Электроника

1.Какой переход называется гетерепереходом?

А) переход, образующийся на границе двух полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны

В) переход, образующийся на границе двух полупроводников с различной шириной запрещенной зоны

С) переход, образующийся на границе зоны проводимости

D) переход, образующийся на границе валентной зоны

Е) переход, образующийся на границе свободной зоны

2.Определите удельную электропроводность полупроводника?

A) 10³ < σ ≤ 10^-9 Ом^-1·см^-1

B) 10<σ≤10⁶Ом^-1·см^-1

C) σ≥10^-12 Ом^-1·см^-1

D) 10³ < σ ≤ 10⁶ Ом^-1·см¹

E) 10² < σ ≤ 10 ⁹ Ом^-1·см¹

3.Как определяют ширину заперщенной зоны?

A) φ_с = φ_з - φ_в;

B) φ_з = φ_с - φ_в;

C) φ_з = φ_в - φ_с;

D) φ_в = φ_с – φ_з;

E) φ_з = φ_с + φ_;.

4.Определите уравнение Шредингера для изолированного атома?

A) Η = Ε·Ψ;

B) Η·Ψ = Ε·Ψ;

C) Η·Ψ = Ε;

D) Η·Ψ = 1;

E) Η·Ψ = 0;

5.Определите ширину заперщенной зоны для GaAs ?

A) 1,12 эВ;

B) 0,42 эВ;

C) 0,72;

D) 0,67;

E) 1,42 эВ;

6.Какой полупроводник называется примесным?

A) полупроводник, содержащий примесь с большой концентрацией

B) полупроводник, содержащий примесь в небольшой концентрации с валентностью, отличной от основного вещества

C) полупроводник, содержащий примесь в небольшой концентрации

D) сплав кремния и германия

E) смесь различных полупроводников

7.Что такое диффузия носителей в полупроводнике?

A) движение за счет внешнего электрического поля;

B) движение за счет градиента разности концентрации;

C) движение носителей за счет внешнего электрического поля;

D) хаотическое тепловое движение;

E) движение за счет внутреннего электрического поля;

8.Какова примерно высота потенциального барьера изолированного р-n перехода в Si?

A) 0,5 … 1,0 В;

B) 0,3 … 0,4 В;

C) 0,01 … 0,05 В;

D) 0,05 … 0,1 В;

E) 1..1,5 B;

9.Что произойдет с направлением и величиной тока, при изменении полярности напряжения, приложенному к р полупроводнику?

A) ток изменит свое направление без изменения величины;

B) ток будет изменяться по экспоненциальному закону;

C) ток не изменит своего направления;

D) ток уменьшится до малой величины;

E) ток будет отсутствовать;

10.Как зависит обратный ток коллектора от температуры?

A) с ростом температуры увеличивается;

B) с ростом температуры уменьшается;

C) не зависит от температуры;

D) имеет волнообразную зависимость;

E) обратно пропорционален производной температуры;

11.Что такое биполярно-совместное диффузия?

A) это диффузия носителей одного заряда;

B) это диффузия носителей двух зарядов;

C) это диффузия только электронов, но не дырок;

D) это диффузия только дырок, но не электронов;

E) это диффузия электронов и дрейф дырок;

12.Что такое дрейф носителей зарядов?

А) упорядочное движение дырок под действием электрического поля;

В) упорядочное движение электронов под действием электрического поля;

С) беспорядочное движение носителей под действием электрического поля;

D) упорядочное движение носителей под действием электрического поля;

Е) беспорядочное движение основных носителей зарядов – дырок из р –области в n -область и наоборот;

13.Как создаются анизотипные переходы?

A) в результате контакта полупроводника только с дырочной проводимостью;

B) в результате контакта полупроводника только с электронной проводимостью;

C) в результате контакта полупроводников с дырочной и электронными типами проводимости;

D) в полупроводнике р-типа с большей шириной запрещенной зоны;

E) в полупроводнике n-типа с большей шириной запрещенной зоны;

14.Принцип действия униполярных транзисторов основан на использовании только...

A) одного знака (электронов или дырок);

B) только электронов;

C) только дырок;

D) электронов и дырок;

E) попеременно электронов и дырок;

15.Определите условное обозначение транзистора р-типа с индуцированным каналом?

