- •1.1. Випрямні діоди
- •1.2. Високочастотні діоди
- •1.3. Діоди Шотткі
- •1.4. Імпульсні діоди
- •1.5. Діоди Зенера
- •1.6. Фотодіоди, світлодіоди
- •Матеріал напівпровідника залежно від кольору світло діоду
- •1.7. Тунельні діоди та діоди Ганна
- •2.1. Загальні відомості
- •2.2. Біполярні транзистори
- •2.2.1. Будова та принцип дії біполярного транзистора
- •2.2.2. Класифікація біполярних транзисторів
- •Класифікація транзисторів
- •2.2.3. Режим роботи біполярного транзистора
- •2.2.4. Основні та н-параметри біполярного транзистора
- •2.2.4. Схеми включення біполярних транзисторів
- •2.3. Польові транзистори
- •2.3.1. Будова та основні види польових транзисторів
- •2.3.2 Статичні характеристики польового транзистора з керуючим р-n-переходом
- •2.3.4. Польові транзистори з індукованим каналом
- •2.4. Біполярні транзистори бтіз
- •Колектор
- •3.1. Загальні відомості
- •3.2. Класифікація та умовні графічні позначення тиристорів
- •Тиристори
- •Діодні тиристори (діністори)
- •3.3. Будова, принцип роботи тиристорів
- •3.4. Диністори
- •3.5. Симістори
- •4.1. Загальні відомості
- •4.2. Транзисторний ключ
- •4.3. Логічні елементи
- •4.4. Двійкові логічні операції з цифровими сигналами
- •1. Заперечення, ні
- •2. Повторення, так
- •3. Кон’юнкція (логічне множення). Операція 2і.
- •4. Диз’юнкція (логічне додавання). Операція або.
- •5. Інверсія функції кон'юнкції. Операція 2і-не
- •6. Інверсія функції диз’юнкції. Операція 2 або-ні
- •7. Еквівалентність (рівнозначність), 2 виключаючи або-ні
- •8. Складання по модулю 2 ( виключаючи або, нерівнозначність). Інверсія рівнозначності
- •4.5. Закони алгебри логіки
- •5.1. Загальні відомості
- •5.2. Класифікація підсилювачів електричних сигналів
- •5.2.1. Простий однокаскадний підсилювач постійного струму
- •5.2.2. Простий однокаскадний підсилювач змінного струму
- •5.2.3. Диференційні підсилювачі
- •5.2.4. Каскади підсилення на польових транзисторах
- •5.2.5. Каскади підсилення в інтегральному виготовленні
- •Попередній інтегральний підсилювач:
- •5.2.6. Підсилювачі потужності
- •5.2.7. Багатокаскадні підсилювачі
- •5.2.7. Зворотний зв’язок у підсилювачах
- •6.1. Основні уявлення та визначення
- •6.2. Інвертуючий підсилювач
- •Неінвертуючий підсилювач
- •6.4. Інтегруючий підсилювач
- •6.5. Диференціюючий підсилювач
- •6.6. Компаратор
- •6.7. Підсилювач змінного струму на оп
- •6.8. Суматор із багатьма входами
- •6.9. Масштабний підсилювач
- •6.10. Логарифмічний підсилювач
- •7.1. Загальне уявлення
- •7.2. Трансформатори
- •7.2.1. Конструкція трансформаторів
- •7.2.2. Розрахунок трансформаторів
- •7.3. Некеровані випрямлячі
- •7.3.1. Схемотехнічні рішення некерованих випрямлячів
- •7.3.2. Однонапівперіодний випрямляч
- •7.3.3. Двонапівперіодний випрямляч
- •7.3.4. Випрямлячі – помножувачі напруги
- •7.3.5. Трифазні випрямлячі
- •7.4. Згладжувальні фільтри
- •Коефіцієнт пульсацій
- •7.4.1. Ємнісні фільтри
- •7.4.2. Індуктивні фільтри
- •7.4.4. Електронні фільтри
- •7.5. Стабілізатори
- •7.5.1. Параметричний стабілізатор напруги
- •7.5.2. Компенсаційні стабілізатори напруги
- •7.5.3. Мікросхемні стабілізатори напруги
- •7.5.4. Імпульсні стабілізатори напруги
- •7.6. Керовані випрямлячі
- •7.6.1. Керовані випрямлячі на транзисторах
- •7.6.2.Трифазні керовані випрямлячі
- •7.7. Інвертори
- •7.7.1. Транзисторний інвертор з насичуванням трансформатора
- •7.7.2. Однотактний транзисторний інвертор напруги
- •7.7.3. Тиристорні інвертори
- •8.1. Загальні відомості та визначення
- •8.2 Тригери та їх реалізація на базі логічних елементів
- •8.2.1. Асинхронний rs-тригер
- •8.2.2. Синхронний тригер
- •8.2.3. Лічильний т-тригер
- •9.3. Лічильники імпульсів
- •8.4. Регістри
- •8.5. Дешифратори
- •8.6. Мультиплексори
- •8.7. Запам’ятовуючі пристрої
- •8.8. Цифрові перетворювачі
- •8.8.1. Цифро-аналогові перетворювачі
- •8.8.2. Аналого-цифровий перетворювач
- •9.1. Загальні відомості
- •9.2. Принцип отримання незатухаючих гармонійних коливань
- •9.5. Генератори імпульсів
- •10.1. Загальні відомості та визначення
- •10.2. Система команд мікропроцесорів
- •10.3. Організація та призначення шин
- •10.4. Принципи побудови мікропроцесорних систем
- •10.5. Подання чисел у мікропроцесорах
- •10.6. Архітектура мікропроцесорів
- •10.7. Багатоядерні процесори
3.2. Класифікація та умовні графічні позначення тиристорів
Класифікація і умовні графічні позначення тиристорів приведені на рис. 3.1.
