- •Физические основы классической механики
- •I. Механика. Общие понятия
- •2. Кинематика точки
- •3. Скорость
- •4. Ускорение
- •5. Примеры
- •I. Основные понятия
- •2. Законы механики
- •3. Инерциальные системы отсчёта (и.С.О.)
- •4. Принципы относительности Галилея
- •5. Закон сохранения импульса
- •6. Реактивное движение
- •7. Центр инерции
- •I. Работа
- •2. Энергия
- •3. Кинетическая и потенциальная энергии
- •4. Закон сохранения механической энергии
- •5. Удар абсолютно упругих и неупругих тел
- •I. Кинематика вращательного движения
- •2. Кинетическая энергия вращательного движения. Момент инерции.
- •3. Основное уравнение динамики вращательного движения
- •4. Момент импульса. Закон сохранения момента импульса
- •I. Принцип относительности
- •2. Постулаты Эйнштейна
- •3. Преобразования Лоренца
- •4. Замедление времени
- •5. Сокращение длин
- •6. Сложение скоростей в теории относительности.
- •7. Изменение массы со скоростью
- •8. Движение релятивистской частицы
- •9. Связь между массой и энергией
- •10. Кинетическая энергия. Энергия и импульс
- •Колебания и волны
- •1. Общие сведения о колебаниях
- •2. Механические колебания
- •3. Энергия гармонических колебаний
- •1. Предмет молекулярной физики
- •2. Термодинамические параметры.
- •3. Идеальный газ
- •4. Основное уравнение мкт газов для давления.
- •5. Газовые законы как следствие молекулярно-кинетической теории.
- •1. Скорости теплового движения молекул
- •2. Распределение молекул по скоростям (Закон Максвелла)
- •3. Закон распределения Больцмана
- •4. Число столкновений и средняя длина свободного пробега молекул
- •1. Внутренняя энергия идеального газа
- •2. Первое начало термодинамики
- •3. Работа при расширении газа
- •4. Теплоемкость идеальных газов
- •5. Адиабатический процесс
- •1. Характеристика тепловых процессов.
- •2. Принцип действия тепловой машины
- •3. Второе начало термодинамики
- •1. Энтропия
- •1. Отклонение свойств газов от идеальных.
- •2. Уравнение состояния реального газа (уравнение Ван-дер-Ваальса)
- •1. Критическое состояние вещества
- •1. Внутренняя энергия реального газа
- •1. Жидкости.
- •2. Поверхностное натяжение.
- •3. Явление смачивания.
- •4. Формула Лапласа.
- •5. Капиллярность.
- •1. Взаимодействие тел
- •2. Электрический заряд
- •3. Закон Кулона
- •4. Единицы заряда.
- •5. Электрическое поле.
- •6. Силовые линии. Поток вектора напряженности.
- •7. Теорема Гаусса.
- •1. Работа сил электрического поля.
- •2. Циркуляция вектора напряженности.
- •3. Потенциал электрического поля.
- •4. Связь потенциала с напряженностью поля.
- •5. Эквипотенциальные поверхности.
- •1. Проводники и диэлектрики.
- •2. Поляризационный заряды в диэлектриках.
- •3. Дипольная модель диэлектрика.
- •4. Типы диэлектриков
- •5. Вектор поляризации
- •6. Поляризация диэлектриков
- •7. Вектор поляризации и связанные заряды
- •8. Электрическое поле в диэлектриках.
- •9. Теорема Гаусса для диэлектриков.
- •10. Сегнетоэлектрики
- •1. Электрическое поле заряженного проводника
- •2. Электроемкость
- •3. Емкость проводящей сферы
- •4. Конденсаторы
- •5. Энергия электростатического поля
- •1. Электрический ток
- •2. Сила и плотность тока
- •3. Источники тока. Э.Д.С.
- •4. Закон Ома. Сопротивление проводников
- •5. Законы Кирхгофа
- •6. Работа и мощность тока
- •1.Свободные электроны в проводниках
- •2.Свойства электронного газа
- •3. Законы постоянного тока в электронной теории
- •4. Пределы применимости электронной теории.