А)

B)

C)

D)

E)

16.Фотодиод предназначен для…

А) преобразования тепла в электрический ток;

B) освещения шкалы прибора;

C) преобразования светового потока в электрический параметр;

D) получения фотографии;

E) для контроля температуры;

17.Элемент имеет надпись на корпусе "КТ201Б", это…

А) диод;

B) тиристор;

C) транзистор;

D) резистор;

E) варистор;

18.При переводе усилителя из усиления в классе " В" в режим, соответствующий классу "А", ток, потребляемый усилителем…

А) уменьшится;

B) увеличится;

C) не изменится;

D) станет равным нулю;

E) станет реактивным;

19.Для открывания тиристора необходимо обеспечить следующие условия:

А) переменное напряжение на анод;

B) напряжение соответствующей полярности между анодом и катодом;

C) напряжение соответствующей полярности на управляющем электроде при определенном напряжении между катодом и анодом;

D) ток анода меньше тока утечки;

E) переменный ток катода;

20.Для запирания открытого тиристора необходимо…

А) увеличить ток анода;

B) увеличить ток катода;

C) уменьшить ток анода до определенной величины;

D) увеличить напряжение на управляющем электроде;

E) уменьшить напряжение на управляющем электроде;

21.Динистор – это…

А) дистанционно управляемый резистор;

B) дискретный транзистор;

C) двойной резистор;

D) двухполярный источник питания;

E) полупроводниковый элемент с внутренней положительной обратной связью;

22.Легирование полупроводников представляет собой…

A) физико-химический процесс, которой происходит при достаточно высоком давлении газов и значительной энергии частиц;

B) новое направление, являющиеся комбинацией высокотемпературной диффузии и ионной имплантации;

C) процесс введения примесных атомов в твердое тело путем бомбардировки его поверхности ускоренными ионами;

D) процесс введения примесей или структурных дефектов с целью направленного с целью направленного изменения электрических свойств;

E) процесс наращивания монокристаллических слоев вещества на подложку (кристалл), при котором кристаллографическая ориентация наращиваемого слоя повторяет кристаллографическую ориентацию подложки;

23.Что такой интегральный резистор?

A) представляет элемент интегральных схем с заданными параметрами, которой используются в электрических цепях для обеспечения требуемого распределения тока и напряжений между отдельными участками цепи;

B) представляет собой элементы интегральных схем, состоящие из проводящих электродов, разделенных диэлектриком и предназначенные для использования в электрических цепях для обеспечения требуемого распределения тока и напряжения между отдельными элементами цепи;

C) предназначены для выполнения ряда логических функции переключения электрических сигналов, выпрямления электрического тока, детектирования сигналов;

D) это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий несколько электродов и предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний;

E) правильные ответы В) и D);

24.Что такое аналоговая интегральная микросхема?

A) это микросхема, разработанная на основе базовых (в том числе матричных) кристаллов;

B) это микросхема определенного функционального назначения;

C) это микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции;

D) это микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции;

E) это микросхема, разработанная на основе стандартных и (или) специально созданных элементов и узлов по функциональной схеме заказчика и предприятия;

25.IGBT транзистор - гибридный полупроводниковый прибор. В IGBT транзисторе используются два способа управления электрическим током. Определите эти способы?

A) управление магнитным полем и управление инжекцией носителей зарядов;

B) управление электрическим полем и управление инжекцией основных носителей зарядов;

C) управление электрическим полем и управление инжекцией неосновных носителей зарядов;

D) управление электрическим полем и управление экстракцией носителей зарядов;

E) управление электрическим полем и управление инжекцией носителей зарядов;

26.Как определяется быстродействие интегральных схем (ИС)?

A) минимальным временем задержки сигнала;

B) средним временем задержки сигнала;

C) максимальным временем задержки сигнала;

D) зависит от типа интегральной схемы;

E) ответы A) и C).

27.Если потребляемая мощность ИМС в промежутке 25 мВт ≤ Р_ср≤ 250 мВт, то ИМС называется мощным. Определите тип схемы?

A) ТТЛ-схема;

B) И²Л- схема;

C) КМДП- схема;

D) РТЛ- схема;

E) ЭСЛ- схема;

28.Определите тип интегрального биполярного диода включенного по схеме Б-ЭК (база-эмиттер коллектор)?

A)

B)

¬

C)

D)

E)

30.На рисунке показана интегральный транзистор …

A) с диодом Ганны;

B) с диодом Шоттки;

C) с выпрямительным диодом;

D) с импульсным диодом;

E) с СВЧ диодом;

№2

1.Определите схему логического элемента И?

A)

B)

C)

D)

E)

2.Что таке процесс туннелирования электронов?

A) заключается в квантовом переходе системы через потенциальный барьер в случае, когда энергия электронов меньше высоты потенциального барьера;

B) заключается в квантовом переходе системы через потенциальный барьер в случае, когда энергия электронов больше высоты потенциального барьера;

C) заключается в квантовом переходе системы через потенциальный барьер в случае, когда энергия электронов равно высоте потенциального барьера;

D) заключается в квантовом переходе системы через потенциальный барьер в случае, когда энергия дырок меньше высоты потенциального барьера;

E) заключается в квантовом переходе системы через потенциальный барьер в случае, когда энергия дырок больше высоты потенциального барьера.

