- •1.1. Випрямні діоди
- •1.2. Високочастотні діоди
- •1.3. Діоди Шотткі
- •1.4. Імпульсні діоди
- •1.5. Діоди Зенера
- •1.6. Фотодіоди, світлодіоди
- •Матеріал напівпровідника залежно від кольору світло діоду
- •1.7. Тунельні діоди та діоди Ганна
- •2.1. Загальні відомості
- •2.2. Біполярні транзистори
- •2.2.1. Будова та принцип дії біполярного транзистора
- •2.2.2. Класифікація біполярних транзисторів
- •Класифікація транзисторів
- •2.2.3. Режим роботи біполярного транзистора
- •2.2.4. Основні та н-параметри біполярного транзистора
- •2.2.4. Схеми включення біполярних транзисторів
- •2.3. Польові транзистори
- •2.3.1. Будова та основні види польових транзисторів
- •2.3.2 Статичні характеристики польового транзистора з керуючим р-n-переходом
- •2.3.4. Польові транзистори з індукованим каналом
- •2.4. Біполярні транзистори бтіз
- •Колектор
- •3.1. Загальні відомості
- •3.2. Класифікація та умовні графічні позначення тиристорів
- •Тиристори
- •Діодні тиристори (діністори)
- •3.3. Будова, принцип роботи тиристорів
- •3.4. Диністори
- •3.5. Симістори
- •4.1. Загальні відомості
- •4.2. Транзисторний ключ
- •4.3. Логічні елементи
- •4.4. Двійкові логічні операції з цифровими сигналами
- •1. Заперечення, ні
- •2. Повторення, так
- •3. Кон’юнкція (логічне множення). Операція 2і.
- •4. Диз’юнкція (логічне додавання). Операція або.
- •5. Інверсія функції кон'юнкції. Операція 2і-не
- •6. Інверсія функції диз’юнкції. Операція 2 або-ні
- •7. Еквівалентність (рівнозначність), 2 виключаючи або-ні
- •8. Складання по модулю 2 ( виключаючи або, нерівнозначність). Інверсія рівнозначності
- •4.5. Закони алгебри логіки
- •5.1. Загальні відомості
- •5.2. Класифікація підсилювачів електричних сигналів
- •5.2.1. Простий однокаскадний підсилювач постійного струму
- •5.2.2. Простий однокаскадний підсилювач змінного струму
- •5.2.3. Диференційні підсилювачі
- •5.2.4. Каскади підсилення на польових транзисторах
- •5.2.5. Каскади підсилення в інтегральному виготовленні
- •Попередній інтегральний підсилювач:
- •5.2.6. Підсилювачі потужності
- •5.2.7. Багатокаскадні підсилювачі
- •5.2.7. Зворотний зв’язок у підсилювачах
- •6.1. Основні уявлення та визначення
- •6.2. Інвертуючий підсилювач
- •Неінвертуючий підсилювач
- •6.4. Інтегруючий підсилювач
- •6.5. Диференціюючий підсилювач
- •6.6. Компаратор
- •6.7. Підсилювач змінного струму на оп
- •6.8. Суматор із багатьма входами
- •6.9. Масштабний підсилювач
- •6.10. Логарифмічний підсилювач
- •7.1. Загальне уявлення
- •7.2. Трансформатори
- •7.2.1. Конструкція трансформаторів
- •7.2.2. Розрахунок трансформаторів
- •7.3. Некеровані випрямлячі
- •7.3.1. Схемотехнічні рішення некерованих випрямлячів
- •7.3.2. Однонапівперіодний випрямляч
- •7.3.3. Двонапівперіодний випрямляч
- •7.3.4. Випрямлячі – помножувачі напруги
- •7.3.5. Трифазні випрямлячі
- •7.4. Згладжувальні фільтри
- •Коефіцієнт пульсацій
- •7.4.1. Ємнісні фільтри
- •7.4.2. Індуктивні фільтри
- •7.4.4. Електронні фільтри
- •7.5. Стабілізатори
- •7.5.1. Параметричний стабілізатор напруги
- •7.5.2. Компенсаційні стабілізатори напруги
- •7.5.3. Мікросхемні стабілізатори напруги
- •7.5.4. Імпульсні стабілізатори напруги
- •7.6. Керовані випрямлячі
- •7.6.1. Керовані випрямлячі на транзисторах
- •7.6.2.Трифазні керовані випрямлячі
- •7.7. Інвертори
- •7.7.1. Транзисторний інвертор з насичуванням трансформатора
- •7.7.2. Однотактний транзисторний інвертор напруги
- •7.7.3. Тиристорні інвертори
- •8.1. Загальні відомості та визначення
- •8.2 Тригери та їх реалізація на базі логічних елементів
- •8.2.1. Асинхронний rs-тригер
- •8.2.2. Синхронний тригер
- •8.2.3. Лічильний т-тригер
- •9.3. Лічильники імпульсів
- •8.4. Регістри
- •8.5. Дешифратори
- •8.6. Мультиплексори
- •8.7. Запам’ятовуючі пристрої
- •8.8. Цифрові перетворювачі
- •8.8.1. Цифро-аналогові перетворювачі
- •8.8.2. Аналого-цифровий перетворювач
- •9.1. Загальні відомості
- •9.2. Принцип отримання незатухаючих гармонійних коливань
- •9.5. Генератори імпульсів
- •10.1. Загальні відомості та визначення
- •10.2. Система команд мікропроцесорів
- •10.3. Організація та призначення шин
- •10.4. Принципи побудови мікропроцесорних систем
- •10.5. Подання чисел у мікропроцесорах
- •10.6. Архітектура мікропроцесорів
- •10.7. Багатоядерні процесори
НАПІВПРОВІДНИКОВІ ДІОДИ
1.1. Випрямні діоди
1.2. Високочастотні діоди
1.3. Діоди Шотткі
1.4. Імпульсні діоди
1.5. Діод Зенера
1.6. Фотодіоди, світлодіоди
1.7. Тунельні діоди
1.8. Варикапи
Напівпровідниковий діод (англ. semiconductor (crystal) diode; нім. н. Halbleiterdiode f) – це напівпровідниковий прилад з одним випрямним електричним переходом і двома зовнішніми виводами.
