Табель прохождения практики

Дата/ неделя	Содержание или наименование проделанной работы	Место работы	Время работы		Подпись руководителя практики на предприятии
			начало	конец
1	2	3	4	5	6
01.09.2015	Собрание (постановка задач и согласование планов практик)	НТЦ НМСТ	9:00	18:00	поддпись
07.09.2015 - 30.11.2015	Подготовка литературного обзора выпускной диссертационной работы	НТЦ НМСТ	9:00	18:00
15.09.2015 - 21.12.2015	Проведение теоретических и экспериментальных исследований по теме	НТЦ НМСТ	9:00	18:00
30.09.2015 - 21.12.2015	Подготовка научных публикаций и заявок на изобретения	НТЦ НМСТ	9:00	18:00
30.11.2015 - 21.12.2015	Подготовка промежуточного отчета по научно-исследовательской работе	НТЦ НМСТ	9:00	18:00

Табель прохождения педагогической практики

Дата/ неделя	Содержание или наименование проделанной работы	Место работы	Время работы		Подпись руководителя практики на предприятии
			начало	конец
1	2	3	4	5	6
01.09.2015 - 01.10.2015	Изучение учебно-методических материалов по выбранному направлению практики	МИЭТ	12:40	15:40
07.09.2015 - 01.12.2015	Разработка учебно-методических материалов для студентов	МИЭТ	12:40	15:40
09.09.2015 - 09.12.2015	Проведение экспериментального учебного занятия	МИЭТ	12:40	15:40
30.11.2015 - 09.12.2015	Подготовка итогового отчета по педагогической практике	МИЭТ	12:40	15:40

Отчет обучающегося

по

производственной (научно-исследовательская работа)

практике

за

1

семестр

2015/2016

уч.года

Создание миниатюрных рентгеновских источников на основе рентгеновской трубки и автоэмиссионного катодного узла с наноразмерным катодом является важной технологической задачей. Основной задачей является не только уменьшение размеров области эмиссии катода, но и создание возможности формирования структуры катодного узла в рамках стандартных технологических процессов.

Для создания электродов катодного узла с характерными размерами менее 20нм в данной работе применяются метод электронно-лучевой литографии и технология фокусированного ионного пучка. В ходе научно-исследовательской работы проводится отработка технологии создания электродов методом электронно-лучевой литографии на приставке Xenos к растровому электронному микроскопу JEOL JSM-6490LV. Также изготавливаются тестовые образцы катодов на основе Si при помощи технологии фокусированного ионного пучка на двулучевой системе Quanta 3D FEG.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. C. Vieu et al. Electron beam lithography: resolution limits and applications // Applied Surface Science. 164 (2000). P. 111-117.

2. T. H. P. Chang, Proximity effect in electron-beam lithography// Journal of Vacuum Science and Technology. Vol 12, No. 6. P. 1271-1275.

3. А.М. Светличный, О.Б. Спиридонов, Е.Ю. Волков, Л.Г. Линец, М.Н. Григорьев, Оценка характеристик автоэмиссионных наноструктур на основе кремния и карбида кремния // Известия Южного федерального университета. Технические науки. – 2011. – № 4(17). – С.27-35

4. Г.Н. Фурсей, Автоэлектронная эмиссия // Соровский образовательный журнал. – 2000. – Т.6. - №8. – С.96-103.

5. Н.Н. Герасименко и др., Особенности формирования рельефа при травлении кремния фокусированным ионным пучком// Письма в ЖТФ, том 36, вып. 21, 2010. С. 38-45

6. Заблоцкий А.В., Особенности измерений линейных размеров субмикронных структур методом растровой электронной микроскопии// Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, Московский физико-технический институт, 2009.

Студент		Латышева Мария Васильевна
	( подпись)	(Ф.И.О.)