17.Какой переход называется гетерепереходом?

А) переход, образующийся на границе двух полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны;

В) переход, образующийся на границе двух полупроводников с различной шириной запрещенной зоны;

С) переход, образующийся на границе зоны проводимости;

D) переход, образующийся на границе валентной зоны;

Е) переход, образующийся на границе свободной зоны.

18.Определите удельную электропроводность полупроводника?

A) 10³ < σ ≤ 10^-9 Ом^-1·см^-1;

B) 10<σ≤10⁶Ом^-1·см^-1;

C) σ≥10^-12 Ом^-1·см^-1;

D) 10³ < σ ≤ 10⁶ Ом^-1·см¹;

E) 10² < σ ≤ 10 ⁹ Ом^-1·см¹.

19.Какая операция обозначена знаком ↓ в выражении 0?1=0:

1. операция ИЛИ

2. операция ИЛИ-НЕ

3. исключающие ИЛИ

4. операция НЕ

5. операция И

20.Что такое запрещенные энергетические зоны?

Это зоны, которые могут быть:

A) заняты электронами;

B) положительными ионами;

C) отрицательными ионами;

D) не могут быть заняты электронами;

E) могут быть заняты протонами.

21.Как определяют ширину заперщенной зоны?

A) φ_с = φ_з - φ_в;

B) φ_з = φ_с - φ_в;

C) φ_з = φ_в - φ_с;

D) φ_в = φ_с – φ_з;

E) φ_з = φ_с + φ_в.

22.Определите уравнение Шредингера для изолированного атома?

A) Η = Ε·Ψ;

B) Η·Ψ = Ε·Ψ;

C) Η·Ψ = Ε;

D) Η·Ψ = 1;

E) Η·Ψ = 0.

23.Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников р - типа?

A) с меньшей валентностью, чем у исходного материала;

B) четырехвалентные (С, Sn);

C) пятивалентные (As, Sb);

D) с валентностью, большей, чем у исходного материала;

E) с валентностью 10.

24.Какой из h-параметров является выходной проводимостью транзистора?

A) h11;

B) h22 ;

C) h12 ;

D) h21 ;

E) h 33.

25.Определите полные концентрации для примесного (акцепорного) полупроводника?

A) p_n = p + p_i, n = n_i;

B) p = p_n + p_i, n = n_i;

C) p_i = p_n + p, n = n_i;

D) p = p_n + n_i, p = n_i;

E) p_n = n + n_i, p = p_i.

26.В полупроводниках какие основные механизмы переноса носителей существуют?

A) диффузия и дрейф носителей заряда под действием внешнего электрического поля;

B) только дрейф носителей заряда под действием внешнего электрического поля;

C) только диффузия носителей заряда под действием внешнего электрического поля;

D) диффузия и дрейф носителей заряда под действием внешнего электромагнитного поля;

E) диффузия и дрейф носителей заряда под действием магнитного поля.

27.Какой из р-n переходов транзистора обычно имеет большую площадь?

A) эмиттерный переход;

B) коллекторный переход;

C) оба перехода имеют одинаковую площадь;

D) сток;

E) исток.

28.Полупроводниковый стабилитрон это элемент, работающий на:

1. обратной ветви BAХ

2. прямой ветви BAX

3. обоих ветвях BAX

4. ни на одной из ветвей ВАХ

5. магнитном поле

29.Что такое монополярная диффузия?

A) это диффузия носителей одного заряда;

B) это диффузия носителей двух зарядов;

C) это диффузия только электронов, но не дырок;

D) это диффузия только дырок, но не электронов;

E) это биполярно-совместная диффузия электронов и дырок.

30.Что такое биполярно-совместное диффузия?

A) это диффузия носителей одного заряда;

B) это диффузия носителей двух зарядов;

C) это диффузия только электронов, но не дырок;

D) это диффузия только дырок, но не электронов;

E) это диффузия электронов и дрейф дырок.

№11

1.Как создаются анизотипные переходы?

A) в результате контакта полупроводника только с дырочной проводимостью;

B) в результате контакта полупроводника только с электронной проводимостью;

C) в результате контакта полупроводников с дырочной и электронными типами проводимости;

D) в полупроводнике р-типа с большей шириной запрещенной зоны;

E) в полупроводнике n-типа с большей шириной запрещенной зоны.

2.Определите условное обозначение транзистора n-типа со встроенным каналом?

А)

B)

C)

D)

E)

3.В полевых транзисторах используются управление током с помощью электрического поля и определите какими способами осуществляется это управление?

A) только с помощью р-n перехода;

B) с помощью р-n перехода и с помощью изолированного электрода;

C) только с помощью изолированного электрода;

D) с помощью изолированного затвора;

E) с помощью изолированного стока и истока.

4.В МДП-транзисторе технологическом путем можно создать канал, соединяющий исток со стоком. И как называется такой транзистор?

A) транзистор с индуцированным каналом р-типа;

B) транзистор с индуцированным каналом n-типа;

C) транзистор со встроенным каналом;

D) транзистор с управляющим р-n переходом;

E) ответы А) и В).

5.Какие из семейств статических характеристик транзистора являются основными?

Семейства…

A) характеристик входных и передачи тока;

B входных и обратной связи;

C) характеристики передачи тока и обратной связи;

D) входных и выходных характеристик;

E) проходных характеристик.

6.Что называется пороговым напряжением в МДП - транзисторе с индуцированным каналом?

A) Uси, при к тором образуется канал проводимости;

B) Uси, при котором наступает насыщение;

C) Uзи при котором наступает насыщение;

D) Uзи при котором образуется канал проводимости;

E) Максимальное напряжение.