Випрямним електричним переходом, в напівпровід-никових діодах, може бути електронно-дірковий перехід, гіперперехід або контакт метал-напівпровідник.
Випрямний перехід, окрім ефекту випрямлення, має й інші властивості, що використовуються для створення різних видів напівпровідникових діодів:
випрямних діодів;
стабілітронів;
тунельних діодів;
варикапів та інших.
Тому напівпровідникові діоди поділяють: на випрямні, високочастотні та надвисокочастотні, імпульсні, опірні (стабілітрони), чотиришарові перемикаючі, фотодіоди, світло-діоди, тунельні діоди та інші.
1.1. Випрямні діоди
У випрямлячах змінної напруги найбільше застосування знаходять германієві і кремнієві напівпровідникові діоди. Основними методами одержання р-n- переходів для випрямних діодів є сплавка і дифузія.
Робота напівпровідникового випрямного діода заснована на властивості р-n переходу пропускати струм тільки в одному напрямку.
Основною характеристикою напівпровідникових діодів є вольт-амперна характеристика. Для порівняння на рис. 1.1 приведені типові вольт-амперні характеристики германієвого (1) і кремнієвого (2) діодів. Кремнієві діоди мають у багато разів менші зворотні струми при однаковій напрузі, чим германієві.
Припустима зворотна напруга кремнієвих діодів може досягати 1000–1500В в той час як в германієвих вона лежить у межах 100–400В.
Рис. 1.1. Вольт-амперні характеристики діодів
Кремнієві діоди можуть працювати при температурах -60...+150°С, а германієві -60...+85 °С. Це обумовлено тим, що при температурах вище 85 °С різко збільшується власна провідність германія, що приводить до неприпустимого зростання зворотного струму.
До основних стандартизованих параметрів випрямних діодів відносяться:
Середній прямий струм, Іпр.ср – середнє за період значення прямого струму.
Максимально припустимий середній струм, Іпр. ср. мax.
Середній випрямлений струм, Івп. ср – середнє за період значення випрямленого струму, що протікає через діод (з урахуванням зворотного струму).
Максимально припустимий середній випрямлений струм діода , І вп ср. max.
Постійна пряма напруга Uпр – значення постійної напруги на діоді при заданому постійному прямому струмі.
Середня пряма напруга Uпp.ср – середнє за період значення прямої напруги при заданому середньому значенні прямого струму.
Постійна зворотна напруга Uобр – значення постійної напруги, прикладеної до діода в зворотному напрямку.
Максимально припустима постійна зворотна напруга Uобр.ma Максимально припустима імпульсна зворотна напруга Uобр.і.max. Постійний зворотний струм Іобр – значення постійного струму, що протікає через діод у зворотному напрямку при заданій, зворотній напрузі.
Середній зворотний струм Іобр.ср – середнє за період зна-чення зворотного струму.
1.2. Високочастотні діоди
Ці прилади універсального призначення. Вони можуть бути використані для випрямлення, детектування і інших нелінійних перетворень електричних сигналів у діапазоні частот до 600 Мгц. Високочастотні діоди виготовляються, як правило, з германія чи кремнію і мають крапкову структуру.
Для одержання р-n- переходу діод у процесі виготовлення піддають струмовому формуванню. З цією метою через нього в прямому напрямку пропускається короткочасний імпульс струму величиною до 400 мА.
Типова вольт-амперна характеристика крапкового діода зображена на рис. 1.2.
Зворотна вітка характеристики крапкового діода значно відрізняється від відповідної галузі характеристики площинного діода. Через малу площу р-n- переходу зворотний струм діода малий, ділянка насичення невелика і не так різко виражений. При збільшенні зворотної напруги зворотній струм збільшується майже рівномірно.
В
плив
температури на величину зворотного
струму позна-чається слабкіше, ніж у
площинних діодах, подвоєння зворот-ного
струму відбувається при збільшенні
температури на 15-20°С.
Рис. 1.2. Вольт-амперна характеристика кремнієвого діода
та її залежність від температури
Істотне значення для оцінки властивостей високочастот-них діодів мають:
Загальна ємність діода Сд – ємність між виводами діода при заданих напрузі зсуву і частоті.
Диференціальний опір rдиф – відношення приросту напруги на діоді до малого приросту струму, що викликав це збільшення. Діапазон робочих частот Δf – різниця граничних значень частот, при яких середній випрямлений струм діода не менше заданої частки його значення на нижчій частоті.