3.Один из условий повышения быстродействия интегральных микросхем изготовленного на основе МДП транзисторов это-

A) уменьшение длины затвора и толщины затворного окисла транзистора;

B) увеличение длины затвора и толщины затворного окисла транзистора;

C) уменьшение длины стока и толщины затворного окисла транзистора;

D) уменьшение длины истока и толщины затворного окисла транзистора;

E) уменьшение длины затвора и увеличение толщины затворного окисла транзистора.

4.Частота переключения Terahertz-транзистора составляет…

A) 10 ГГц;

B) 1000 ГГц;

C) 100 МГц;

D) 10 МГц;

E) 100 ГГц.

5.Что такое режим обеднение в МДП-транзисторах?

A) это процесс уменьшения числа носителей в канале;

B) это процесс увеличения числа носителей в канале;

C) это процесс уменьшения числа носителей в истоке;

D) это процесс уменьшения числа носителей в стоке;

E) это процесс уменьшения числа носителей в затворе.

6.Основные переносчики зарядов в жидкостях…

1. электроны;

2. протоны;

3. нейтроны;

4. ионы;

5. герконы.

7.К двум золотым электродам длиной 10 см, расположенным на расстоянии 20 см, подсоединен прибор для измерения сопротивления. Где показания прибора будут минимальными?

A) в морской воде;

B) в речной воде;

C) в спирте;

D) в трансформаторном масле;

E) в бензине.

8.Имеется 2 конденсатора с воздушным диэлектриком. У первого конденсатора расстояние между пластинами в 2 раза больше чем у другого, а остальные параметры конденсаторов одинаковые. Во сколько раз отличается емкость второго конденсатора от первого?

1. в 4 раза;

2. не отличается;

3. в 2 раза;

4. в 0,5 раза;

5. в 1 раз.

9.Имеется 2 конденсатора, один из которых с воздушным диэлектриком, а другой с керамическим диэлектриком с величиной относительной диэлектрической проницаемости равной 2. Остальные параметры конденсаторов одинаковые. Во сколько раз отличается емкость второго конденсатора от первого?

А) в 4 раза;

B) не отличается;

C) в 2 раза;

D) в 0,5 раза;

E) в 1 раз.

10.Имеется 2 конденсатора с воздушным диэлектриком. У первого конденсатора площадь пластин в 2 раза больше чем у другого, а остальные параметры конденсаторов одинаковые. Во сколько раз отличается емкость первого конденсатора от второго?

А) в 4 раза;

B) не отличается;

C) в 2 раза;

D) в 0,5 раза;

E) в 1 раз.

11.Имеется 2 конденсатора с воздушным диэлектриком. У первого конденсатора толщина пластин в 2 раза больше чем у другого, а остальные параметры конденсаторов одинаковые. Во сколько раз отличается емкость первого конденсатора от второго?

А) в 4 раза;

B) не отличается;

C) в 2 раза;

D) в 0,5 раза;

E) в 1 раз.

12.К источнику питания напряжением 10 В подсоединены два последовательно соединенные диода в обратном включении. Каково напряжение на первом диоде, если обратный ток второго диода в 4 раза больше?

А) 4 В;

B) 10 В;

C) 2 В;

D) 8 В;

E) 1 В.

13.К источнику питания напряжением 10 В подсоединены два последовательно соединенные диода в обратном включении. Каково напряжение на первом диоде, если обратный ток первого диода в 4 раза больше?

А) 4 В;

B) 10 В;

C) 2 В;

D) 5 В;

E) 1 В.

14.К источнику питания напряжением 9 В подсоединены три последовательно соединенные диода в обратном включении. Каково напряжение на втором диоде, если обратные токи всех диодов одинаковы?

А) 4 В;

B) 10 В;

C) 2 В;

D) 3 В;

E) 1 В.

15.К источнику питания напряжением 9 В подсоединены два последовательно соединенные диода в прямом включении и ограничительный резистор, причем первый диод изготовлен на основе германия, а второй диод - на основе кремния. Каково будет распределение напряжений на диодах?

А) на первом больше, чем на втором;

B) на втором больше, чем на первом;

C) напряжение будут одинаковы;

D) напряжений не будет;

E) 9 В.

16.К источнику питания подсоединены последовательно соединенные диод в прямом включении и ограничительный резистор. Напряжение на диоде составляет величину U. Как изменится напряжение на диоде при повышении температуры?

А) увеличится;

B) останется неизменным;

C) уменьшится;

D) напряжения не будет;

E) U.

17.К источнику питания подсоединены последовательно соединенные диод в прямом включении и ограничительный резистор. Напряжение на диоде составляет величину U. Как изменится напряжение на резисторе при повышении температуры?

А) увеличится;

B) останется неизменным;

C) уменьшится;

D) напряжения не будет;

E) U.