7.Что такое p-n - переход?

A) область между полупроводниками различных типов, соприкасающихся между собой;

B) обедненный подвижными носителями заряда слой на границе раздела двух полупроводников с разным типом проводимости;

C) скачок потенциала на границе соединения различных полупроводников;

D) область слоев полупроводника, имеющая металлургическую границу;

E) туннельный переход.

8.Чем определяется максимальное значение рабочего тока стабилитрона?

A) наступлением теплового пробоя;

B) моментом перехода из области насыщения в область пробоя;

C) устойчивостью лавинного пробоя;

D) величиной рабочего напряжения;

E) количеством электронов в переходе.

9.Какими носителями заряда, основными или не основными, обусловлен обратный ток

коллектора?

A) основными носителями в области базы;

B) неосновными носителями, имеющимися в области базы и области коллектора;

C) основными носителями в области коллектора;

D) неосновными носителями в области эмиттера;

E) основными носителями в области эмиттера.

10.Многоэмиттерном транзисторе число эмиттера достигает...

A) от 3 до 8

B) от 3 до 9

C) от 3 до 10

D) от 3 до 11

E) от 3 до 12

11.Определите формулу крутизны полевого транзистора?

A) , при U_зи =const;

B) , при U_cи=const;

C) , при U_зи=const;

D) , при I_c =const;

E) , при U_cи=const.

12. Определите формулу коэффициента усиления полевого транзистора?

A) , при U_зи =const;

B) , при U_cи=const;

C) , при U_зи=const;

D) , при I_c =const;

E) , при U_cи=const.

13.Определите коэффициент инжекции определяющий эффективности эмиттера биполярного транзистора?

A) χ= (I_рэ+ I_nэ)/(I_рэ);

B) χ = (I_рэ+ I_nэ)/(I_рэ);

C) χ =(I_рэ)/( I_рэ+ I_nэ);

D) χ = (I_рэ)·( I_рэ+ I_nэ);

E) χ = (I_рэ- I_nэ)/(I_рэ).

14.Что ограничивает максимально допустимый прямой ток через диод?

A) электрический пробой;

B) лавинный пробой;

C) разогрев p-n перехода;

D) рост сопротивления;

E) тепловой пробой.

15.Как связаны между собой токи электродов транзистора?

A) Iб= Iэ+Iк;

B) Iб= -Iэ+Iк;

C) Iб= Iэ-Iк;

D) Iб= Iэ- 2Iк;

E) Iб= Iэ-Iк + 1.

16.Каково рабочее смещение на транзисторе типа n-р-n при включении с ОЭ?

A)

B)

C)

D)

E) отрицательное.

17.Емкость какого перехода больше, ЭП или КП ?

A) ЭП;

B) КП;

C) Емкости переходов одинаковы;

D) Зависит от типа проводимости транзистора;

E) Зависит от схемы включения.

18.Укажите правильную схему включения стабилитрона.

A )

B)

C)

D)

E)

19. Как называется процесс введения примесных атомов в твердое тело путем бомбардировки его поверхности ускоренными ионами?

A) легирование полупроводников;

B) эпитаксия;

C) высокотемпературное легирование;

D) ионная имплатанция;

E) радиационно-стимулированная диффузия.

20.Какой транзистор может работать только в режиме обеднения, то есть при разной полярности входного напряжения?

A) МДП-транзистор со встроенным каналом;

B) МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа;

C) МДП-транзистор с индуцированным каналом р-типа;

D) полевой транзистор с упавляющим р-n -переходом

E) интегральный биполярный транзистор.

21.IGBT транзистор - гибридный полупроводниковый прибор. В IGBT транзисторе используются два способа управления электрическим током. Определите эти способы?

A) управление магнитным полем и управление инжекцией носителей зарядов;

B) управление электрическим полем и управление инжекцией основных носителей зарядов;

C) управление электрическим полем и управление инжекцией неосновных носителей зарядов;

D) управление электрическим полем и управление экстракцией носителей зарядов;

E) управление электрическим полем и управление инжекцией носителей зарядов.

22.На основании какого материала изготовливается транзистор с барьером Шоттки?

A) на основе кремния;

B) на основе германия;

C) на основе арсенида-галлия;

D) только на основе арсенида;

E) только на основе галлия.

23.Какой элемент используется в качестве диэлектрика в МОП-транзисторе?

A) SiO₂;

B) GeO₂;

C) GaAs;

D) Ga;

E) As.

24.Каково рабочее смещение на транзисторе с управляющим р-n переходом и р - каналом в схеме с ОИ?

A)

B)

C)

D)

E) 10 B.

25.Укажите рабочую ветвь ВАХ стабилитрона.

A )

B)

C)

D)

E)

26. Рассчитать геометрически размеры конденсатора биполярной структуры (площадь перехода S_k и L₁) квадратного конденсатора емкостью C=55 пФ (при напряжении на переходе U=0) с напряжением пробоя U≥30 B, d_k=2.4 мкм; C₀=220 пФ/мм², U_пр≈40 B,

A) S_k =0.15 мм²; L₁≈400 мкм;

B) S_k =0.25 мм²; L₁≈500 мкм;

C) S_k =0.35 мм²; L₁≈600 мкм;

D) S_k =0.45 мм²; L₁≈700 мкм;

E) S_k =0.55 мм²; L₁≈800 мкм.

27.Что такое режим обеднение в МДП-транзисторах?

A) это процесс уменьшения числа носителей в канале;

B) это процесс увеличения числа носителей в канале;

C) это процесс уменьшения числа носителей в истоке;

D) это процесс уменьшения числа носителей в стоке;

E) это процесс уменьшения числа носителей в затворе.