- •1. Полупроводники
- •2. Собственная проводимость полупроводников
- •3. Примесная проводимость полупроводников
- •4. Применение полупроводников
- •1. Магнитные силы
- •2. Взаимодействие между движущимися зарядами
- •3.Вектор индукции магнитного поля
- •4. Сила Лоренца
- •5. Магнитное поле проводника с током. Закон Био-Савара-Лапласа
- •6. Магнитное поле токов
- •7. Действие магнитного поля на проводники c током
- •1. Магнитный поток
- •2. Работа магнитного пола по перемещению проводника о током
- •3. Закон полного тока
- •1.Основной закон электромагнитной индукции
- •2. Правило Ленца
- •3. Возникновение индукционного тока в витке
- •4. Явление самоиндукции
- •5. Магнитная проницаемость вещества
- •6. Энергия магнитного поля
1. Электрическое поле заряженного проводника
Если к проводнику добавить или отнять
у него часть электронов, то он оказывается
заряженным отрицательно или положительно.
Избыточные заряды могут перемещаться
по проводнику только под действием
внешнего поля. При равновесии заряда
на заряженном проводнике направленное
движение их отсутствует. Это означает,
что поле внутри проводника равно нулю
(Рис.16.1). О
тсутствие
поля внутри проводника приводит к
отсутствию и избыточного заряда внутри
него (по теореме Гаусса), а также означает
постоянство потенциала внутри проводника.
Потенциал на поверхности проводника
также постоянен, что следует из
непрерывности потенциала как функции
координат.
Электрические заряды располагаются лишь вдоль поверхности проводника с некоторой плотностью и создают вне его электрическое поле, напряженность которого пропорциональна плотности поверхностных зарядов.
2. Электроемкость
Увеличение заряда на проводнике пропорционально увеличению напряженности поля, что приводит в свою очередь к возрастанию потенциала проводника. Следовательно, потенциал проводника пропорционален его заряду:
(16.1)
Коэффициент пропорциональности между зарядом и потенциалом проводника С называют электроемкостью. Как следует из (16.1), емкость численно равна заряду, который надо сообщить уединенному проводнику, чтобы повысить его потенциал на единицу. Эта величина характеризует способность тел накапливать электрические заряды. Электроемкость проводника не зависит от материала проводника, а зависит от его формы и размеров, а также свойств среды, где находится проводник.
В СИ единица емкости 1 фарада
.
На практике пользуется долями этой
единицы — 1 мкФ, 1 пкФ.
В СГС единица емкости 1СГСс=
Ее размерность совпадает с единицей длины — см.
3. Емкость проводящей сферы
Поле заряженной сферы обладает центральной
симметрией, т.е. направление
совпадает с направлением радиуса
.
По теореме Гаусса (r>R),
откуда
,
т.е. поле напряженной сферы совпадает
с полем точечного заряда, помещенного
в центр сферы. Вычислим потенциал
заряженной сферы. Из формулы (14.7) находим
(полагая
)
,
а если сфера находится в среде с
диэлектрической проницаемостью ,
то
(16.2). Сопоставляя (16.1) c
(16.2), находим емкость сферы, находящейся
в диэлектрике:
, (16.3)
4. Конденсаторы
На практике бывает необходимо иметь большие емкости, способные при небольшом потенциале накапливать значительный заряд. Это можно достигнуть, приблизив к данному проводнику другой. При этом под действием поля заряженного проводника на поднесенном к нему другом проводнике возникают индуцированные заряды противоположного знака, поле которых ослабляет потенциал данного. Такие устройства, основанные на свойстве проводника увеличивать свою емкость в присутствии других проводников, называются конденсаторами. Простейший конденсатор представляет систему из двух проводников, которые называют обкладками. В зависимости от их формы различают плоские, сферические, цилиндрические конденсаторы. Емкость конденсатора вычисляется по формуле
, (16.4)
где
- потенциалы обкладок, Q
- заряд обкладки.
Вычислим для примера емкость плоского
конденсатора с площадью обкладок S,
расстояния между ними d, между которыми
находится диэлектрик с диэлектрической
проницаемостью .
Т.к. разность потенциалов между обкладками
равна
,
то из (16.4) следует
, (16.5)
