3.Что такое биполярно-совместное диффузия?

A) это диффузия носителей одного заряда;

B) это диффузия носителей двух зарядов;

C) это диффузия только электронов, но не дырок;

D) это диффузия только дырок, но не электронов;

E) это диффузия электронов и дрейф дырок.

4.Что такое дрейф носителей зарядов?

А) упорядочное движение дырок под действием электрического поля;

В) упорядочное движение электронов под действием электрического поля;

С) беспорядочное движение носителей под действием электрического поля;

D) упорядочное движение носителей под действием электрического поля;

Е) беспорядочное движение основных носителей зарядов – дырок из р –области в n -область и наоборот.

5.Электролитические конденсаторы отличаются от остальных тем, что…

A) имеют возможность регулировки величины емкости;

B) имеют большие габаритные размеры;

C) имеют большую величину емкости и напряжения;

D) содержат электролит, имеют большую величину емкости, требуют определенную полярность включения;

E) имеют отверстие для заливки электролита.

6.“Дырки ” в полупроводниковой структуре это…

А) отрицательно заряженные частицы;

B) положительно заряженные образования внутри вещества;

C) отверстия в атомах полупроводника с положительным зарядом;

D) атомы примеси;

E) молекулы примеси.

7.Электрон имеет…

A) положительный заряд;

B) высокую удельную проводимость;

C) низкий температурный коэффициент;

D) отрицательный заряд;

E) красный цвет излучения.

8.Полупроводник типа “p” имеет в своей структуре носители

электрического заряда в виде…

A) электронов;

B) атомов;

C) “дырок”;

D) ионов;

E) молекул.

9.Полупроводник типа “n” имеет в своей структуре носители

электрического заряда в виде…

A) атомов;

B) электронов;

C) нейтронов;

D) “дырок”;

E) ионов.

10.Полупроводниковый переход обладает…

A) высоким сопротивлением;

B) двухсторонней проводимость;

C) высокой проводимостью;

D) односторонней проводимостью;

E) отсутствием проводимости.

11.Основными параметрами полупроводникового диода являются…

A) наличие дырок и электронов;

B) допустимая мощность рассеивания;

C) прямой ток, импульсный ток, допустимое обратное напряжение;

D) быстродействие, ток, мощность, прямое напряжение перехода;

E) температура, сопротивление, частота.

12.Полупроводниковый стабилитрон, это элемент, работающий на…

A) импульсную мощность;

B) переменном токе;

C) прямой ветви ВАХ;

D) обратной ветви ВАХ;

E) длительности импульса.

13.Основными параметрами стабилитрона являются…

A) максимальный прямой ток и напряжение;

B) напряжение включения и ток управления:

C) напряжение стабилизации, максимальный и минимальный токи стабилизации;

D) ток утечки, быстродействие, ток анода;

E) ток базы, ток коллектора.

14.Какой переход называется гетерепереходом?

А) переход, образующийся на границе двух полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны;

В) переход, образующийся на границе двух полупроводников с различной шириной запрещенной зоны;

С) переход, образующийся на границе зоны проводимости;

D) переход, образующийся на границе валентной зоны;

Е) переход, образующийся на границе свободной зоны.

15.Определите удельную электропроводность полупроводника?

A) 10³ < σ ≤ 10^-9 Ом^-1·см^-1;

B) 10<σ≤10⁶Ом^-1·см^-1;

C) σ≥10^-12 Ом^-1·см^-1;

D) 10³ < σ ≤ 10⁶ Ом^-1·см¹;

E) 10² < σ ≤ 10 ⁹ Ом^-1·см¹.

16.Как определяют ширину заперщенной зоны?

A) φ_с = φ_з - φ_в;

B) φ_з = φ_с - φ_в;

C) φ_з = φ_в - φ_с;

D) φ_в = φ_с – φ_з;

E) φ_з = φ_с + φ_в.

17.Определите уравнение Шредингера для изолированного атома?

A) Η = Ε·Ψ;

B) Η·Ψ = Ε·Ψ;

C) Η·Ψ = Ε;

D) Η·Ψ = 1;

E) Η·Ψ = 0.

18.Определите ширину заперщенной зоны для GaAs ?

A) 1,12 эВ;

B) 0,42 эВ;

C) 0,72;

D) 0,67;

E) 1,42 эВ.

19.Определите полные концентрации для примесного (донорного) полупроводника?