28.Сколько элементов содержит ГБИС?

A) до10⁹ элементов на кристалл;

B) более 10⁹ элементов на кристалл;

C) до 10⁶ элементов на кристалл;

D) до 10⁷ элементов на кристалл;

E) до 10³ элементов на кристалл.

29.Сколько элементов содержит СБИС (сверхбольшие ИС)?

A) до10⁹ элементов на кристалл;

B) более 10⁹ элементов на кристалл;

C) до 10⁶ элементов на кристалл;

D) до 10⁷ элементов на кристалл;

E) до 10³ элементов на кристалл.

30.Сколько элементов содержит УБИС (ультрабольшие ИС)?

A) до10⁹ элементов на кристалл;

B) более 10⁹ элементов на кристалл;

C) до 10⁶ элементов на кристалл;

D) до 10⁷ элементов на кристалл;

E) до 10³ элементов на кристалл.

№12

1. Укажите схему включения выпрямительного диода для исследования обратной ветви ВАХ.

A)

B)

С)

D)

E) с общей базой.

2.Как зависит обратный ток полупроводникового диода от температуры?

A) сначала растет, потом остается постоянным;

B) уменьшается с ростом температуры;

C) увеличивается с ростом температуры;

D) растет и проходит через максимум;

E) проходит через минимум.

3.За счет чего (главная причина) может выйти из строя транзистор в схеме с ОЭ при обрыве базы?

A) за счет недопустимого перераспределения напряжения источника питания между переходами;

B) нет пути для электронов коллектора;

C) за счет отрицательного пространственного заряда;

D) за счет уменьшения высоты потенциального барьера ЭП;

E) за счет потери эмиссии.

4.Что такое режим насыщения транзистора?

A) ЭП и КП смещены в обратном направлении;

B) ЭП смещен в прямом, а КП - в обратном;

C) ЭП смещен в обратном, а КП - в прямом;

D) ЭП и КП смещены в прямом направлении;

E) режим теплового пробоя.

5.Укажите определение статического коэффициента передачи тока h21э транзистора в схеме с ОЭ.

A) h21э = Iк/ Iб при Uкэ = const.

B) h21э = Iк/ Iб при Uкб = const.

C) h21э = (Iк – Iкбо)/( Iб + Iкбо) при Uкэ = const.

D) h21э = (Iб + Iкбо)/( Iк – Iкбо) при Uкэ = const.

E) h21э = Iк + Iб.

6.Логические элементы в микроэлектронике подразделяется на два вида – это:

A) комбинационные и последовательные;

B) комбинационные и параллельные;

C) параллельные и последовательные;

D) параллельно-последовательные и параллельные;

E) параллельно-последовательные и последовательные.

7.Что такое цифровая интегральная микросхема?

A) это микросхема, разработанная на основе базовых (в том числе матричных) кристаллов;

B) это микросхема определенного функционального назначения;

C) это микросхема предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции;

D) это микросхема предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции;

E) это микросхема, разработанная на основе стандартных и (или) специально созданных элементов и узлов по функциональной схеме заказчика и предприятия.

8.Определите входную характеристику транзистора включенного по схеме ОБ?

A)

B)

C)

D)

E)

9.Какая часть полупроводника (ПП) в полевом транзисторе оказывает наибольшее сопротивление электрическому току?

A) все части ПП оказывают одинаковое сопротивление, т.к. концентрация основных носителей везде одинакова;

B) канал;

C) узкая перекрестная часть канала;

D) зона эмиттера;

E) зона базы.

10.Что такое туннельный диод ?

A) диод, у которого ВАХ монотонно возрастает;

B) диод, у которого сопротивление не зависит от полярности напряжения;

C) диод, с ВАХ с чередующимися возрастаниями и падающими участками;

D) диод, у которого на ВАХ имеется участок с отрицательным дифференциальным

сопротивлением;

E) диод с туннелем для электронов.

11.Что называется эмиттером? Область…

A) с большей концентрацией примесей;

B) назначением которой является инжекция в базу неосновных носителей;

C) со стороны р-n перехода;

D) со стороны n-p перехода;

E) назначением которой является экстракция из базы неосновных носителей.

12.Определите тип интегрального биполярного диода включенного по схеме Б-Э (база-эмиттер)?

A)

B)

C)

D)

E)

13.Определите тип интегрального биполярного диода включенного по схеме Б-К (база-коллектор)?

A)

B)

C)

D)

E)

14. Что такое активный режим транзистора?

A) ЭП и КП смещены в обратном направлении;

B) ЭП и КП смещены в прямом направлении;

C) ЭП смещен в прямом, а КП - в обратном направлении;

D) ЭП смещен в обратном, а КП - в прямом направлении;

E) ток коллектора отсутствует.

15.Какие подвижные носители являются основными в полупроводнике р-типа?

A) электроны;

B) положительные ионы;

C) отрицательные ионы;

D) дырки;

E) дырки и отрицательные ионы.

16.Является ли наличие р-n перехода обязательным в полупроводниковом диоде?

A) диод может не иметь p-n переход;

B) наличие одного p-n перехода обязательно;

C) необходимо не менее двух переходов;

D) диод может иметь и не иметь p-n переходы;

E) достаточно наличие полупроводника.

17.Какое явление в транзисторе называются инжекцией?

A) введение основных носителей в область базы;

B) введение не основных носителей в область базы;

C) введение не основных носителей в область эмиттера;

D) введение не основных носителей в область коллектора;

E) столкновение дырки и электрона.

18.В какой схеме включении транзистора можно получить усиление тока?

