32. Осаждение пленок нитрида кремния
si3n4 его осождение из газовой фазы осуществляется в результате хим реакций, взаимодействия силана с амиаком при атмосферном давлении и температуре 600 – 800 или между дикхлорсиланом и амиаком при пониженном давлении и 700 – 800 градусах.
Достоинством осаждения при пониженном давлении является однородность пленок и высокая производительность оборудования.
Пленки нитрида кремния после пленок диоксида кремния являются наиболее изученными, обладают лучшими диэлектрическими и маскирующеми свойствами и применяются для маскировки например при локальном оксидировании кремния, для изоляции элементов, для защиты структур.
33. Жидкостное травление диэлектрических пленок и очистка пластин
34.Классификация методов химического осаждения из газовой фазы. Осаждение поликристаллического кремния.
Осаждение пленок поликристаллического кремния сопровождается пиролитическим разложением моносилана при температурах 540-700.
Пленки поликристаллического кремния применяют для изоляции элементов полупроводниковых микросхем затворов МОП-структур металлизации. Пленки для затворов и металлизации в процессе осаждения легируют. Удельное сопротивление легированного поликремния составляет 500 мкОМ/см, то есть, на два порядка выше, чем металлов.
классификация методов осаждение:
оксидирование моносилана
карбонитный метод
хлоридный метод
плазмохимическое осаждение
35. Применение поликристаллического кремния в производстве интегральных схем и полупроводниковых приборов.
1. Используется в качестве затвора в МОП приборах с самосовмещенным затвором, т.к имеет высокую температуру плавления и имеет хорошую адгезию с SiO2
2.Используется в качестве диэлектрика полепланаре
3.Может использоваться в качестве металлизации, а т.к у поликристалического кремния высокое сопротивление в него вжигается тугоплавкий металл и получается силицид.