18.К источнику питания подсоединены последовательно соединенные диод в обратном включении и ограничительный резистор. Напряжение на диоде составляет величину U. Как изменится напряжение на диоде при повышении температуры?

А) увеличится;

B) останется неизменным;

C) уменьшится;

D) напряжения не будет;

E) U.

18.Каким выражением определяется подвижность носителей зарядов?

A) μ = (qτ)·m^-1 ;

B) μ = (qτ)/m;

C) μ = (q)/m ;

D) μ = (τ)/m ;

E) μ = qτ.

20.Определите диффузионную длину носителей зарядов?

A) L = ;

B) L = ;

C) L = ;

D) L = ;

E) L = .

21.Диффузия носителей заряда представляет собой...

A) направленное перемещение носителей в кристалле в сторону увеличения их концентрации;

B) направленное перемещение носителей в кристалле в сторону уменьшения их концентрации;

C) когда носители заряда перемещаются из слоя с меньшей концентрацией в слой с большей концентрацией;

D) правильные ответы А) и С);

E) правильного ответа нет.

22.Что такое монополярная диффузия?

A) это диффузия носителей одного заряда;

B) это диффузия носителей двух зарядов;

C) это диффузия только электронов, но не дырок;

D) это диффузия только дырок, но не электронов;

E) это биполярно-совместная диффузия электронов и дырок.

23.Что такое биполярно-совместное диффузия?

A) это диффузия носителей одного заряда;

B) это диффузия носителей двух зарядов;

C) это диффузия только электронов, но не дырок;

D) это диффузия только дырок, но не электронов;

E) это диффузия электронов и дрейф дырок.

24.Что такое дрейф носителей зарядов?

А) упорядочное движение дырок под действием электрического поля;

В) упорядочное движение электронов под действием электрического поля;

С) беспорядочное движение носителей под действием электрического поля;

D) упорядочное движение носителей под действием электрического поля;

Е) беспорядочное движение основных носителей зарядов – дырок из р –области в n -область и наоборот.

25.Как создаются анизотипные переходы?

A) в результате контакта полупроводника только с дырочной проводимостью;

B) в результате контакта полупроводника только с электронной проводимостью;

C) в результате контакта полупроводников с дырочной и электронными типами проводимости;

D) в полупроводнике р-типа с большей шириной запрещенной зоны;

E) в полупроводнике n-типа с большей шириной запрещенной зоны.

26.Принцип действия униполярных транзисторов основан на использовании только...

A) одного знака (электронов или дырок);

B) только электронов;

C) только дырок;

D) электронов и дырок;

E) попеременно электронов и дырок.

27.Схема содержит два параллельно соединенных конденсатора величиной 1 мкФ с положительным ТКЕ, и находится в тепловом потоке.

Какова общая емкость схемы?

A) 2 мкФ;

B) более 2 мкФ;

C) менее 0,5 мкФ;

D) более 0,5 мкФ;

E) 0,5 мкФ.

28.Схема содержит два параллельно соединенных конденсатора величиной 1 мкФ с положительным ТКЕ, и находится в световом потоке.

Какова общая емкость схемы?

A) 2 мкФ;

B) более 2 мкФ;

C) менее 0,5 мкФ;

D) более 0,5 мкФ;

E) 0,5 мкФ.

29.Схема содержит два последовательно соединенных конденсатора величиной 1 мкФ с отрицательным ТКЕ, и находится под воздействием давления.

Какова общая емкость схемы?

A) 2 мкФ;

B) более 2 мкФ;

C) менее 0,5 мкФ;

D) более 0,5 мкФ;

E) 0,5 мкФ.

30.Схема содержит два последовательно соединенных конденсатора величиной 1 мкФ с отрицательным ТКЕ, и находится в тепловом потоке.

Какова общая емкость схемы?

A) 2 мкФ;

B) более 2 мкФ;

C) менее 0,5 мкФ;

D) более 0,5 мкФ;

E) 0,5 мкФ.

№3

1.Схема содержит два последовательно соединенных конденсатора величиной 1 мкФ с отрицательным ТКЕ, и находится в световом потоке.

Какова общая емкость схемы?

A) 2 мкФ;

B) более 2 мкФ;

C) менее 0,5 мкФ;

D) более 0,5 мкФ;

E) 0,5 мкФ.

2.Схема содержит два последовательно соединенных конденсатора величиной 1 мкФ с положительным ТКЕ, и находится под воздействием давления.

Какова общая емкость схемы:

A) 2 мкФ;

B) более 2 мкФ;

C) менее 0,5 мкФ;

D) более 0,5 мкФ;

E) 0,5 мкФ.

3.Схема содержит два последовательно соединенных конденсатора величиной 1 мкФ с положительным ТКЕ, и находится в тепловом потоке.

Какова общая емкость схемы?