В схеме…

A) с ОБ;

B) с ОЭ и ОК;

C) с ОЭ и ОБ;

D) c ОИ;

E) с ОС.

19.Какие подвижные носители являются основными в полупроводнике n-типа?

A) положительные ионы;

B) электроны;

C) отрицательные ионы;

D) дырки;

E) нейтроны.

20.В каком направлении перемещаются электроны через р-n переход за счет электрического поля (каково направление движения)?

A) из р-области в n-область;

B) из n-области в р-область;

C) равномерно в обоих направлениях;

D) от отрицательного полюса источника;

E) направо.

21.Один из условий повышения быстродействия интегральных микросхем изготовленного на основе МДП транзисторов это-

A) уменьшение длины затвора и толщины затворного окисла транзистора;

B) увеличение длины затвора и толщины затворного окисла транзистора;

C) уменьшение длины стока и толщины затворного окисла транзистора;

D) уменьшение длины истока и толщины затворного окисла транзистора;

E) уменьшение длины затвора и увеличение толщины затворного окисла транзистора.

22.Частота переключения Terahertz-транзистора составляет…

A) 10 ГГц;

B) 1000 ГГц;

C) 100 МГц;

D) 10 МГц;

E) 100 ГГц.

23.Эпитаксия представляет собой…

A) физико-химический процесс, которой происходит при достаточно высоком давлении газов и значительной энергии частиц;

B) новое направление, являющиеся комбинацией высокотемпературной диффузии и ионной имплантации;

C) процесс введения примесных атомов в твердое тело путем бомбардировки его поверхности ускоренными ионами;

D) процесс введения примесей или структурных дефектов с целью направленного с целью направленного изменения электрических свойств;

E) процесс наращивания монокристаллических слоев вещества на подложку (кристалл), при котором кристаллографическая ориентация наращиваемого слоя повторяет кристаллографическую ориентацию подложки.

24.Ионно-химическое травление представляет собой…

A) физико-химический процесс, которой происходит при достаточно высоком давлении газов и значительной энергии частиц;

B) новое направление, являющиеся комбинацией высокотемпературной диффузии и ионной имплантации;

C) процесс введения примесных атомов в твердое тело путем бомбардировки его поверхности ускоренными ионами;

D) процесс введения примесей или структурных дефектов с целью направленного с целью направленного изменения электрических свойств;

E) процесс наращивания монокристаллических слоев вещества на подложку (кристалл), при котором кристаллографическая ориентация наращиваемого слоя повторяет кристаллографическую ориентацию подложки.

25.Ионная имплантация представляет собой…

A) физико-химический процесс, которой происходит при достаточно высоком давлении газов и значительной энергии частиц;

B) новое направление, являющиеся комбинацией высокотемпературной диффузии и ионной имплантации;

C) процесс введения примесных атомов в твердое тело путем бомбардировки его поверхности ускоренными ионами;

D) процесс введения примесей или структурных дефектов с целью направленного с целью направленного изменения электрических свойств;

E) процесс наращивания монокристаллических слоев вещества на подложку (кристалл), при котором кристаллографическая ориентация наращиваемого слоя повторяет кристаллографическую ориентацию подложки.

26.Как изменяется ВАХ выпрямительного диода при повышении температуры?

A)

B)

C)

D)

E)

27.Какой ток протекает через транзистор в схеме с ОЭ при Uбэ=0 (к.з. между базой и эмиттером)? Протекает начальный коллекторный ток…

A) Iкн = Iэо;

B) Iкн = Iко;

C) Iэо > Iкн > Iко;

D) Iэбо;

E) равный нулю.

28.Температурный коэффициент сопротивления это:

А) зависимость изменения сопротивления при постоянной температуре

В) зависимость абсолютного изменения сопротивления от единичного приращения температуры

С) зависимость относительного изменения сопротивления от единичного приращения температуры

Д) разность между значением сопротивления при начальной и конечной температуре

Е) зависимость изменения температуры при приращении сопротивления

29.Что называется коллектором? Это область транзистора…

A) со средней концентрацией примеси;

B) назначением которой является инжекция неосновных носителей в базу;

C) со стороны закрытого p-n-перехода;

D) назначением которой является экстракция из базы неосновных носителей;

E) где происходит аннигиляция.

30.В какой схеме включения транзистора усилительный каскад имеет минимальное Rвых?

A) в схеме с ОБ;

B) с ОЭ;

C) с ОК;

D) в схеме с ОК при большом Rвых ;

E) с общим анодом.

№13

1.Какая из схем включения транзистора обеспечивает

максимальное усиление мощности ? Схема…

A) с ОБ;

B) c ОЭ;

C) с OK;

D) во всех схемах усиление мощности одинаково;

E) с ОЗ.

2.Легирование полупроводников представляет собой…

A) физико-химический процесс, которой происходит при достаточно высоком давлении газов и значительной энергии частиц;

B) новое направление, являющиеся комбинацией высокотемпературной диффузии и ионной имплантации;

C) процесс введения примесных атомов в твердое тело путем бомбардировки его поверхности ускоренными ионами;

D) процесс введения примесей или структурных дефектов с целью направленного с целью направленного изменения электрических свойств;

E) процесс наращивания монокристаллических слоев вещества на подложку (кристалл), при котором кристаллографическая ориентация наращиваемого слоя повторяет кристаллографическую ориентацию подложки.

3.Что такой интегральный резистор?