A) n =n_n + p _i, p = n_i;

B) n_i =n_n + n, p = p_i;

C) n =n_n + n_i, p = p_i;

D) n = p + n_i, n_n = p_i;

E) n_n = n + n_i, p = p_i.

20.Определите полные концентрации для примесного (акцепорного) полупроводника?

A) p_n = p + p_i, n = n_i;

B) p = p_n + p_i, n = n_i;

C) p_i = p_n + p, n = n_i;

D) p = p_n + n_i, p = n_i;

E) p_n = n + n_i, p = p_i.

21.В полупроводниках какие основные механизмы переноса носителей существуют?

A) диффузия и дрейф носителей заряда под действием внешнего электрического поля;

B) только дрейф носителей заряда под действием внешнего электрического поля;

C) только диффузия носителей заряда под действием внешнего электрического поля;

D) диффузия и дрейф носителей заряда под действием внешнего электромагнитного поля;

E) диффузия и дрейф носителей заряда под действием магнитного поля.

22.Каким выражением определяется подвижность носителей зарядов?

A) μ = (qτ)·m^-1 ;

B) μ = (qτ)/m;

C) μ = (q)/m ;

D) μ = (τ)/m ;

E) μ = qτ.

23.Определите диффузионную длину носителей зарядов?

A) L = ;

B) L = ;

C) L = ;

D) L = ;

E) L = .

24.Какой ток протекает через транзистор в схеме с ОЭ при Uбэ=0 (к.з. между базой и эмиттером)? Протекает начальный коллекторный ток…

A) Iкн = Iэо;

B) Iкн = Iко;

C) Iэо > Iкн > Iко;

D) Iэбо;

E) равный нулю.

25.Температурный коэффициент сопротивления это:

1. зависимость изменения сопротивления при постоянной температуре

2. зависимость абсолютного изменения сопротивления от единичного приращения температуры

3. зависимость относительного изменения сопротивления от единичного приращения температуры

4. разность между значением сопротивления при начальной и конечной температуре

5. зависимость изменения температуры при приращении сопротивления

26.Что называется коллектором? Это область транзистора…

A) со средней концентрацией примеси;

B) назначением которой является инжекция неосновных носителей в базу;

C) со стороны закрытого p-n-перехода;

D) назначением которой является экстракция из базы неосновных носителей;

E) где происходит аннигиляция.

27.В какой схеме включения транзистора усилительный каскад имеет минимальное Rвых?

A) в схеме с ОБ;

B) с ОЭ;

C) с ОК;

D) в схеме с ОК при большом Rвых ;

E) с общим анодом.

28.Какая из схем включения транзистора обеспечивает

максимальное усиление мощности ? Схема…

A) с ОБ;

B) c ОЭ;

C) с OK;

D) во всех схемах усиление мощности одинаково;

E) с ОЗ.

29.На чем основано управление током в полевом транзисторе?

На изменении

A) ширины переходов и смещение канала при изменении входного напряжения;

B) сопротивления канала вследствие изменения концентрации инжектированных

носителей;

C) коэффициента передачи тока под действием входного напряжения;

D) емкости переходов;

E) объема кристалла.

30.Какие основные электрические параметры характеризуют постоянный резистор?

A) мощность рассеивания, допустимое напряжение, номинал, допуск;

B) мощность рассеивания, допустимый ток, сопротивление, цветные полосы;

C) величина сопротивления, допуск, габаритные размеры, тип, цена;

D) цветные полосы, угол поворота, мощность рассеивания, допуск;

E) длина, ширина, вес.

№9

1.Температурный коэффициент сопротивления показывает зависимость…

A) величины сопротивления от угла поворота;

B) величины допуска от температуры;

C) величины сопротивления от температуры;

D) величины мощности рассеивания от температуры;

E) температуры резистора от сопротивления.

2.Переменный резистор, как элемент, предназначен для…

A) регулирования отверткой;

B) регулирования напряжением;

C) регулирования током;

D) регулирования с помощью ручки управления;

E) регулирования температуры.

3.Мощность, рассеиваемая на резисторе, выражается формулой:

A) P = I R ;

B) P = U I ;

C) P = U² / R ;

D) P = I² / R ;

E) P = I R² .

4.Какие основные электрические параметры характеризуют конденсатор постоянной емкости?

A) величина емкости, допуск, допустимое напряжение, ТКЕ;

B) допустимый ток, мощность, величина емкости;

C) полярность, тип диэлектрика, напряжение пробоя, ток разряда;

D) тип, цвет, габаритные размеры;

E) ток заряда, время разряда, электрическая емкость.