A) 2 мкФ;

B) более 2 мкФ;

C) менее 0,5 мкФ;

D) более 0,5 мкФ;

E) 0,5 мкФ.

4.Схема содержит два последовательно соединенных конденсатора величиной 1 мкФ с положительным ТКЕ, и находится в световом потоке.

Какова общая емкость схемы?

A) 2 мкФ;

B) более 2 мкФ;

C) менее 0,5 мкФ;

D) более 0,5 мкФ;

E) 0,5 мкФ.

5.Где больше резисторов в диапазоне от 1 кОм до 100 кОм: в коробке с резисторами изготовленными по ряду Е24 или в коробке с резисторами изготовленными по ряду Е12?

A) в коробке с резисторами по ряду Е24;

В) в коробке с резисторами по ряду Е12;

C) количество резисторов одинаково;

D) вопрос не имеет смысла;

E) ситуация зависит от размера резисторов.

6.Где больше резисторов в диапазоне от 1 кОм до 100 кОм: в коробке с резисторами изготовленными с допуском 5 % или в коробке с резисторами изготовленными с допуском 20%?

A) в коробке с резисторами с допуском 5%;

B) в коробке с резисторами с допуском 20%;

C) количество резисторов одинаково;

D) вопрос не имеет смысла;

E) ситуация зависит от размера резисторов.

7.Чем вызвана проводимость электрического тока металлами?

A) наличием свободных электронов;

B) наличием ионов;

C) наличием дырок;

D) наличием нейтронов;

E) магнитным полем Земли.

8.В полевых транзисторах используются управление током с помощью электрического поля и определите какими способами осуществляется это управление?

A) только с помощью р-n перехода;

B) с помощью р-n перехода и с помощью изолированного электрода;

C) только с помощью изолированного электрода;

D) с помощью изолированного затвора;

E) с помощью изолированного стока и истока.

9.В МДП-транзисторе технологическом путем можно создать канал, соединяющий исток со стоком. И как называется такой транзистор?

A) транзистор с индуцированным каналом р-типа;

B) транзистор с индуцированным каналом n-типа;

C) транзистор со встроенным каналом;

D) транзистор с управляющим р-n переходом;

E) ответы А) и В).

10.Определите условное обозначение транзистора р-типа со встроенным каналом?

А)

B)

C)

D)

E)

Е)

11.Многоэмиттерном транзисторе число эмиттера достигает...

A) от 3 до 8

B) от 3 до 9

C) от 3 до 10

D) от 3 до 11

E) от 3 до 12

12.Определите формулу крутизны полевого транзистора?

A) , при U_зи =const;

B) , при U_cи=const;

C) , при U_зи=const;

D) , при I_c =const;

E) , при U_cи=const.

13. Определите формулу коэффициента усиления полевого транзистора?

A) , при U_зи =const;

B) , при U_cи=const;

C) , при U_зи=const;

D) , при I_c =const;

¬E) , при U_cи=const.

14.Определите коэффициент инжекции определяющий эффективности эмиттера биполярного транзистора?

A) χ= (I_рэ+ I_nэ)/(I_рэ);

B) χ = (I_рэ+ I_nэ)/(I_рэ);

C) χ =(I_рэ)/( I_рэ+ I_nэ);

D) χ = (I_рэ)·( I_рэ+ I_nэ);

E) χ = (I_рэ- I_nэ)/(I_рэ).

15.Определите диодную модель n-p-n модель транзистора?

A)

B)

C)

D)

E) Правильные ответы В) и С).

16.Определите полный ток коллекторной цепи?

A) I_к =α ∙I_э + I_кбо;

B) I_к =α ∙I_э + I_эбо;

C) I_к =α ∙I_б + I_кбо;

D) I_к =α ∙I_э - I_кбо;

E) I_к =α ∙I_к - I_кбо.

17.Схема содержит два параллельно соединенных конденсатора величиной 1 мкФ с отрицательным ТКЕ, и находится под воздействием давления.

Какова общая емкость схемы?

A) 2 мкФ;

B) более 2 мкФ;

C) менее 0,5 мкФ;

D) более 0,5 мкФ;

E) 0,5 мкФ.

18.Схема содержит два параллельно соединенных конденсатора величиной 1 мкФ с отрицательным ТКЕ, и находится в тепловом потоке.

Какова общая емкость схемы?

A) 2 мкФ;

B) более 2 мкФ;

C) менее 2 мкФ;

D) более 0,5 мкФ;

E) 0,5 мкФ.

19.Схема содержит два параллельно соединенных конденсатора величиной 1 мкФ с отрицательным ТКЕ, и находится в световом потоке.

Какова общая емкость схемы?

A) 2 мкФ;

B) более 2 мкФ;

C) менее 0,5 мкФ;

D) более 0,5 мкФ;

E) 0,5 мкФ.

