- •Самостоятельные работы по предмету «Электронные приборы»
- •Энергетическая диаграмма p-n перехода в равновесном состоянии.
- •Прямое включение.
- •Вах позистора.
- •Вах стабилитрона.
- •Параметры стабилитрона:
- •Самостоятельная работа №13
- •Самостоятельная работа №14
- •Самостоятельная работа №15
- •Самостоятельная работа №19
- •Самостоятельная работа №20
Самостоятельная работа №13
Основные материалы для изготовления резисторов пленочных ИМС.
Схемное назначение некоторых резисторов требует высокой точности их изготовления, превосходящей технологические возможности современного оборудования для напыления микросхем. В таких случаях при конструировании микросхем применяют специальные пленочные резисторы, сопротивление которых можно изменять после изготовления.
Применяют плавную и ступенчатую подгонку сопротивления резисторов. Плавная подгонка обеспечивает точность до сотых долей процента, ступенчатая – до единиц процентов.
Плавную подгонку сопротивления тонкопленочных резисторов осуществляют, изменяя или удельное поверхностное сопротивление, или форму резистивной пленки. Удельное поверхностное сопротивление изменяют путем термического, химического или механического воздействия на материал пленки. Форму резистивной пленки корректируют путем удаления части резистивного материала.
Ступенчатая подгонка сопротивления осуществляется удалением металлических перемычек в подгоночных секциях.
Наиболее распространен способ плавной подгонки, связанный с изменением геометрии резистора лазерным лучом. В процессе подгонки часть пленки удаляется и сопротивление увеличивается. При лазерной подгонке сначала производят грубую подгонку выжиганием пленки поперек, затем точную – вдоль резистора; выжигание резистивной пленки под углом позволяет совместить грубую и точную подгонку.
П
лёночные
резисторы, которые выполняют нанесением
на подложку паст, содержащих никель,
керметы, тантал, хром и т.д. со связующим
веществом, имеют прямоугольную
конфигурацию. С целью повышения
сопротивления резистора его выполняют
в виде соединённых друг с другом
многочисленных элементарных одинаковых
участков Г-образной или П-образной
конфигурации, которые повторяют до тех
пор, пока не будет получено необходимое
сопротивление.
Обычно сопротивление такого плёночного резистора может составлять от 0,05 кОм до 50 кОм, а получить много большее или много меньшее сопротивление затруднительно.
Самостоятельная работа №14
Основные материалы для изготовления конденсаторных пленочных ИМС.
Плёночные конденсаторы имеют многослойную структуру Такие конденсаторы относятся к числу наиболее распространенных элементов ГИС. Конструктивно эти конденсаторы представляют собой трехслойную структуру металл – диэлектрик – металл (МДМ), образованы двумя электропроводящими плёнками, между которыми выполняют слой диэлектрической плёнки. Обкладки плёночных конденсаторов изготовляют из электропроводящих плёнок, содержащих алюминий, тантал, серебро, медь и подобные материалы. Диэлектрическую плёнку обычно получают из различных оксидов: окиси тантала, трёхсернистой сурьмы, двуокиси кремния, моноокиси германия и пр. Ёмкость плёночных конденсаторов обычно составляет от 10 пФ до 20 нФ.
К конструкции конденсаторов предъявляются следующие конструктивно-технологические требования: минимальные габариты; воспроизводимость характеристик в процессе производства; совместимость технических процессов изготовления конденсаторов с технологическими процессами изготовления других элементов ГИС.
Характеристики конденсаторов определяются свойствами применяемых материалов. К диэлектрику конденсаторов предъявляются следующие требования: высокие – диэлектрическая проницаемость, электрическая прочность и сопротивление изоляции; малые – температурный коэффициент диэлектрической проницаемости и диэлектрические потери, хорошая адгезия, совместимость с технологическими процессами изготовления других элементов микросхем.
Диэлектрик конденсатора формируется методами термического напыления, ионно-плазменного и реактивного распыления.
Для изготовления диэлектрических тонких пленок применяют монооксиды кремния SiO и германия GeO, оксиды алюминия Al2O3, тантала Ta2O5, титана TiO2 и редкоземельных металлов. Высокие удельные емкости имеют титанаты бария и кальция. При изготовлении диэлектрических слоев толстопленочных конденсаторов используют пасты, которые содержат титанат бария или диоксид титана, имеющие высокую диэлектрическую проницаемость.
Материал обкладок конденсатора должен удовлетворять следующим требованиям: иметь низкое электрическое сопротивление обкладок, хорошую адгезию, обладать низкой миграционной подвижностью атомов, высокой коррозионной стойкостью.
