- •1. Вах полупроводникового диода. Электронные процессы в p-n переходе.
- •2. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметра. Статический вах транзистора с об и оэ.
- •3. Принцип действия полевого транзистора. Вах полевого транзистора
- •4. Статические режимы работы каскадов a,b,c,d. Усилительные каскады с об, оэ, ок.
- •5. Фчх, aчх, передаточная и амплитудная характенристики усилителей.
- •7. Генераторы син-х колебаний
- •9. Электронные ключи
- •1.1.Статические состояния ключа "оэ".
- •1.1.1.Режим отсечки
- •1.1.2. Нормальный активный режим
- •1.1.3. Режим насыщения
- •10. Типовые схемы на операционных усилителях
- •11. Релаксационные генераторы
- •12. Силовые ключи
- •13. Аналоговые и ключевые стабилизаторы напряжения.
- •Параметрический стабилизатор напряжения
- •Компенсационный стабилизатор напряжения
- •Импульсный стабилизатор
9. Электронные ключи
Ключ – устройство для коммутации цепей.
Ключевым режимом называется такой режим, при котором транзистор большую часть рабочего времени находится в двух состояниях:
- открытом состоянии (ключ замкнут и его сопротивление значительно меньше сопротивления нагрузки);
- закрытом состоянии (ключ разомкнут и его сопротивление значительно больше сопротивления нагрузки).
При переходе из замкнутого в разомкнутое состояние внутреннее сопротивление ключа меняется в пределах нескольких порядков.
Ключевом режим работы транзисторов является основным в подавляющем большинстве импульсных и цифровых устройств автоматики, телемеханики и вычислительной техники.
По способу включения транзистора различают три варианта транзисторных ключей: ключ с общей базой (ОБ); ключ с общий эмиттером (ОЭ) и ключ с общим коллектором (ОК).
Н
аибольшее
распространение получили ключи с общим
эмиттером (рис.1), поскольку они имеют
наибольшее отношение выходной мощности
к мощности сигнала управления.
Ключи с общей базой (рис.2) позволяют наилучшим образом реализовать частотные свойства биполярных транзисторов, однако они обладают наименьшим входным сопротивлением, что во многих случаях затрудняет их использование.
К
лючи
с общим коллектором (рис.3) обладают
наибольшим входным и одновременно
наименьшим выходным сопротивлением.
Это является существенным достоинством
ключей ОК, однако их коэффициент усиления
по напряжению меньше единицы.
1.1.Статические состояния ключа "оэ".
Рассмотрим работу транзистора в ключе "ОЭ" в установившемся режиме. Поведение транзистора наглядно отображается выходными и входными статическими характеристиками на рис.4 и рис.5.
Н
а
рис.4 показана линия нагрузки и
обозначены три основные области, в
которых может локализоваться рабочая
точка.
1.1.1.Режим отсечки
Р
абочая
точка "О" соответствует закрытому
состояние ключа. Она характеризует
режим отсечки. В этом случае оба перехода
транзистора смещены в обратном:
направлении. На транзисторе падает
напряжениеUко,
близкое к напряжению Е к
:
.
Чем больше тепловой ток и величина сопротивления в цепи коллектора, тем более существенно отличается Uко от Ек.
В режиме отсечки в цепи базы и эмиттера транзистора текут токи:
![]()
П
оэтому
надежное запирание транзистора (на
схеме рис.1) будет обеспечено при
отрицательном входном напряженииUвх
=-Еб2
(рис.5):
-![]()
где т =0,025Т/293 [В] - температурный потенциал;
[Т]- температура окружающей среды, [К].
Наиболее сильно температура окружающей среды влияет на величину тока Iк0.
Ввиду этого, надежное запирание германиевых транзисторов в ключах, работающих в широком интервале температуры окружающей среды, будет обеспечено только при наличии напряжения смещения величиной:
Еб2 ≥ Iк0 max Rб.
При применении в ключах кремниевых транзисторов режим отсечки надежно обеспечивается при нулевом входном сигнале, т.е. при отсутствии специального источника смещения.
Это видно из входной характеристики кремниевого n-p-n транзистора на рис. 6. Характеристика имеет так называемую "пятку", т.е. смещена вправо на 0,4…0,7 В. При комнатной температуре напряжение открытого перехода маломощных транзисторных ключей Uбэ = Uбэ0 ≈ 0,7 В и сравнительно мало зависит
м Uбэ0 Рис.6
,