20.Схема содержит два параллельно соединенных конденсатора величиной 1 мкФ с положительным ТКЕ, и находится под воздействием давления.

Какова общая емкость схемы?

A) 2 мкФ;

B) более 2 мкФ;

C) менее 0,5 мкФ;

D) более 0,5 мкФ;

E) 0,5 мкФ.

21.Схема содержит два параллельно соединенных резистора величиной 1 кОм, один из которых фоторезистор, и находится под воздействием давления.

Каково общее сопротивление схемы?

A) 2 кОм;

B) более 2 кОм;

C) менее 500 Ом;

D) более 500 Ом;

E) 500 Ом.

22.Схема содержит два параллельно соединенных резистора величиной 1 кОм, один из которых фоторезистор, и находится в световом потоке.

Каково общее сопротивление схемы?

A) 2 кОм;

B) более 2 кОм;

C) менее 500 Ом;

D) более 500 Ом;

E) 500 Ом.

23.Схема содержит два параллельно соединенных резистора величиной 1 кОм, один из которых проволочный тензорезистор, и находится в световом потоке.

Каково общее сопротивление схемы?

A) 2 кОм;

B) более 2 кОм;

C) менее 500 Ом;

D) более 500 Ом;

E) 500 Ом.

24.Определите диодную модель р-n-p модель транзистора ?

A)

B)

C)

D)

E) Правильные ответы А) и С).

25.Определите формулу внутреннего дифференциального сопротивления полевого транзистора?

A) , при U_зи =const;

B) , при U_cи=const;

C) , при U_зи=const;

D) , при I_c =const;

E) , при U_cи=const.

26.Как называется фотомеханический способ изготовления печатной формы плоской печати на заданной поверхности?

A) фотолитография;

B) электронолитография;

C) ренгенолитография ;

D) ионная литография;

E) лазерная литография.

27.Как называется высокоразрешающий метод создания топологии микроструктур с использованием электронных пучков в качестве электронного пучка?

A) фотолитография;

B) электронолитография;

C) ренгенолитография;

D) ионная литография;

E) лазерная литография.

28.Как называется процесс наращивания монокристаллических слоев вещества на подложку (кристалл), при котором кристаллографическая ориентация наращиваемого слоя повторяет кристаллографическую ориентацию подложки?

A) легирование полупроводников;

B) эпитаксия;

C) высокотемпературное легирование;

D) ионная имплатанция;

E) радиационно-стимулированная диффузия.

29.Как называется процесс введения примесей или структурных дефектов с целью направленного изменения?

A) легирование полупроводников;

B) эпитаксия;

C) высокотемпературное легирование;

D) ионная имплатанция;

E) радиационно-стимулированная диффузия.

30.Как называется процесс введения примесных атомов в твердое тело путем бомбардировки его поверхности ускоренными ионами?

A) легирование полупроводников;

B) эпитаксия;

C) высокотемпературное легирование;

D) ионная имплатанция;

E) радиационно-стимулированная диффузия.

№4

1.Какой транзистор может работать только в режиме обогощения?

A) МДП-транзистор со встроенным каналом;

B) МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа;

C) МДП-транзистор с индуцированным каналом р-типа;

D) полевой транзистор с упавляющим р-n -переходом

E) интегральный биполярный транзистор.

2.Схема содержит два последовательно соединенных резистора величиной 1 кОм, один из которых терморезистор с отрицательным ТКС, и находится под воздействием давления.

Каково общее сопротивление схемы?

A) 2 кОм;

B) более 2 кОм;

C) менее 2 кОм;

D) 1 кОм;

E) 500 Ом.

3.Схема содержит два последовательно соединенных резистора величиной 1 кОм, один из которых проволочный тензорезистор, и находится в световом потоке.

Каково общее сопротивление схемы?

A) 2 кОм;

B) более 2 кОм;

C) менее 2 кОм;

D) 1 кОм;

E) 500 Ом.

4.Схема содержит два последовательно соединенных резистора величиной 1 кОм, одиниз которых проволочный тензорезистор, и находится в тепловом потоке.

Каково общее сопротивление схемы?

A) 2 кОм;

B) более 2 кОм;

C) менее 2 кОм;

D) 1 кОм;

E) 500 Ом.

5.Схема содержит два последовательно соединенных резистора величиной 1 кОм, один из которых проволочный тензорезистор, и находится под воздействием давления.

Каково общее сопротивление схемы?

A) 2 кОм;

B) более 2 кОм;

C) менее 2 кОм;

D) 1 кОм;

E) 500 Ом.

6.Схема содержит два последовательно соединенных резистора величиной 1 кОм, один из которых фоторезистор, и находится в световом потоке.

Каково общее сопротивление схемы?

A) 2 кОм;

B) более 2 кОм;

C) менее 2 кОм;

D) 1 кОм;

E) 500 Ом.