Тиристори
Тріодні тиристори
(тріністори)Діодні тиристори (діністори)
Несиметричний
діодний
тиристор
Несиметрич- ний
тріодний тиристор
Симетрич- ний
діодний тиристор
Симетрич- ний
тріодний тиристор
(симістор)
Рис.3.1. Класифікаційна діаграма
тиристорів
3.3. Будова, принцип роботи тиристорів
Найпростішим тиристором із двома виводами є діодний тиристор (диністор). Тріодний тиристор (тріністор) – має додатково третій (керуючий) електрод. Як діодний, так і тріод ний – тиристори мають чотиришарову структуру із трьома p-n- переходами П1, П2, П3 (рис.3.2).
Напруга живлення на тиристор таким чином, що переходи П1 і П3 виявляються відкритими, а перехід П3 – закритим. Опір відкритих переходів незначний, тому майже вся напруга живлення Unp прикладена до закритого переходу П2, що має високий опір. Отже, струм тиристора малий.
Рис. 3.2. Структура тріністора
При підвищенні напруги Unp (що досягається збільшенням е.р.с. джерела живлення Еа) струм тиристора збільшується незначно, поки напруга Unp не наблизиться деякого критичного значення, рівного напрузі увімкнення Uвмк (рис.3.3).
Рис. 3.3. Вольт-амперні
характеристики тріністора
Після цього відбувається лавиноподібне збільшення кількості носіїв заряду за рахунок лавинного множення носіїв заряду в р-п- переході П2 електронами, що рухаються, і дірками. Зі збільшенням кількості носіїв заряду струм у переході швидко наростає, оскільки електрони із шару п2 і дірки із шару р1 спрямовуються в шари р2 і п1 і насичують їх неосновними носіями заряду.
Напруга на резисторі R зростає, напруга на тиристорі падає. Після пробою напруга на тиристорі знижується до значення 0,5–1В.
При подальшому збільшенні е.р.с. джерела Еа або зменшення опору резистора R струм у приладі наростає відповідно до вертикальної ділянки вольт-амперної характеристики. Такий пробій не викликає руйнування переходу П2. При зменшенні струму відновлюється високий опір переходу (ділянка, що спадає на рис. 3.3.) Час відновлення опору цього переходу після зняття напруги живлення зазвичай становить10–30 мкс.
Напруга Uвмк, при якій починається лавиноподібне наростання струму, може бути знижена введенням неосновних носіїв у кожний із шарів, що прилягають до переходу П2. Ці додаткові носії заряду збільшують число актів іонізації в переході, у зв’язку із чим напруга увімкнення Uвмк зменшується.
Додаткові носії заряду в тріодному тиристорі, представленому на рис. 3.3., уводяться в шар р2 допоміжним колом, що живиться від незалежного джерела напруги. Якою мірою знижується пробивна напруга при зростанні струму керування, показує сімейство кривих на рис. 3.2.
Важливим параметром тріодного тиристора є струм відмикання керування Ік.вмк – струм керуючого електрода, що забезпечує переведення тиристора у відкритий стан.
З рис.3.2. видно, що при подачі на тиристор зворотної напруги в ньому виникає невеликий струм, оскільки в цьому випадку будуть закриті переходи П1 і П3. Щоб уникнути пробою тиристора у зворотному напрямку (який виводить тиристор з ладу через тепловий пробій переходу) необхідно, щоб зворотна напруга була меншою Uзв.тах.
В симетричних діодних і тріодних тиристорах зворотна гілка характеристики збігається з прямою. Це досягається зустрічно-паралельним увімкненням двох однакових чоти-ришарових структур або застосуванням спеціальних п’ятишарових структур з чотирма p-n- переходами.
Нарешті, певне розповсюдження одержали тиристори, у яких відновлення високого опору відбувається при подачі невеликої зворотної напруги на керуючий електрод
Нині випускаються тиристори на струми до 2000 А і напруги увімкнення Uвмк до 4000 В. Тиристори як керовані перемикачі, що мають випрямні властивості, знайшли широке застосування в керованих випрямлячах, інверторах, комута-ційній апаратурі.
