- •1 Основные понятия радиосвязи
- •1.1 Основы построения устройств радиосвязи
- •1.2 Основные понятия. Общие принципы организации радиосвязи
- •1.3 Диапазоны радиоволн и области их применения
- •1.4 Виды радиосвязи на железнодорожном транспорте
- •2 Колебательные системы
- •2.1 Резонанс
- •2.2 Последовательный колебательный контур
- •2.3 Параллельный колебательный контур
- •2.4 Собственное и вносимое затухания
- •2.5 Полоса пропускания контура
- •2.6 Связанные контуры
- •2.7 Использование резонанса в радиотехнике
- •3 Радиопередающие устройства
- •3.1 Основные функциональные узлы и технические характеристики радиопередающих устройств (рпду)
- •3.2 Основные этапы развития радиопередающих устройств
- •3.3 Классификация рпду
- •Распределение радиоспектра должен исходить на основании закона рк о Связи и данный ресурс используется на основании «Таблицы распределения полос радиочастот между службами радиосвязи».
- •Эффективное использование радиоспектра предполагает постоянное уточнение и разработка обоснованных норм качества совместной работы действующих и вновь организуемых радиослужб.
- •Повышение эффективности использования радиоспектра включает в себя методы на основе совершенствования технической базы радиосистем и на основе применения экономических методов управления.
- •3.4 Основные технические требования, предъявляемые к радиопередающим устройствам
- •3.5 Структурные схемы радиопередающих устройств
- •4 Автогенераторы
- •5 Генератор с внешним возбуждением (гвв)
- •5.1 Назначение и принцип действия гвв
- •5.2 Схема гвв, работающего на избирательную нагрузку
- •5.3 Идеализация статических характеристик электронных приборов
- •5.4 Методы расчета режимов гвв
- •5.5 Динамические характеристики выходного тока эп в гвв
- •5.7 Гармонический анализ анодного тока. Коэффициенты Берга
- •5.8 Параметры граничного режима
- •6 Амплитудная модуляция
- •6.1 Получение модулированных радиосигналов
- •6.2 Детектирование ам–колебаний
- •7 Угловая модуляция
- •7.1 Частотная и фазовая модуляция аналоговых сообщений
- •8 Радиоприемные устройства
- •8.1 Структура и общие характеристики рпу
- •Радиосвязи и вещания;
- •Телевизионные системы;
- •8.2 Обобщенная структурная схема рпу
- •Приемник прямого усиления не может обеспечить высокой чувствительности и хорошей избирательности, особенно в диапазонах кв и укв.
- •8.3 Основные характеристики рпу
- •Диапазон рабочих частот – область частот, в пределах которой рпу может плавно или скачком перестраиваться с одной частоты на другую без существенного изменения качества воспроизведения сигнала.
- •Ширина рабочего диапазона может оцениваться крайними частотами fмин и fмакс и коэффициентом перекрытия диапазона:
- •9 Входные цепи
- •9.1 Назначение и структурная схема входной цепи
- •9.2 Качественные показатели входных цепей
- •9.3 Антенна как источник сигнала
- •9.4 Схемы входных цепей
- •10 Высокочастотные усилители радиочастоты
- •10.1 Назначение и основные характеристики усилителя радиочастоты
- •10.2 Схемы усилителя радиочастоты
- •10.3 Обратные связи в усилителях радиочастоты
- •10.4 Устойчивость работы усилителя радиочастоты
- •10.5 Искажения в усилителях радиочастоты
- •11 Преобразователи частоты
- •11.1 Назначение, структурная схема и принцип работы преобразователей частоты
- •11.2 Общая теория преобразования частоты
- •11.3 Частотная характеристика преобразователя
- •11.4 Диодные преобразователи частоты
- •Результирующий коэффициент шума
- •12 Амплитудное детектирование
- •12.1 Параметрические (синхронные) ад
- •12.2 Диодные ад
- •13 Частотное детектирование
- •13.1 Принцип действия и структурные схемы частотных детекторов
- •13.2 Виды частотных детекторов
- •13.2.1 Чд с преобразованием отклонения частоты в изменение амплитуды
- •13.2.2 Чд с преобразованием отклонения частоты в изменение фазового сдвига
- •13.2.3 Чд с преобразованием чм-колебания в импульсное напряжение с переменной скважностью
- •14 Автоматическая регулировка усиления
- •14.1 Назначение и виды регулировок
- •14.2 Регулировка усиления
- •14.3 Принцип действия и виды ару
- •15 Автоматическая подстройка частоты
- •Список рекомендуемой литературы
- •Темы и содержание лабораторных работ
- •Порядок выполнения лабораторной работы
- •1. Снятие вольтамперной характеристики полевого транзистора
- •2. Определение параметров колебательного контура.
