- •Вакуумні фотоелектронні прилади
- •Вакуумні фотоелектронні прилади
- •Вакуумні фотоелектронні прилади
- •Сцинтилятори - речовини, що мають здатність випромінювати світло
- •У якості сцинтиляторів (фосфорів) використовуються:
- •Фотокатод
- •Фотокатод
- •Основні параметри фотокатодів:
- •Фотокатод
- •Фотокатод
- •Фотокатод
- •Фотокатод
- •Фотокатод
- •Фотокатод
- •Фотокатод
- •Фотокатод
- •Фотокатод
- •Фотокатод
- •Фотокатод
- •Фотокатоди (ФКГС1) і фотокатоди з чутливістю подовженою у короткохвильову частину спектру (ФКГС2).
- •Рис. 3 Принципова схема включення фотоелемента
- •Основними характеристиками фотоелемента, необхідними для вибору його робочого режиму є:
- •Рис. 5. Пристрій електровакуумного фотоелементу
- •ФОТОЕЛЕКТРОННІ ПОМНОЖУВАЧІ
- •Основні вимоги до динодів ФЕП:
- •фотокатод
- •Рис. 9 Конструкції ФЕП наскрізної дії.
- •Рис. 10 Конструкція МКП, типова мікроканальна пластина, виготовлена з нержавіючої сталі.
- •Рис. 11 – Схема ФЕП на МКП з алюмінієвою плівкою
- •Рис. 14 Схема простого ЕОПа: 1- оптичне зображення, 2- електронне зображення, 3- електро-оптична
- •Параметри електронно-оптичних перетворювачів та посилювачів яскравості оптичних зображень
- •6.Зонна характеристика – залежність чутливості фотокатода від координати точки опромінення, що обумовлюється нерівномірністю
- •Класифікація по способу переносу електронного зображення з фотокатода на екран ЕОПа :
- •Методи посилення яскравості зображення:
Фотокатоди (ФКГС1) і фотокатоди з чутливістю подовженою у короткохвильову частину спектру (ФКГС2).
Рис. 3 Принципова схема включення фотоелемента
Рис.4 Основні характеристики фотоелемента: а) вольт-амперна характеристика; б) світлова характеристика; в) вольт-амперна характеристика іонного фотоелемента
Основними характеристиками фотоелемента, необхідними для вибору його робочого режиму є:
1)вольт-амперні характеристики, що показують залежність струму фотоелемента від величини анодної напруги при постійному світловому потоці, тобто криві Iа = f(Ua), при різних = const ;
2)світлові характеристики, що показують залежність струму фотоелемента від величини світлового потоку при постійній анодній напрузі, інакше, криві Ia = f( ), при різних Ua = const;
3)крутість світлової характеристики =dia/d мкА/лм - характеризує роботу фотоелемента при змінному світловому потоці.
Рис. 5. Пристрій електровакуумного фотоелементу
ФОТОЕЛЕКТРОННІ ПОМНОЖУВАЧІ
|
ia |
|
n |
анодна чутливість ФЕП |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Керування електронами здійснюється за допомогою:
•електростатичних полів;
•електростатичних і магнітних полів;
•високочастотних електричних і магнітних полів. Конструкційна класифікація динодних систем :
а) системи на дискретних динодах; б) системи на розподілених динодах;
в) системи з напівпровідниковими елементами, що помножують струм.
Основні вимоги до динодів ФЕП:
•коефіцієнт вторинної емісії динода повинен бути більшим при порівняно малих енергіях первинних електронів (60-100 еВ);
•коефіцієнт вторинної емісії повинен бути стабільним у робочому режимі;
•динод не повинен мати фотоелектронну і термоелектронну емісії, що створюють додатковий шум;
•виготовлення динодів повинне бути простим і не виявляти шкідливого впливу на параметри фотокатода;
•емітери повинні мати достатню провідність.
ФK А
Д
Ra |
Рис. 6 Схема найпростішого монокаскадного ФЕП
+100В |
+300В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Д1 |
|
Д3 |
|
|
Дn |
|
|
|
|
|
A |
|||||
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ФК Д2 Д4 +200В
Рис.7 Принципова схема багатокаскадного ФЕП
фотокатод
диноди
анод
а) |
б) |
Рис.8 Конструкція багатокаскадного ФЕП з фокусуючими динодами