7.Схема содержит два последовательно соединенных резистора величиной 1 кОм, один из которых фоторезистор, и находится в тепловом потоке.

Каково общее сопротивление схемы?

A) 2 кОм;

B) более 2 кОм;

C) менее 2 кОм;

D) 1 кОм;

E) 500 Ом.

8.Схема содержит два последовательно соединенных резистора величиной 1 кОм, один из которых фоторезистор, и находится под воздействием давления.

Каково общее сопротивление схемы?

A) 2 кОм;

B) более 2 кОм;

C) менее 2 кОм;

D) 1 кОм;

E) 500 Ом.

9.Схема содержит два параллельно соединенных резистора величиной 1 кОм, один из которых фоторезистор, и находится в тепловом потоке.

Каково общее сопротивление схемы?

A) 2 кОм;

B) более 2 кОм;

C) менее 500 Ом;

D) более 500 Ом;

E) 500 Ом.

10.IGBT транзистор - гибридный полупроводниковый прибор. В IGBT транзисторе используются два способа управления электрическим током. Определите эти способы?

A) управление магнитным полем и управление инжекцией носителей зарядов;

B) управление электрическим полем и управление инжекцией основных носителей зарядов;

C) управление электрическим полем и управление инжекцией неосновных носителей зарядов;

D) управление электрическим полем и управление экстракцией носителей зарядов;

E) управление электрическим полем и управление инжекцией носителей зарядов.

11.На основании какого материала изготовливается транзистор с барьером Шоттки?

A) на основе кремния;

B) на основе германия;

C) на основе арсенида-галлия;

D) только на основе арсенида;

E) только на основе галлия.

12.Какой элемент используется в качестве диэлектрика в МОП-транзисторе?

A) SiO₂;

B) GeO₂;

C) GaAs;

D) Ga;

E) As.

13.Определите мощность резистора при следующих параметрах напряжение U=10В, ток I=20mA, сопротивление резистора 1кОм

1. 1,0 Вт

2. 0,1 Вт

3. 2,0 Вт

4. 250 mВт

5. 0,2 Вт

14.От чего зависит сопротивление позистора?

А) от напряжения;

B) от тока;

C) от освещенности;

D) от давления;

E) от температуры.

15.От чего зависит сопротивление фоторезистора?

А) от напряжения;

B) от тока;

C) от освещенности;

D) от давления;

E) от температуры.

16.От чего зависит сопротивление тензорезистора?

А) от напряжения;

B) от тока;

C) от освещенности;

D) от давления;

E) от температуры.

17.Что такое режим обеднение в МДП-транзисторах?

A) это процесс уменьшения числа носителей в канале;

B) это процесс увеличения числа носителей в канале;

C) это процесс уменьшения числа носителей в истоке;

D) это процесс уменьшения числа носителей в стоке;

E) это процесс уменьшения числа носителей в затворе.

18.Сколько элементов содержит ГБИС?

A) до10⁹ элементов на кристалл;

B) более 10⁹ элементов на кристалл;

C) до 10⁶ элементов на кристалл;

D) до 10⁷ элементов на кристалл;

E) до 10³ элементов на кристалл.

19.Сколько элементов содержит СБИС (сверхбольшие ИС)?

A) до10⁹ элементов на кристалл;

B) более 10⁹ элементов на кристалл;

C) до 10⁶ элементов на кристалл;

D) до 10⁷ элементов на кристалл;

E) до 10³ элементов на кристалл.

20.Сколько элементов содержит УБИС (ультрабольшие ИС)?

A) до10⁹ элементов на кристалл;

B) более 10⁹ элементов на кристалл;

C) до 10⁶ элементов на кристалл;

D) до 10⁷ элементов на кристалл;

E) до 10³ элементов на кристалл.

21.Логические элементы в микроэлектронике подразделяется на два вида – это:

A) комбинационные и последовательные;

B) комбинационные и параллельные;

C) параллельные и последовательные;

D) параллельно-последовательные и параллельные;

E) параллельно-последовательные и последовательные.

22.Что такое цифровая интегральная микросхема?

A) это микросхема, разработанная на основе базовых (в том числе матричных) кристаллов;

B) это микросхема определенного функционального назначения;

C) это микросхема предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции;

D) это микросхема предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции;

E) это микросхема, разработанная на основе стандартных и (или) специально созданных элементов и узлов по функциональной схеме заказчика и предприятия.

23.Определите входную характеристику транзистора включенного по схеме ОБ?