- •3. Исследование колебательных характеристик
- •«Исследование генератора с внешним возбуждением на биполярном транзисторе»
- •Переходная характеристика
- •2. Исследование гвв в динамическом режиме
- •2.1. Исследование зависимости режима работы от амплитуды сигнала возбуждения
- •2.2. Исследование зависимости режима работы от напряжения смещения
- •2.3. Снятие нагрузочной характеристики
- •Лабораторная работа №3
- •«Исследование преобразователя частоты»
- •Цель работы
- •Исследовать основные свойства преобразователя частоты.
- •Описание лабораторного макета
- •Порядок выполнения работы
- •1. Исследование параметров измерительного тракта
- •2. Исследование зависимости малосигнальных параметров преобразователя частоты от режима работы преобразующего элемента
- •3. Исследование дополнительных каналов приема и интерференционных свистов в преобразователе частоты
- •Исследование эффекта блокирования
- •Исследование эффекта интермодуляции
- •Лабораторная работа №4 Исследование системы ару приемника Цель работы
- •Описание лабораторного макета
- •Порядок выполнения работы
- •Международный университет информационных технологий
- •Методические рекомендации по организации срс
- •Программное и мультимедийное сопровождение учебных занятий
- •1 Программное обеспечение (по)
- •2 Технические средства обучения (тсо)
- •5В071900- Радиотехника, электроника и телекоммуникации
- •Примерные тестовые задания для рубежного контроля
14 Автоматическая регулировка усиления
14.1 Назначение и виды регулировок
В процессе изготовления и эксплуатации радиоприемника для получения наилучшего качества приема приходится регулировать ряд его показателей: частоту настройки, коэффициент усиления, полосу пропускания и др. Для осуществления этих регулировок в РПУ используют регуляторы. В зависимости от вида регулируемого параметра различают: регулировку усиления, которая может осуществляться в трактах радиочастоты и промежуточной частоты, а также в последетекторной части приемника; регулировку частоты настройки, обеспечивающую прием сигналов в широком диапазоне частот; регулировку полосы пропускания, которая может производиться в трактах радиочастоты и промежуточной частоты, а также в последетекторной части приемника. Возможны регулировки и других параметров приемника.
Регулировка бывает ручной и автоматической. Ручная регулировка служит для установки исходных показателей РПУ. Автоматическая регулировка поддерживает выбранные показатели РПУ на требуемом уровне. Некоторые виды регулировок можно отнести к смешанным. В современных РПУ для регулировок, управления и контроля широко используют микропроцессоры. В некоторых приемниках предусматривается дистанционное управление.
14.2 Регулировка усиления
Способы регулировки усиления резонансного усилителя. Резонансный коэффициент усиления усилителя
K0=mlm2SRэкв, (14.1)
где т1, т2 — коэффициенты включения; Rэкв — эквивалентное сопротивление контура при резонансе с учетом шунтирующего действия выхода транзистора и входа последующего каскада; S — крутизна транзистора в рабочей точке). Регулировка К0 может осуществляться изменением любой величины, входящей в формулу.