A) представляет элемент интегральных схем с заданными параметрами, которой используются в электрических цепях для обеспечения требуемого распределения тока и напряжений между отдельными участками цепи;

B) представляет собой элементы интегральных схем, состоящие из проводящих электродов, разделенных диэлектриком и предназначенные для использования в электрических цепях для обеспечения требуемого распределения тока и напряжения между отдельными элементами цепи;

C) предназначены для выполнения ряда логических функции переключения электрических сигналов, выпрямления электрического тока, детектирования сигналов;

D) это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий несколько электродов и предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний;

E) правильные ответы В) и D).

4.Что такое аналоговая интегральная микросхема?

A) это микросхема, разработанная на основе базовых (в том числе матричных) кристаллов;

B) это микросхема определенного функционального назначения;

C) это микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции;

D) это микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции;

E) это микросхема, разработанная на основе стандартных и (или) специально созданных элементов и узлов по функциональной схеме заказчика и предприятия.

5.IGBT транзистор - гибридный полупроводниковый прибор. В IGBT транзисторе используются два способа управления электрическим током. Определите эти способы?

A) управление магнитным полем и управление инжекцией носителей зарядов;

B) управление электрическим полем и управление инжекцией основных носителей зарядов;

C) управление электрическим полем и управление инжекцией неосновных носителей зарядов;

D) управление электрическим полем и управление экстракцией носителей зарядов;

E) управление электрическим полем и управление инжекцией носителей зарядов.

6.Как определяется быстродействие интегральных схем (ИС)?

A) минимальным временем задержки сигнала;

B) средним временем задержки сигнала;

C) максимальным временем задержки сигнала;

D) зависит от типа интегральной схемы;

E) ответы A) и C).

7.Если потребляемая мощность ИМС в промежутке 25 мВт ≤ Р_ср≤ 250 мВт, то ИМС называется мощным. Определите тип схемы?

A) ТТЛ-схема;

B) И²Л- схема;

C) КМДП- схема;

D) РТЛ- схема;

E) ЭСЛ- схема.

8. Температурный коэффициент сопротивления показывает зависимость…

A) величины сопротивления от угла поворота;

B) величины допуска от температуры;

C) величины сопротивления от температуры;

D) величины мощности рассеивания от температуры;

E) температуры резистора от сопротивления.

9.Переменный резистор, как элемент, предназначен для…

A) регулирования отверткой;

B) регулирования напряжением;

C) регулирования током;

D) регулирования с помощью ручки управления;

E) регулирования температуры.

10.Мощность, рассеиваемая на резисторе, выражается формулой:

A) P = I R ;

B) P = U I ;

C) P = U² / R ;

D) P = I² / R ;

E) P = I R² .

11.Какие основные электрические параметры характеризуют конденсатор постоянной емкости?

A) величина емкости, допуск, допустимое напряжение, ТКЕ;

B) допустимый ток, мощность, величина емкости;

C) полярность, тип диэлектрика, напряжение пробоя, ток разряда;

D) тип, цвет, габаритные размеры;

E) ток заряда, время разряда, электрическая емкость.

12.Какой может быть величина сопротивления резистора?

A) любой;

B) кратной 2ⁿ ;

C) кратной 10ⁿ ;

D) в соответствии с допуском по определенному ряду;

E) определяется размером резистора.

13.Электролитические конденсаторы отличаются от остальных тем, что…

A) имеют возможность регулировки величины емкости;

B) имеют большие габаритные размеры;

C) имеют большую величину емкости и напряжения;

D) содержат электролит, имеют большую величину емкости, требуют определенную полярность включения;

E) имеют отверстие для заливки электролита.

14.“Дырки ” в полупроводниковой структуре это…

А) отрицательно заряженные частицы;

B) положительно заряженные образования внутри вещества;

C) отверстия в атомах полупроводника с положительным зарядом;

D) атомы примеси;

E) молекулы примеси.

15.Электрон имеет…

A) положительный заряд;

B) высокую удельную проводимость;

C) низкий температурный коэффициент;

D) отрицательный заряд;

E) красный цвет излучения.

16.Полупроводник типа “p” имеет в своей структуре носители

электрического заряда в виде…

A) электронов;

B) атомов;

C) “дырок”;

D) ионов;

E) молекул.

17.Полупроводник типа “n” имеет в своей структуре носители

электрического заряда в виде…

A) атомов;

B) электронов;

C) нейтронов;

D) “дырок”;

E) ионов.

18.Если потребляемая мощность ИМС в промежутке 3 мВт ≤ Р_ср≤ 25 мВт, то ИМС называется средней мощности. Определите тип схемы?

A) ТТЛ-схема;

B) И²Л- схема;

C) КМДП- схема;

D) РТЛ- схема;

E) ЭСЛ- схема.

19.Если потребляемая мощность ИМС в промежутке 1 мВт ≤ Р_ср≤ 300 мкВт то ИМС называется средней мощности. Определите тип схемы?

A) ТТЛ-схема;

B) И²Л- схема;

C) КМДП- схема;

D) РТЛ- схема;

E) ЭСЛ- схема.

20.Как определяется быстродействие интегральных схем (ИС)?

A) минимальным временем задержки сигнала;

B) средним временем задержки сигнала;

C) максимальным временем задержки сигнала;

D) зависит от типа интегральной схемы;

E) ответы A) и C).

21.Диффузия примесей — это…

A) процесс легирования полупроводника только акцепторами (но, не донарами) в заданной концентрации и на нужную глубину;

B) процесс легирования полупроводника только донорами (но, не акцепторами) в заданной концентрации и на нужную глубину;

C) процесс легирования полупроводника донорами и акцепторами в заданной концентрации и на нужную глубину;

D) процесс легирования полупроводника донорами или акцепторами в заданной концентрации и на нужную глубину;

E) процесс выращивания на подложке монокристаллической пленки, повторяющей кристаллическую структуру подложки.