A)

B)

C)

D)

24.Тиристоры маркируются буквами

1. КН

2. КС

3. КТ

4. КУ

5. КД

25.Биполярные транзисторы маркируются буквами

1. КН

2. КС

3. КУ

4. КД

5. КТ

26.На резисторе нанесено обозначение 1Е2, это означает

1. резистор изготовлен в соответствии с рядом Е12

2. резистор сопротивлением 1,2 Ом

3. допуск изготовления 10 %

4. резистор сопротивлением 1,2 кОм

Е) температурный коэффициент резистора равен

27.Фоторезистор предназначен для преобразования

1. тепла в изменение сопротивления

2. напряжения в световой поток

3. напряжения в тепло

4. светового потока в изменение сопротивления

5. тока в напряжение

28.Фотодиод предназначен для

1. освещения шкалы прибора

2. преобразования тепла в электрический ток

3. преобразования светового потока в электрический параметр

4. получения фотографии

5. для контроля температуры

29.Какой параметр меняется в фотодиоде

1. ток диода при изменении напряжения

2. температура диода при изменении освещенности

3. сопротивление на диоде при изменении освещенности

4. ток диода при изменении освещенности

5. сила света при изменении тока

30.Чему равен коэффициент передачи тока эмиттера если ток базы транзистора равен 5 mA, а коэффициент усиления по току равен 10

1. 2

2. 0,9

3. 5

4. 0,5

5. 50

№5

1.Чему равен ток базы, если ток коллектора равен 15,5 mA, а ток эмиттера равен 16,8 mA

1. 1,3

2. 1,08

3. 0,92

4. 32,3

5. 260,4

2.Резисторы маркируются буквой

1. R

2. КТ

3. С

4. ПС

5. КС

3.Определите тип интегрального биполярного диода включенного по схеме Б-К (база-коллектор)?

A)

B)

C)

D)

E)

4.Определите тип интегрального биполярного диода включенного по схеме БК-Э (база коллектор-эмиттер)?

A)

B)

C)

D)

E)

5.Определите тип интегрального биполярного диода включенного по схеме БЭ-К (база эмиттер - коллектор)?

A)

B)

C)

D)

E)

6.Определите тип интегрального биполярного диода включенного по схеме Б-ЭК (база-эмиттер коллектор)?

A)

B)

C)

D)

E)

7.При переводе усилителя из усиления в классе " В" в режим, соответствующий классу "А", ток, потребляемый усилителем…

А) уменьшится;

B) увеличится;

C) не изменится;

D) станет равным нулю;

E) станет реактивным.

8.Для открывания тиристора необходимо обеспечить следующие условия:

А) переменное напряжение на анод;

B) напряжение соответствующей полярности между анодом и катодом;

C) напряжение соответствующей полярности на управляющем электроде при определенном напряжении между катодом и анодом;

D) ток анода меньше тока утечки;

E) переменный ток катода.

9.Для запирания открытого тиристора необходимо…

А) увеличить ток анода;

B) увеличить ток катода;

C) уменьшить ток анода до определенной величины;

D) увеличить напряжение на управляющем электроде;

E) уменьшить напряжение на управляющем электроде.

10.Динистор – это…

А) дистанционно управляемый резистор;

B) дискретный транзистор;

C) двойной резистор;

D) двухполярный источник питания;

E) полупроводниковый элемент с внутренней положительной обратной связью.

11.Определить напряжение на выходе схемы (без учёта падения на диодах).

A ) +3В;

B) +5В;

C) +8В

D) +13В;

E) +16В.

12.Определить напряжение на выходе схемы.

A ) 6.2В;

B) 3.3В;

C) 6.2+6.2В;

D) 5.6В;

E) 6.2+5.6В.

13.На выходе параметрического стабилизатора напряжения произошло короткое замыкание. Возможный исход?

A) Uвых. снизится в 2 раза;

B) неограниченное повышение тока через стабилитрон;

C) повышение тока потребления по цепи: +18В;

D) Uвых. = +18В;

E) пробой нижнего, по схеме, стабилитрона.

14.На выходе параметрического стабилизатора напряжения произошел обрыв нагрузки. Возможный исход?

A) Uвых. увеличится в 2 раза;

B) повышение тока через стабилитрон;

C) через Rогр пойдёт недопустимо

большой ток;

D) Uвых. уменьшится в 2 раза;

E) Uвых. = +18В.

15.К источнику питания параллельно подсоединены две одинаковые электрические цепи, состоящие из последовательно соединенных диода в обратном включении и ограничительного резистора. Каково напряжение между теми электродами диодов, которые не соединены с источником питания?

А) равно источнику питания;

B) напряжения не будет;

C) равно четверти источника питания;

D); равно половине источника питания

E) равно удвоенной величине напряжения источника питания.

16.Полезным эффектом инверсного включения транзистора является:

А) уменьшение напряжения насыщения;

B) уменьшение коэффициента усиления;

C) увеличение коэффициента усиления;

D) увеличение напряжения насыщения;

E) улучшение охлаждения.

17.При изменении тока через управляющий электрод тиристора меняется: