16. Приведите физические основы метода магнитной дефектоскопии. Конструкция магнитного дефектоскопа.

Магнитные методы контроля основаны на обнаружении полей магнитного рассеяния, образующихся в местах дефектов при намагничивании контролируемых изделий.

В зависимости от способа обнаружения потоков рассеяния различают следующие методы магнитного контроля: метод магнитного порошка, индукционный и магнитографический.

1)

2)При индукционном методе магнитный поток в изделии наводят электромагнитом переменного тока. Дефекты обнаруживают с помощью искателя, в катушке которого под воздействием поля рассеяния индуцируется ЭДС, вызывающая оптический или звуковой сигнал на индикаторе.

3) При магнитографическом методе поле рассеяния фиксируется на эластичной магнитной ленте, плотно прижатой к поверхности соединения. Запись воспроизводится на магнитографическом дефектоскопе. В результате сравнения контролируемого соединения с эталоном делается вывод о качестве соединения.

Рассмотрим магнитный дефектоскоп для контроля коленчатых валов двигателя ЯМЗ-238. Он состоит из станины, на которой установлены два суппорта с контактами из красной меди, и двух призм для установки коленчатого вала. Суппорты и призмы изолированы от станины прокладками из текстолита. К контактам суппорта при помощи шин подведен ток через трансформатор, понижающий напряжение с 380—220 В до 5—8 В. В станине установлен бачок с электрическим эмульсионным насосом, предназначенный для накопления и подачи суспензии на шейки коленчатого вала при магнитной дефектоскопии. При дефектоскопии сила переменного намагничивающего тока должна составлять не менее 850 А. После установки коленчатого вала на призмы дефектоскопа и подводки к его торцам контактов включают намагничивающий ток и производят поливку контролируемой поверхности суспензией при помощи шланга, соединенного с эмульсионным насосом. Все контролируемые поверхности вала поливают суспензией в течение не менее 30 секунд для каждой. Через 10 секунд после окончания поливки намагничивающий ток выключают. При наличии трещин и других дефектов магнитный порошок откладывается на проверяемой поверхности в виде рисок или полос.

17. Наведіть фізичні основи методу ультразвукової дефектоскопії. Схеми дії ультразвукових дефектоскопів (“тіньовий метод” та метод відбиття ультразвукової хвилі).

Ультразвуковой метод, отличающийся очень высокой чувствительностью,

применяют для обнаружения в деталях внутренних трещин. Этот метод основан на способности ультразвуковых колебаний распространяться в металле на большие расстояния в виде направленных пучков и отражаться от дефектного участка детали. Это происходит из-за резкого изменения плотности металла. При этом методе используют ультразвуковые дефектоскопы. Различают два способа ультразвуковой дефектоскопии - звуковой тени и импульсный.

Для способа звуковой тени характерно расположение генератора с излучателем ультразвуковых колебаний с одной стороны детали, а приемника - с другой. Если при перемещении дефектоскопа вдоль детали дефекта не оказывается, ультразвуковые волны достигают приемника, преобразуются в электрические импульсы и через усилитель попадают на индикатор, стрелка которого отклоняется. Если же на пути звуковых волн встречается дефект, то они отражаются. За дефектным участком детали образуется звуковая тень, и стрелка индикатора не отклоняется. Этот способ применим для контроля деталей небольшой толщины при возможности двустороннего доступа к ним.

Импульсный способ не имеет ограничений области применения и более распространен. Он состоит в том, что посланные излучателем импульсы, достигнув противоположной стороны детали, отражаются от нее и возвращаются к приемнику, в котором возникает слабый электрический ток. Сигналы проходят через усилитель и подаются в электронно-лучевую трубку. При пуске генератора импульсов одновременно с помощью блока развертки включается горизонтальная развертка электронно-лучевой трубки, представляющая собой ось времени.

Моменты срабатывания генератора сопровождаются начальными импульсами А. При наличии дефекта на экране появится импульс В. Характер и величину всплесков на экране расшифровывают по эталонным схемам импульсов. Расстояние, между импульсами А и В соответствует глубине залегания дефекта, а расстояние, между импульсами А и С - толщине детали.