22.Определите схему комлементарного МДП – транзисторного ключа?

A)

B)

C)

D)

E)

23.Полупроводниковый переход обладает…

A) высоким сопротивлением;

B) двухсторонней проводимость;

C) высокой проводимостью;

D) односторонней проводимостью;

E) отсутствием проводимости.

24.Основными параметрами полупроводникового диода являются…

A) наличие дырок и электронов;

B) допустимая мощность рассеивания;

C) прямой ток, импульсный ток, допустимое обратное напряжение;

D) быстродействие, ток, мощность, прямое напряжение перехода;

E) температура, сопротивление, частота.

25.Полупроводниковый стабилитрон, это элемент, работающий на…

A) импульсную мощность;

B) переменном токе;

C) прямой ветви ВАХ;

D) обратной ветви ВАХ;

E) длительности импульса.

26.Основными параметрами стабилитрона являются…

A) максимальный прямой ток и напряжение;

B) напряжение включения и ток управления:

C) напряжение стабилизации, максимальный и минимальный токи стабилизации;

D) ток утечки, быстродействие, ток анода;

E) ток базы, ток коллектора.

27.Светодиод – это оптоэлектронный прибор, работающий на…

A) обратной ветви ВАХ;

B) прямой ветви ВАХ;

C) на переменном токе;

D) на выходе аппаратуры;

E) на входе устройства.

28.Транзистор – это электронный прибор, содержащий…

A) два p-n перехода;

B) три вывода;

C) полупроводник р – типа;

D) полупроводник n – типа;

E) анод и катод.

29.Коэффициент усиления транзистора в схеме с общим эмиттером это…

A) отношение токов базы и эмиттера;

B) отношение токов коллектора и эмиттера;

C) отношение напряжения коллектора к току базы;

D) отношение тока коллектора к току базы;

E) произведение тока коллектора и тока базы.

30.Коэффициент усиления транзистора в схеме с общим эмиттером…

A) меньше единицы;

B) равен единице;

C) больше единицы;

D) зависит от количества нейтронов в базе;

E) равен нулю.

№14

1.Входное сопротивление усилителя это…

A) Разность между выходным и входным током;

B) Отношение входного напряжения к выходному току;

C) Отношение выходного напряжения к входному току;

D) Отношение входного напряжения к входному току;

E) Отношение выходного напряжения к выходному току.

2.В интегральных схемах на КМОП-транзисторах логические операции реализуется путем параллельного включения входных транзисторов для выполнения функции ИЛИ-НЕ. Определите схему выполяющий эту функцию?

A)

B)

C)

D)

E)

3.Определите схему триггера Шмитта?

A)

B)

C)

D)

E)

4.Определите схему последовательного и параллельного (комбинированное соединение) соединение МДП-транзисторов?

A)

B)

C)

D)

E)

5.Коэффициент усиления по напряжению это…

A) отношение напряжения источника питания к входному напряжению;

В) отношение входного напряжения к выходному;

C) разность между выходным и входным напряжением;

D) отношение выходного напряжения к входному;

E) произведение тока на напряжение.

6.Усилитель переменного тока обязательно содержит…

A) переменные конденсаторы;

B) переменные резисторы;

C) разделительные конденсаторы;

D) электролитические конденсаторы;

E) светодиоды.

7.В многокаскадном усилителе общее усиление равно…

A) произведению коэффициентов усиления отдельных каскадов;

B) сумме коэффициентов усиления отдельных каскадов;

C) разности коэффициентов усиления отдельных каскадов;

D) частному от деления коэффициента усиления последнего и первого каскадов.

E) усилению первого каскада.

8.Полевой транзистор с р-n переходом характеризуется…

A) коэффициентом усиления по току;

B) коэффициентом усиления по напряжению;

C) напряжением срабатывания и током;

D) начальным током и крутизной;

E) током анода.

9.Тиристор - это полупроводниковый прибор, содержащий…

A) базу, эмиттер и коллектор;

B) анод и катод;

C) затвор, сток и исток;

D) анод, катод и управляющий электрод;

E) одиночный р-п переход.

10.Однополупериодный выпрямитель содержит…

A) один диод;

B) два диода;

C) четыре диода;

D) два диода и стабилитрон;

E) три диода.

11.Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой содержит…

A) четыре диода;

B) три диода;

C) два диода;

D) один диод;

E) стабилитрон.

12.Мостовая схема выпрямителя содержит…

A) два диода;

B) четыре диода;

C) один диод;

D) два светодиода;

E) два стабилитрона.

13.Частота пульсаций на выходе однополупериодного выпрямителя равна…

A) частоте сети;

B) удвоенной частоте сети;

C) половине частоты сети;

D) учетверенной частоте сети;

E) 50 Гц.

14.Частота пульсаций на выходе двухполупериодного выпрямителя равна…

A) половине частоты сети;

B) частоте сети;

C) удвоенной частоте сети;

D) учетверенной частоте сети;

E) 100 Гц.

15.Конденсатор фильтра, подсоединенный к выходу выпрямителя, служит для…

А) уменьшения выходного напряжения выпрямителя;

B) увеличения выходного напряжения;

C) сглаживания пульсаций и увеличения выходного напряжения;

D) стабилизации выходного напряжения;

E) увеличения внутреннего сопротивления.

16.Основным параметром усилителя напряжения является…

A) коэффициент усиления по мощности;

B) коэффициент шума;

C) коэффициент усиления по напряжению;

D) выходное напряжение;

E) потребляемая мощность.

