Вакуумна та плазмова електроніка
Фотоелектронна
Закон збереженняемісіяенергії при фотоефекті Эйнштейна
Wк Е0
=Ne/Nф - квантовий вихід фотоефекту Ne - кількість емітованих електронів Nф – кількість фотонів опромінювання
|
|
Nф Ф |
h |
Ф – світловий потік |
|||||
|
|
Iф |
|
|
|
|
|
||
k |
|
|
еN |
e |
|
е |
Y.– спектральна фоточутливість |
||
|
|
|
|
|
|||||
|
|
Ф |
|
h Nф |
|
h |
матеріалу фотокатоду |
||
|
|
|
|
||||||
Вакуумна та плазмова електроніка
Збудження й іонізація атомів газу
Вакуумна та плазмова електроніка
1 |
2 P1 |
P2 |
n |
e |
|
ra |
|
|
|||||||
|
|
||||||
n |
|
||||||
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
0 |
|
|
|
Q(4
2 A ) 1 (4
2) 1 nA
U збудж Wm Wn 
e
Ui Wi 
e
Вакуумна та плазмова електроніка
Катоди
P T 4
|
|
|
AT |
2 |
|
|
b0 |
|
|
|
|
|
|
Ie |
|
|
exp |
T |
|
|
b0 |
|
|||
H |
|
|
|
|
|
|
const T 2 exp |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
P |
|
|
|
T 4 |
|
|
|
|
T |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Вакуумна та плазмова електроніка
Вольфрамові катоди |
Тр = 2400 – 2800 К |
|
Н= 2-10 мА/Вт |
|
t=2000-3000 год. |
|
je= 0.5 А/см2 |
Рис. Конструкція вольфрамових катодів прямого накалу: а) для ціліндрованих систем електродів; б) для плоских систем електродів
Вакуумна та плазмова електроніка
Плівкові торьовані та карбідовані катоди |
Тр = 1950 – 2300 К |
|
Н= 50-70 мА/Вт |
||
|
||
|
t=2000-3000 год. |
|
|
j = 1-2 А/см2 |
|
|
e |
Рис. Конструкції а) торьованого та б) карбідованого катодів
Вакуумна та плазмова електроніка
Баріево-вольфрамові (металокапілярні ) катоди L- катод
Тр = 1200 – 1600 К Н= 100-1000 мА/Вт
T=5000 год. je= 2 А/см2
Рис. Конструкції баріево-вольфрамових катодів: 1- молебденовий стакан; 2 –підігрівач; 3- пористий вольфрам; 4- активне дно або пігулка з оксиду барію та стронцію
Вакуумна та плазмова електроніка
Оксидовані катоди |
Тр = 900 – 1100 К |
|
Н= 100 мА/Вт |
||
|
||
|
T=500-10000 год. |
|
|
j = 1 (до 15-20) А/см2 |
|
|
e |
Рис. Структура оксидованого катода: а) після нанесення карбонатного покриття; б) після розкладення карбонатного покриття; в) після активування катоду; 1- керн; 2 – карбонатне покриття; 3- окісли лужноземельних
металів; 4- запираючий шар; 5- атоми вільного барія
Вакуумна та плазмова електроніка
Оксидно- торійовані катоди |
Тр = 1600 – 1800 К |
|
Н= 100 мА/Вт |
||
|
||
|
T=500-100000 год. |
|
|
j = 1 (до 15-20) А/см2 |
|
|
e |
Рис. Конструкція оксидно-торійованого катода: а) катод непрямого електронагрівання; б) катод прямого електронагрівання
Вакуумна та плазмова електроніка
Рис. - Пристрій трубчастого (а) і пластинчастого (б) катодів