- •11. Релаксационные генераторы
- •12. Силовые ключи
- •13. Аналоговые и ключевые стабилизаторы напряжения.
4. Выключение транзисторного ключа
К
огда
в момент времениt3
происходит переключение входного
напряжения с Uб+
на Uб-
(см. рис. 7.3), начинается процесс выключения
транзисторного ключа. При переключении
входного напряжения ток базы меняет
направление и становится равным
![]()
Стадия рассасывания. В результате изменения направления базового тока начинается процесс рассасывания неосновных носителей. Несмотря на уменьшение заряда, транзистор некоторое время находится в режиме насыщения и коллекторный ток остается равным Iк нас В момент времени t4 (см. рис. 7.5) концентрация неосновных носителей около коллекторного перехода уменьшается до нуля и на коллекторном переходе восстанавливается обратное напряжение.
Таким образом, интервал времени tрас = t4 – t3 определяет задержку среза импульса коллекторного тока. Время tрас, которое называется временем рассасывания, можно определить из уравнения (7.6), положив
![]()
![]()
Переходя от изображения к оригиналу, получим
![]()
Этап рассасывания заканчивается, когда транзистор входит в активный режим, и если положить, что в момент времени t4 объемный заряд q(t4) = tнас Iк нас /h21э , то получим
(7.12)
Иногда зарядом q(t4 ) пренебрегают, и формула для расчета времени рассасывания принимает вид
![]()
Стадия формирования спада. В дальнейшем начинается уменьшение базового и коллекторного токов, что сопровождается увеличением напряжения uкэ и формируется спад вершины импульса коллекторного тока. Процессы, протекающие в транзисторном ключе в этой стадии, довольно сложны, и количественная оценка длительности спада зависит от того, какие факторы превалируют. Принимая во внимание, что в момент окончания стадии спада q(t5) = 0, получаем
(7.13)
Данная формула
получена при довольно грубом приближении,
поскольку в действительности ток базы
не остается постоянным и нельзя
пренебрегать токами зарядки и емкости
нагрузки транзисторного ключа. Когда
определяющим является процесс зарядки
этих емкостей, то длительность спада
рассчитывается по формуле ![]()
10. Тип сх на операц усилителях
Термин ОУ появился с разработкой УПТ, котор имели 2 входа и один выход. Эти усилители испоьзовались для выполнения различных операций над аналог-ми сигнаами: алгебр сложение, вычитание, умножение на постоян коэф-т, умножение и деление 2-х аналог сигналов, операции интегрир-я, дефер-я, сравнения. С появлением интегральных ОУ открылись большие возм-ти обр-ки информ-ии. Типовые схемы: инвертирующий усилитель, неинвертир-й усилитель, инвертир-й сумматор, интегратор, дифференцатор, логич-й усилительный каскад, перемножитель.
Инвертир ус-ль: входной сигнал подается на инвертир-й вход через R1, в эту же точку инв входа поступает сигнал ООС. При этом γ=R1/R2. Для идеального ОУ: Ку->∞, Rвх->∞, Rвых->0, Kинв= -R2/R1.
Неинвертир усилит-ль: сигнал подается на прямой вход. Действует ООС по напряжению. Кнеинв=1+(R1/R2)
Инвертир сумматор: в основе инвертирующий усилитель с числом параллельных ветвей на входе равный кол-ву суммируемых напряжений. В идеальн ОУ: Ioc=I1+I2. При этом Uo=0;
Iвх=0; Ку=-1. Если R1=R2=Rос, то Uвых= -(Uвх1+Uвх2), если не равны, то
Uвых=-![]()
