30.Что такое биполярно-совместное диффузия?

A) это диффузия носителей одного заряда;

B) это диффузия носителей двух зарядов;

C) это диффузия только электронов, но не дырок;

D) это диффузия только дырок, но не электронов;

E) это диффузия электронов и дрейф дырок.

№10

1.В полупроводниках какие основные механизмы переноса носителей существуют?

A) диффузия и дрейф носителей заряда под действием внешнего электрического поля;

B) только дрейф носителей заряда под действием внешнего электрического поля;

C) только диффузия носителей заряда под действием внешнего электрического поля;

D) диффузия и дрейф носителей заряда под действием внешнего электромагнитного поля;

E) диффузия и дрейф носителей заряда под действием магнитного поля.

2.Каким выражением определяется подвижность носителей зарядов?

A) μ = (qτ)·m^-1 ;

B) μ = (qτ)/m;

C) μ = (q)/m ;

D) μ = (τ)/m ;

E) μ = qτ.

3.Определите диффузионную длину носителей зарядов?

A) L = ;

B) L = ;

C) L = ;

D) L = ;

E) L = .

4.Диффузия носителей заряда представляет собой...

A) направленное перемещение носителей в кристалле в сторону увеличения их концентрации;

B) направленное перемещение носителей в кристалле в сторону уменьшения их концентрации;

C) когда носители заряда перемещаются из слоя с меньшей концентрацией в слой с большей концентрацией;

D) правильные ответы А) и С);

E) правильного ответа нет.

5.Какие из семейств статических характеристик транзистора являются основными?

Семейства…

A) характеристик входных и передачи тока;

B входных и обратной связи;

C) характеристики передачи тока и обратной связи;

D) входных и выходных характеристик;

E) проходных характеристик.

6.Что называется пороговым напряжением в МДП - транзисторе с индуцированным каналом?

A) Uси, при к тором образуется канал проводимости;

B) Uси, при котором наступает насыщение;

C) Uзи при котором наступает насыщение;

D) Uзи при котором образуется канал проводимости;

E) Максимальное напряжение.

7.Что такое p-n - переход?

A) область между полупроводниками различных типов, соприкасающихся между собой;

B) обедненный подвижными носителями заряда слой на границе раздела двух полупроводников с разным типом проводимости;

C) скачок потенциала на границе соединения различных полупроводников;

D) область слоев полупроводника, имеющая металлургическую границу;

E) туннельный переход.

8.Чем определяется максимальное значение рабочего тока стабилитрона?

A) наступлением теплового пробоя;

B) моментом перехода из области насыщения в область пробоя;

C) устойчивостью лавинного пробоя;

D) величиной рабочего напряжения;

E) количеством электронов в переходе.

9.Какими носителями заряда, основными или не основными, обусловлен обратный ток

коллектора?

A) основными носителями в области базы;

B) неосновными носителями, имеющимися в области базы и области коллектора;

C) основными носителями в области коллектора;

D) неосновными носителями в области эмиттера;

E) основными носителями в области эмиттера.

10.Заданы входные характеристики транзистора, работающего в активном режиме. Какой схеме включения транзистора и какому типу электропроводности они соответствуют?

A) p-n-p, ОБ;

B) n-p-n, ОБ;

C) p-n-p, ОЭ;

D) n-p-n, ОЭ;

E) p-n-p, OK.

11.Какова полярность подключения источников питания к транзистору типа р-n-р в схеме с ОК?

А)

B)

C)

D)

E)

12.Определите полные концентрации для примесного (донорного) полупроводника?

A) n =n_n + p _i, p = n_i;

B) n_i =n_n + n, p = p_i;

C) n =n_n + n_i, p = p_i;

D) n = p + n_i, n_n = p_i;

E) n_n = n + n_i, p = p_i.

13.Определите полные концентрации для примесного (акцепорного) полупроводника?

A) p_n = p + p_i, n = n_i;

B) p = p_n + p_i, n = n_i;

C) p_i = p_n + p, n = n_i;

D) p = p_n + n_i, p = n_i;

E) p_n = n + n_i, p = p_i.

14.Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников р - типа?

A) с меньшей валентностью, чем у исходного материала;

B) четырехвалентные (С, Sn);

C) пятивалентные (As, Sb);

D) с валентностью, большей, чем у исходного материала;

E) с валентностью 10.

15.Какой из h-параметров является выходной проводимостью транзистора?

A) h11;

B) h22 ;

C) h12 ;

D) h21 ;

E) h 33.

16.Что называется напряжением отсечки в полевом транзисторе? Это напряжение…

A) Ucu, при котором происходит перекрытие канала;

B) Ucu, при котором происходит перекрытие канала при нулевом токе транзистора;

C) Uзu, при котором происходит перекрытие канала при I ≠ 0;

D) Uзu, при котором происходит перекрытие канала при I = 0;

E) при котором ток максимален.