5.Какой может быть величина сопротивления резистора?

A) любой;

B) кратной 2ⁿ ;

C) кратной 10ⁿ ;

D) в соответствии с допуском по определенному ряду;

E) определяется размером резистора.

6.Что таке процесс туннелирования электронов?

A) заключается в квантовом переходе системы через потенциальный барьер в случае, когда энергия электронов меньше высоты потенциального барьера;

B) заключается в квантовом переходе системы через потенциальный барьер в случае, когда энергия электронов больше высоты потенциального барьера;

C) заключается в квантовом переходе системы через потенциальный барьер в случае, когда энергия электронов равно высоте потенциального барьера;

D) заключается в квантовом переходе системы через потенциальный барьер в случае, когда энергия дырок меньше высоты потенциального барьера;

E) заключается в квантовом переходе системы через потенциальный барьер в случае, когда энергия дырок больше высоты потенциального барьера.

7.Один из условий повышения быстродействия интегральных микросхем изготовленного на основе МДП транзисторов это-

A) уменьшение длины затвора и толщины затворного окисла транзистора;

B) увеличение длины затвора и толщины затворного окисла транзистора;

C) уменьшение длины стока и толщины затворного окисла транзистора;

D) уменьшение длины истока и толщины затворного окисла транзистора;

E) уменьшение длины затвора и увеличение толщины затворного окисла транзистора.

8.Частота переключения Terahertz-транзистора составляет…

A) 10 ГГц;

B) 1000 ГГц;

C) 100 МГц;

D) 10 МГц;

E) 100 ГГц.

9.Что такое режим обеднение в МДП-транзисторах?

A) это процесс уменьшения числа носителей в канале;

B) это процесс увеличения числа носителей в канале;

C) это процесс уменьшения числа носителей в истоке;

D) это процесс уменьшения числа носителей в стоке;

E) это процесс уменьшения числа носителей в затворе.

10.Укажите рабочую ветвь ВАХ стабилитрона.

A )

B)

C)

D)

E)

11.Укажите схему включения выпрямительного диода для исследования обратной ветви ВАХ.

A)

B)

С)

D)

E) с общей базой.

12.Как зависит обратный ток полупроводникового диода от температуры?

A) сначала растет, потом остается постоянным;

B) уменьшается с ростом температуры;

C) увеличивается с ростом температуры;

D) растет и проходит через максимум;

E) проходит через минимум.

13.За счет чего (главная причина) может выйти из строя транзистор в схеме с ОЭ при обрыве базы?

A) за счет недопустимого перераспределения напряжения источника питания между переходами;

B) нет пути для электронов коллектора;

C) за счет отрицательного пространственного заряда;

D) за счет уменьшения высоты потенциального барьера ЭП;

E) за счет потери эмиссии.

14.Что такое режим насыщения транзистора?

A) ЭП и КП смещены в обратном направлении;

B) ЭП смещен в прямом, а КП - в обратном;

C) ЭП смещен в обратном, а КП - в прямом;

D) ЭП и КП смещены в прямом направлении;

E) режим теплового пробоя.

15.Что такое аналоговая интегральная микросхема?

A) это микросхема, разработанная на основе базовых (в том числе матричных) кристаллов;

B) это микросхема определенного функционального назначения;

C) это микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции;

D) это микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции;

E) это микросхема, разработанная на основе стандартных и (или) специально созданных элементов и узлов по функциональной схеме заказчика и предприятия.

16.IGBT транзистор - гибридный полупроводниковый прибор. В IGBT транзисторе используются два способа управления электрическим током. Определите эти способы?

A) управление магнитным полем и управление инжекцией носителей зарядов;

B) управление электрическим полем и управление инжекцией основных носителей зарядов;

C) управление электрическим полем и управление инжекцией неосновных носителей зарядов;

D) управление электрическим полем и управление экстракцией носителей зарядов;

E) управление электрическим полем и управление инжекцией носителей зарядов.

17.Как определяется быстродействие интегральных схем (ИС)?

A) минимальным временем задержки сигнала;

B) средним временем задержки сигнала;

C) максимальным временем задержки сигнала;

D) зависит от типа интегральной схемы;

E) ответы A) и C).

18.Если потребляемая мощность ИМС в промежутке 25 мВт ≤ Р_ср≤ 250 мВт, то ИМС называется мощным. Определите тип схемы?

