- •1. Общая характеристика веществ в электронике
- •1.1 Электрические свойства веществ. Полупроводники
- •Электрические заряды в полупроводниках
- •Энергетические диаграммы
- •Электропроводность полупроводников
- •1.5 Токи в полупроводниках
- •1.6 Особенности примесных полупроводников
- •1.7 Расчёт концентрации подвижных носителей заряда
- •2. Общие свойства контактов веществ в электронике
- •2.1 Контакты и структуры в электронике
- •2.2 Контактная разность потенциалов
- •2.3 Собственные токи в контактах
- •2.4 Электроёмкость контактов
- •2.5 Электрический и тепловой пробой в контактах
- •3. Контакт металл – полупроводник. Диоды шотки
- •3.1. Основные свойства металло-полупроводниковых контактов
- •3.2. Диоды Шотки
- •4. Контакт полупроводников р- и n- типа
- •4.1. Основные свойства p-n перехода
- •4.2. Основные числовые характеристики p-n перехода.
- •4.3 Вольт-амперная характеристика p-n перехода
- •5. Диоды на основе m-n, p-n переходов
- •5.1 Мощный выпрямительный диод
- •5.2. Импульсные и высокочастотные диоды
- •5.3. Стабилитрон
- •5.4. Варикап
- •5.5. Диоды на основе p-I-n структуры
- •5.6. Свето- и фото-диоды. Солнечные батареи
- •6. Структура металл-диэлектрик-полупроводник.
- •6.1. Основные свойства мдп-структуры
- •6.3 Основные параметры мдп-транзистора
- •6.4. Статические характеристики мдп-транзистора
- •6.6. Арсенид-галлиевый полевой транзистор
- •7.1. Основные свойства биполярного транзистора
- •7.2. Биполярный транзистор в схеме с общей базой
- •7.3. Дрейфовый биполярный транзистор
- •7.3. Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером
- •7.4. Статические характеристики биполярного транзистора
- •8. Инерционные свойства мдп и биполярных транзисторов
- •8.1. Причины инерционности мдп и биполярных транзисторов
- •8.2 Импульсные свойства мдп и биполярных транзисторов
- •8.3 Частотные свойства мдп и биполярных транзисторов
- •9. Igbt транзистор
- •10. Контакт проводник - вакуум. Электронные лампы
- •11. Компьютерное моделирование электронных элементов
- •11.1. Компьютерная модель диода
- •11.2. Компьютерная модель транзистора
- •12. Шумы электронных приборов
12. Шумы электронных приборов
Напряжения и токи в электронных приборах подвержены случайным изменениям, флуктуациям. Они воспринимаются как шумовая составляющая полезных сигнальных токов и напряжений. В условиях слабых сигналов, например, в протяжённых каналах связи (спутниковая связь, оптоволоконные и кабельные линии связи) шумы часто являются главной причиной ошибок и искажений при передаче информации.
Существуют два основных вида шумов электронных приборов: тепловой шум и дробовый шум.
Тепловой шум возникает вследствие хаотического теплового движения носителей заряда. В любом сечении проводника или полупроводника, в любой отрезок времени, суммарный заряд, перенесённый слева направо отличается от заряда, перенесённого справа налево. Это неустранимое отличие ΔQ означает существование случайного по величине и направлению шумового тока iш.т = ΔQ/Δt. Шумовой ток существует вне зависимости от внешнего напряжения. Он создаёт шумовое напряжение uш.т = iш.тR на любом объекте c активным сопротивлением R. Шумит любое сопротивление - сопротивление канала МДП транзистора, сопротивление областей БТ, сопротивление обыкновенного резистора.
Типичная временная диаграмма uш.т изображена на рис. 58а.
Рис. 58
Очевидно, что среднее во времени значение ūш.т = 0. Поэтому количественно тепловой шум оценивается среднеквадратичным значением напряжения шума ūш.т2, рис. 58б:
ūш.т2 = 4kTRΔf (57)
Здесь k – постоянная Больцмана, T – абсолютная температура, Δf – полоса частот, в которой шум воспринимается.
Из (57) следует, что тепловой шум можно ослабить следующими способами:
- уменьшением температуры электронных устройств или их частей (иногда применяется);
- применением в электронных устройствах элементов с минимальным сопротивлением (применяется);
- уменьшением полосы пропускания канала связи Δf.
Последнее находится в противоречии с потребностью в широкополосных каналах связи, обеспечивающих бóльшую скорость передачи информации (например, широкополосный интернет). Однако в узкополосных, «медленных» каналах достигается лучшее отношение сигнал/шум. Именно поэтому одно фото с далёкой космической станции может предаваться в течение многих часов.
Дробовый шум возникает при протекании тока в различных объектах – транзисторах, диодах, электронных лампах. Так, количество носителей в каждую единицу времени, пресекающих открытый m-n, p-n переход или пространство между анодом и катодом всегда неодинаково. Отличие может быть очень небольшим, может быть, всего на несколько электронов больше или меньше. Тем не менее, это означает, что ток в таких объектах флуктуирует, т.е. имеет дробовую шумовую составляющую iш.д.
Строго говоря, из-за наличия флуктуаций, постоянные токи в электронных элементах невозможны даже при постоянных напряжениях.
Временные диаграммы и подход к количественной оценке дробового шума аналогичны тем, что относятся к тепловому шуму. Среднеквадратичный дробовый шумовой ток вычисляется по формуле:
iш.д2 = 2qIΔf (58)
Здесь q – элементарный заряд, I – ток в объекте.
Уменьшение дробового шума путем уменьшения токов транзисторов сопровождается уменьшением их усиления и возможно только в некоторых пределах. Поэтому, как и в случае теплового шума, главным способом уменьшения проявлений дробового шума является уменьшение Δf.
При компьютерном моделировании шумовых процессов в электронных схемах ко всем сопротивлениям последовательно с ними подключаются источники шумового напряжения. Ко всем контактам (переходам), в которых протекает ток, параллельно подключаются источники шумового тока.