При синтезе устройств регулировки требуются существенное изменение К0 от напряжения регулировки Ерег, малый ток регулировки, малая зависимость изменения других параметров усилителя при изменении К0. Рассматриваемые способы изменения усиления применимы как для ручных, так и для автоматических регулировок.
Регулировка изменением крутизны S. Такая регулировка осуществляется изменением режима электронного прибора (соответственно регулировка К0 называется режимной). Для изменения крутизны S необходимо менять напряжение смещения на управляющем электроде электронного прибора: напряжение UБЭ0 в биполярном или напряжение UЗИ0 в полевом транзисторах. Изменение напряжения UБЭ0 на транзисторе вызывает существенное изменение крутизны S в рабочей точке; при изменении напряжения смещения в полевом транзисторе изменяется практически только крутизна S, а в биполярном — еще и такие его параметры, как gвх, gвых и т. д.
Регулирующее напряжение Ерег подается в цепь эмиттера либо в цепь базы транзистора. Схема регулировки первого вида показана на рисунке 1, а, напряжение смещения на транзисторе UБЭ0 = U0 – Ерег. По мере увеличения Ерег напряжение UБЭ0 уменьшается, что влечет за собой уменьшение тока IК0 и крутизны S, в результате чего коэффициент усиления К0 снижается. Цепь регулировки должна обеспечить ток, примерно равный IЭ0.Если регулируется п каскадов, то ток регулировки Iрег=пIЭ0, поэтому цепь регулировки должна вырабатывать сравнительно большой ток Iрег, что является недостатком схемы рисунок 14.1, а. Этим недостатком не обладают цепи регулировки второго типа, в которых напряжение Ерег вводится в цепь базы (рисунок 14.1, б): UБЭ0=U0 —Ерег, поэтому принцип регулировки в обоих случаях одинаков. Достоинство регулировки по схеме рисунок 14.1, б состоит в том, что ток Iрег, равный току делителя Iдл = (5–10) IБ0, во много раз меньше тока Iрег при регулировке по схеме рисунок 1а. Однако схема рисунок 14.1, б менее стабильна в работе, поскольку в ней отсутствует резистор в цепи эмиттера RЭ. Включение резистора RЭ приводит к уменьшению эффективности регулировки, так как он обеспечивает стабилизацию режима не только при изменении температуры, но и при изменении Ерег. При включении резистора RЭ, для обеспечения той же глубины регулировки необходимо подавать большее значение напряжения Ерег.
Рисунок 14.1 Регулировка изменением крутизны S
Регулировка изменением Rэкв. Такая регулировка может осуществляться различными способами. На рисунок 14.2 показана схема регулировки с подключенным параллельно контуру диодом VD. При Ерег> Uк диод закрыт и контур практически не шунтирует; при этом Rэкв и К0 наибольшие. При Ерег< Uк , диод открывается и его входное сопротивление шунтирует контур. В этом случае Rэкв, а следовательно, и K0 уменьшаются. Основной недостаток такого способа регулировки состоит в том, что при изменении Rэкв изменяется не только К0, но и эквивалентное затухание контура, а это вызывает изменение полосы пропускания усилителя. Тем не менее при сильном сигнале допустимо некоторое ухудшение селективности.
Рисунок 14.2 Регулировка изменением Rэкв
Регулировка изменением т1 и т2. Данный способ регулировки поясняется схемой рисунок 14.3. Напряжение с контура подается на делитель Z1Z2, изменяя одно из сопротивлений которого можно менять коэффициент включения т2. Аналогична схема для изменения т1. В качестве Z1 и Z2 можно использовать катушки с переменной индуктивностью либо конденсаторы с переменной емкостью. Однако этот способ регулировки не используется, так как связан с трудно предотвратимой расстройкой контура, возникающей при изменении Z1 и Z2.