17.Элемент имеет надпись на корпусе "КС133", это :

А) стабилитрон

В) транзистор

С) логическая микросхема

Д) аналоговая микросхема

Е) резистор

18.В усилителе, работающем в классе "В", рабочая точка выбирается из условия усиления…

A) всего сигнала;

B) верхней половины одной из полуволн сигнала;

C) одной полуволны сигнала;

D) минимального сигнала;

E) частоты сигнала.

19.Усилитель работает в классе "А". При одинаковых параметрах рабочей точки, какая из схем обладает более высоким входным сопротивлением?

A) схема на транзисторе n-p-n, с общим эмиттером и смещением рабочей точки фиксированным напряжением и резистором в цепи эмиттера;.

B) схема на транзисторе p-n-p, с общим эмиттером и смещением рабочей точки фиксированным током;

C) схема на транзисторе n-p-n, с общим эмиттером и смещением рабочей точки фиксированным напряжением;

D) схема на транзисторе p-n-p, с общим эмиттером смещением рабочей точки фиксированным напряжением;

E) схема на транзисторе n-p-n, с общим коллектором.

20. Триггер спусковое устройство с набором устойчивых состояний, в которых оно может находиться сколько угодно. Если таких устойчивых состояний несколько, то такой триггер называется бистабильным. И сколько состояний может быть у такого триггера?

A) два;

B) три;

C) четыре;

D) пять;

E) шесть.

21.Когда триггер становиться мультистабильным?

A) если у триггера менее двух устойчивых состояний;

B) если у триггера более двух устойчивых состояний;

C) если у триггера более трех устойчивых состояний;

D) если у триггера более четырех устойчивых состояний;

E) если у триггера более пяти устойчивых состояний.

22.Чем отличается RST-триггер от RS-триггера?

A) RST-триггер синхронный, а RS-триггер асинхронный и синхронный;

B) RST-триггер синхронный, а RS-триггер асинхронный;

C) RST-триггер асинхронный, а RS-триггер синхронный;

D) RST-триггер синхронный и асинхронный, а RS-триггер асинхронный;

E) Одинаково работают.

23.Какой триггер относится к асинхронным триггерам?

A) RS-триггер;

B) RST-триггер;

C) D-триггер;

D) T-триггер;

E) JK-триггер.

24.

Как называется данная интегральная схема?

A) инвертирующий усилитель;

B) неинвертирующий усилитель;

C) компаратор;

D) дифференциальный усилитель;

E) интегратор.

25. Биполярный транзистор содержит:

A) исток, эмиттер, коллектор

B) база, коллектор, затвор

C) сток, коллектор, затвор

D) база, эмиттер, коллектор

Е) сток, исток, затвор

26.Какая операция обозначена знаком & в выражении 1?1=1

А) операция ИЛИ-НЕ

В) операция И

С) операция ИЛИ

Д) исключающие ИЛИ

Е) операция НЕ

27.На резисторе нанесено обозначение 1Е3, это означает

А) резистор сопротивлением 1,3 кОм

В) резистор изготовлен в соответствии с рядом Е13

С) допуск изготовления 10 %

Д) резистор сопротивлением 1,3 Ом

5. температурный коэффициент резистора равен 13

28.Элемент имеет надпись на корпусе "КД213Б", это…

A) транзистор;

B) германиевый диод;

C) резистор;

D) кремниевый диод;

E) конденсатор.

29.Элемент имеет надпись на корпусе "КР140УД8", это…

A) транзистор;

B) логическая микросхема;

C) аналоговая микросхема;

D) тиристор;

E) резистор.

30.Определите схему инвертирующего сумматора?

A)

B)

C)

D)

E)

№15

1.Что такое «Полузаказная интегральная схема»?

A) класс интегральных схем, имеющих постоянную и переменную части;

B) класс интегральных схем, имеющих только постоянные части;

C) класс интегральных схем, имеющих только переменные части;

D) класс интегральных схем, содержащих стандартные элементы по заранее заданной функциональной схеме;

E) класс интегральных схем, содержащих специально созданные элементы по заранее заданной функциональной схеме.

2.Что такое «Заказная интегральная схема»?

A) класс интегральных схем, имеющих постоянную и переменную части;

B) класс интегральных схем, имеющих только постоянные части;

C) класс интегральных схем, содержащих стандартные или специально созданные элементы или узлы по заранее заданной функциональной схеме;

D) класс интегральных схем, содержащих только стандартные элементы по заранее заданной функциональной схеме;

E) класс интегральных схем, содержащих только специально созданные элементы по заранее заданной функциональной схеме.

3.Что такое наноэлектроника?

A) направление электроники, в котором изучаются явления и процессы взаимодействия электронов с магнитными полями;

B) направление электроники, в котором изучаются явления и процессы взаимодействия электронов с электрическими полями;

C) направление электроники, в котором изучаются явления и процессы взаимодействия электронов с электромагнитными полями;

D) направление электроники, в котором изучаются явления и процессы взаимодействия электронов с дырками;

E) правильные ответы B) и D).

4.Определите схему логического элемента ИЛИ?

A)

B)

C)

D)

E)

5.Определите схему логического элемента НЕ?

A)

B)

C)

D)

E)

6.Определите схему логического элемента И-НЕ?

A)

B)

C)

D)

E)

7. Элемент имеет надпись на корпусе "1К8И", это…

A) конденсатор;

B) транзистор;

C) резистор величиной 1,8 Мом;

D) резистор величиной 1,8 кОм;

E) резистор величиной 18 кОм.

8.Биполярный транзистор – это прибор предназначенный для…

А) усиления тока;

B) для стабилизации напряжения;

C) для индикации;

D) для нагрева радиатора;

E) для воспроизведения звука.