A) ТТЛ-схема;

B) И²Л- схема;

C) КМДП- схема;

D) РТЛ- схема;

E) ЭСЛ- схема.

19.Если потребляемая мощность ИМС в промежутке 3 мВт ≤ Р_ср≤ 25 мВт, то ИМС называется средней мощности. Определите тип схемы?

A) ТТЛ-схема;

B) И²Л- схема;

C) КМДП- схема;

D) РТЛ- схема;

E) ЭСЛ- схема.

20.Если потребляемая мощность ИМС в промежутке 1 мВт ≤ Р_ср≤ 300 мкВт то ИМС называется средней мощности. Определите тип схемы?

A) ТТЛ-схема;

B) И²Л- схема;

C) КМДП- схема;

D) РТЛ- схема;

E) ЭСЛ- схема.

21.Как определяется быстродействие интегральных схем (ИС)?

A) минимальным временем задержки сигнала;

B) средним временем задержки сигнала;

C) максимальным временем задержки сигнала;

D) зависит от типа интегральной схемы;

E) ответы A) и C).

22.Диффузия примесей — это…

A) процесс легирования полупроводника только акцепторами (но, не донарами) в заданной концентрации и на нужную глубину;

B) процесс легирования полупроводника только донорами (но, не акцепторами) в заданной концентрации и на нужную глубину;

C) процесс легирования полупроводника донорами и акцепторами в заданной концентрации и на нужную глубину;

D) процесс легирования полупроводника донорами или акцепторами в заданной концентрации и на нужную глубину;

E) процесс выращивания на подложке монокристаллической пленки, повторяющей кристаллическую структуру подложки.

23.Что понимают под обратным током базы Iбэо?

Понимают ток базы…

A) при разомкнутом коллекторе и заданном напряжении Uбэ;

B) при замкнутом накоротко коллекторе и эмиттере и Uбэ = const;

C) при заданных обратных напряжениях Uбэ и Ukэ;

D) при замкнутом эмиттере и заданном обратном напряжении Ukб;

E) при пробое.

24.Представлены характеристики транзистора. Какой тип электропроводности и какая схема включения применена?

A) р-n-р, ОБ;

B) р-n-р, ОЭ;

C) n-p-n, ОБ;

D) n-p-n, ОЭ;

E) n-p-n, ОИ.

25.Что ограничивает максимально допустимый прямой ток через диод?

A) электрический пробой;

B) лавинный пробой;

C) разогрев p-n перехода;

D) рост сопротивления;

E) тепловой пробой.

26.Как связаны между собой токи электродов транзистора?

A) Iб= Iэ+Iк;

B) Iб= -Iэ+Iк;

C) Iб= Iэ-Iк;

D) Iб= Iэ- 2Iк;

E) Iб= Iэ-Iк + 1.

27.Легирование полупроводников представляет собой…

A) физико-химический процесс, которой происходит при достаточно высоком давлении газов и значительной энергии частиц;

B) новое направление, являющиеся комбинацией высокотемпературной диффузии и ионной имплантации;

C) процесс введения примесных атомов в твердое тело путем бомбардировки его поверхности ускоренными ионами;

D) процесс введения примесей или структурных дефектов с целью направленного с целью направленного изменения электрических свойств;

E) процесс наращивания монокристаллических слоев вещества на подложку (кристалл), при котором кристаллографическая ориентация наращиваемого слоя повторяет кристаллографическую ориентацию подложки.

28.Эпитаксия представляет собой…

A) физико-химический процесс, которой происходит при достаточно высоком давлении газов и значительной энергии частиц;

B) новое направление, являющиеся комбинацией высокотемпературной диффузии и ионной имплантации;

C) процесс введения примесных атомов в твердое тело путем бомбардировки его поверхности ускоренными ионами;

D) процесс введения примесей или структурных дефектов с целью направленного с целью направленного изменения электрических свойств;

E) процесс наращивания монокристаллических слоев вещества на подложку (кристалл), при котором кристаллографическая ориентация наращиваемого слоя повторяет кристаллографическую ориентацию подложки.

29.Что такое монополярная диффузия?

A) это диффузия носителей одного заряда;

B) это диффузия носителей двух зарядов;

C) это диффузия только электронов, но не дырок;

D) это диффузия только дырок, но не электронов;

E) это биполярно-совместная диффузия электронов и дырок.