Рисунок
14.3 Регулировка изменением т1
и т2
Аттенюаторная регулировка. При таком способе регулировки между усилительными каскадами включают аттенюатор с переменным коэффициентом передачи. Используются регулируемые делители, емкостные делители на варикапах, мостовые схемы. Так, на рисунке 14.4, а показана схема регулируемого аттенюатора на диодах VD1 — VD3. При Ерег< U0 диоды VD1 — VD2 открыты, а диод VD3 закрыт; при этом коэффициент передачи максимален. По мере увеличения Ерег динамические сопротивления диодов VDt и VD2 увеличиваются, а динамическое сопротивление диода VD3 уменьшается, следовательно, уменьшается коэффициент передачи аттенюатора.
На рисунке 14.4, б представлена схема делителя, в которой в качестве управляемого сопротивления применяют полевой транзистор; под действием Ерег изменяется сопротивление канала транзистора.
Широко используются аттенюаторы на pin-диодах, обладающих большим диапазоном изменения сопротивления и малой емкостью, нa рисунке 14.4, в показана схема аттенюатора на pin-диодах, работой которых управляют изменением смещения на базе транзистора VT1 помощью резистора Rрег.
Рисунок 14.4 Схемы регулируемого аттенюатора, делителя и аттенюатора на pin-диодах
При нулевом напряжении регулировки диоды VD1 и VD2 закрыты, a VD3 открыт, и затухание аттенюатора минимально. При максимальном напряжении регулировки диоды VD1 и VD2 открыты, а VD3 закрыт, и затухание аттенюатора максимально.
Рисунок 14.5 Регулировка К0 с помощью регулируемой ООС
Регулировка К0 с помощью регулируемой ООС. Этот способ регулировки К0, как и аттенюаторная регулировка, не вытекает из формулы (14.1). Типовая схема изменения К0 регулируемой ООС показана на рисунке 14.5. В этом случае ООС вводится в цепь эмиттера транзистора. В усилительных каскадах параллельно RЭ обычно включают конденсатор СЭ, большой емкости для устранения ООС.
В схеме рисунок 14.5 глубину ООС можно регулировать изменением емкости конденсатора Cрег; блокировочный конденсатор Сбл служит для разделения по постоянному току цепей регулировки и питания транзистора. Как правило, в качестве Срег используют варикап VD. С увеличением Ерег диод VD закрывается сильнее, его емкость Срег уменьшается, напряжение ООС увеличивается, коэффициент усиления К0 уменьшается.
Регулировка усиления в трактах звуковой и видеочастот. Способы регулировки коэффициента усиления каскадов после детекторной части приемника в основном те же, что и способы регулировки К0 резонансных усилителей. Чаще в усилителях звуковых частот применяют плавную потенциометрическую регулировку усиления (рисунок 14.6); в широкополосных усилителях такую регулировку используют обычно в низкоомных цепях.
Рисунок 14.6 Потенциометрическая регулировка усиления
Наряду с потенциометрической часто осуществляют (особенно в широкополосных каскадах и ОУ) регулировку усиления с помощью регулируемой ООС. В некоторых случаях находит применение режимная регулировка. В последнее время для электронной регулировки усиления и стереобаланса используют специализированные ИС, например К174УН12.
Выводы: 1. Режимная регулировка коэффициента усиления К0 осуществляется изменением крутизны усилительного элемента при изменении смещения на УЭ. Недостаток режимной регулировки состоит в том, что с изменением смещения на УЭ помимо крутизны S существенно изменяются и остальные параметры биполярного транзистора.
2. При регулировке К0 за счет изменения сопротивления Rэкв контура резко изменяется полоса пропускания усилителя, что ограничивает применимость этого способа регулировки.
3. При аттенюаторной регулировке К0 напряжение с контура усилителя подается на делитель с регулируемым коэффициентом передачи, в качестве которого широко используются диодные делители, емкостные делители на варикапах, мостовые схемы, делители на полевых транзисторах и т. д.
4. Для регулировки усиления усилителей используют и регулируемую ООС.