9.В биполярном транзисторе наибольшую величину имеет…

А) ток базы;

B) ток анода;

C) ток катода;

D) ток эмиттера;

E) ток коллектора.

10.Положительным свойством полевого транзистора является…

А) малый вес;

B) большое входное сопротивление;

C) высокий уровень шума;

D) большая яркость;

E) наличие магнитного поля.

11.Индикатор на жидких кристаллах дает наилучшее изображение…

А) на морозе;

B) в темноте;

C) при ярком свете;

D) при сильной жаре;

E) при ударе.

12.Индикатор на светодиодах дает наилучшее изображение…

А) на морозе;

B) в темноте;

C) при ярком свете;

D) при сильной жаре;

E) при ударе.

13.В режиме насыщения у транзисторного ключа напряжение между коллектором и

эмиттером…

А) равно источнику питания;

B) очень мало;

C) равно напряжению сети;

D) равно входному напряжению;

E) отсутствует.

14.Тиристор – это полупроводниковый прибор, применяемый для…

А) усиления аналоговых сигналов;

B) для регулирования выпрямленного напряжения;

C) для стабилизации тока анода;

D) для нагрева корпуса аппарата;

E) для преобразования спектра.

15.Интегральная микросхема – это…

А) маленькое изображение схемы на дисплее компьютера;

В) наклейка на плате электронного блока;

С) полупроводниковый прибор, содержащий внутри определенное сочетание элементов, предназначенных для выполнения какой-либо функции;

D) интеграл от функции, описывающей логику функционирования схемы;

Е) цифровая запись изображения схемы.

16.Светодиод внутри своей структуры содержит…

А) полупроводник одного типа;

B) маленькую лампочку различного цвета;

С) полупроводниковый р-п переход, аналогичный обычному диоду;

D) маленькую спираль накаливания;

E) p-i-n структуру.

17.Фотодиод предназначен для…

А) преобразования тепла в электрический ток;

B) освещения шкалы прибора;

C) преобразования светового потока в электрический параметр;

D) получения фотографии;

E) для контроля температуры.

18.Элемент имеет надпись на корпусе "КТ201Б", это…

А) диод;

B) тиристор;

C) транзистор;

D) резистор;

E) варистор.

19.При переводе усилителя из усиления в классе " В" в режим, соответствующий классу "А", ток, потребляемый усилителем…

А) уменьшится;

B) увеличится;

C) не изменится;

D) станет равным нулю;

E) станет реактивным.

20.Для открывания тиристора необходимо обеспечить следующие условия:

А) переменное напряжение на анод;

B) напряжение соответствующей полярности между анодом и катодом;

C) напряжение соответствующей полярности на управляющем электроде при определенном напряжении между катодом и анодом;

D) ток анода меньше тока утечки;

E) переменный ток катода.

21.Для запирания открытого тиристора необходимо…

А) увеличить ток анода;

B) увеличить ток катода;

C) уменьшить ток анода до определенной величины;

D) увеличить напряжение на управляющем электроде;

E) уменьшить напряжение на управляющем электроде.

22.Динистор – это…

А) дистанционно управляемый резистор;

B) дискретный транзистор;

C) двойной резистор;

D) двухполярный источник питания;

E) полупроводниковый элемент с внутренней положительной обратной связью.

23.Определить напряжение на выходе схемы (без учёта падения на диодах).

A ) +3В;

B) +5В;

C) +8В

D) +13В;

E) +16В.

24.Определить напряжение на выходе схемы.

A ) 6.2В;

B) 3.3В;

C) 6.2+6.2В;

D) 5.6В;

E) 6.2+5.6В.

25.На выходе параметрического стабилизатора напряжения произошло короткое замыкание. Возможный исход?

A) Uвых. снизится в 2 раза;

B) неограниченное повышение тока через стабилитрон;

C) повышение тока потребления по цепи: +18В;

D) Uвых. = +18В;

E) пробой нижнего, по схеме, стабилитрона.

26.На выходе параметрического стабилизатора напряжения произошел обрыв нагрузки. Возможный исход?

A) Uвых. увеличится в 2 раза;

B) повышение тока через стабилитрон;

C) через Rогр пойдёт недопустимо

большой ток;

D) Uвых. уменьшится в 2 раза;

E) Uвых. = +18В.

27.К источнику питания параллельно подсоединены две одинаковые электрические цепи, состоящие из последовательно соединенных диода в обратном включении и ограничительного резистора. Каково напряжение между теми электродами диодов, которые не соединены с источником питания?

А) равно источнику питания;

B) напряжения не будет;

C) равно четверти источника питания;

D); равно половине источника питания

E) равно удвоенной величине напряжения источника питания.

28.Полезным эффектом инверсного включения транзистора является:

А) уменьшение напряжения насыщения;

B) уменьшение коэффициента усиления;

C) увеличение коэффициента усиления;

D) увеличение напряжения насыщения;

E) улучшение охлаждения.

29.При изменении тока через управляющий электрод тиристора меняется:

А) напряжение включения

В) полярность напряжения

С) прямой ток тиристора

Д) обратный ток тиристора

Е) прямое напряжение

30.Основными параметрами транзистора являются

А) ток катода, мощность

В) мощность и ток

С) ток, напряжение, мощность, габаритные размеры, коэффициент усиления по напряжению

Д) сопротивление, напряжение стабилизации, обратное напряжение

температура, размер корпуса, количество выводов

Е) допустимые напряжения на переходах, максимальный ток коллектора, максимальная мощность коллектора, коэффициент усиления по току

№16

1.