2) Что такое форм-фактор?.Привести таблицу с форм-факторами материнских плат.

Форм-фактор (от англ. form factor) — стандарт, задающий габаритные размеры технического изделия, а также описывающий дополнительные совокупности его технических параметров, например форму, типы дополнительных элементов размещаемых на устройстве, их положение и ориентацию.

Форм-фактор (как и любые другие стандарты) носит рекомендательный характер. Спецификация форм-фактора определяет обязательные и дополнительные компоненты. Однако подавляющее большинство производителей предпочитают соблюдать спецификацию, поскольку ценой соответствия существующим стандартам является совместимость материнской платы и стандартизированного оборудования (периферии, карт расширения) других производителей в будущем.

3) Конструкция модулей оперативной памяти(рисунок модуля с нумерацией контактов (мануал) , техническая характеристика модуля, таблица в которой для каждого контакта указана назначение передаваемого сигнала), для модулей SIMM, DIMM, DIMM DDR, DIMM DDR2, DIMM DDR3, DIMM DDR3, DIMM DDR4.

SIMM

SIMM (Single In-line Memory Module, односторонний модуль памяти) - модули памяти с однорядным расположением контактов, широко применявшиеся в компьютерных системах в 1990-е годы.

SIMM на 30 контактов применялись в персональных компьтерах с процессорами от 286 до 486. SIMM на 72 контакта была двух видов FPM (Fast Page Mode) и EDO (Extended Data Out). Существует два основных типа модулей SIMM, Типы модулей различаются количеством выводов, шириной строки памяти или типом памяти. К основным типам модулей SIMM относятся 30-контактный (8 бит плюс 1 дополнительный бит контроля четности) и 72-контактный (32 бит плюс 4 дополнительных бита контроля четности), обладающие различными свойствами. 30-контактный модуль SIMM имеет меньшие размеры, чем 72-контактный, причем микросхемы памяти в обоих случаях могут быть расположены как на одной стороне платы, так и на обеих. Модули SIMM широко использовались с конца 1980-х до конца 1990-х годов, однако сейчас их можно найти только в устаревших системах

DIMM

DIMM (англ. Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) — форм-фактор модулей памяти DRAM. Данный форм-фактор пришёл на смену форм-фактору SIMM. Основным отличием DIMM от предшественника является то, что контакты, расположенные на разных сторонах модуля, являются независимыми, в отличие от SIMM, где симметричные контакты, расположенные на разных сторонах модуля, замкнуты между собой и передают одни и те же сигналы. Кроме того, DIMM реализует функцию обнаружения и исправления ошибок в 64 (без контроля чётности) или 72 (с контролем по чётности или кодуECC) линиях передачи данных, в отличие от SIMM c 32 линиями.

DDR

Этот вид модулей памяти впервые появился на рынке в 2001 году. Основное отличие между DDR и SDRAM заключается в том, что вместо удвоения тактовой частоты для ускорения работы, эти модули передают данные дважды за один такт. При использовании DDR достигается удвоенная скорость работы, нежели в SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только пофронту, как в SDRAM, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти. Таким образом, при работе DDR на частоте 100 МГц мы получим эффективную частоту 200 МГц (при сравнении с аналогом SDR SDRAM). В спецификации JEDEC[1] есть замечание, что использовать термин «МГц» в DDR некорректно, правильно указывать скорость «миллионов передач в секунду через один вывод данных»

DDR2

Как и DDR SDRAM, DDR2 SDRAM использует передачу данных по обоим срезам тактового сигнала, за счёт чего при такой же частоте шины памяти, как и в обычной SDRAM, можно фактически удвоить скорость передачи данных (например, при работе DDR2 на частоте 100 МГц эквивалентная эффективная частота для SDRAM получается 200 МГц). Основное отличие DDR2 от DDR — вдвое большая частота работы шины, по которой данные передаются в буфер микросхемы памяти. При этом, чтобы обеспечить необходимый поток данных, передача на шину осуществляется из четырёх мест одновременно. Итоговые задержки оказываются выше, чем для DDR

DDR3

У DDR3 уменьшено потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти.[3][4] Снижение напряжения питания достигается за счёт использования более тонкого техпроцесса (в начале 90-нм, в дальнейшем 65, 50, 40 нм) при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки) Преимущества по сравнению с DDR2 Бо́льшая пропускная способность (до 19200 МБ/с) Меньшее энергопотребление

DDR4

Модули G.Skill Trident Z DDR4-4400 (PC4-35200) имеют ёмкость в 4 Гбайт и базироваться на специальных печатных платах, а также отборных микросхемах памяти производства Samsung Electronics. Новые модули памяти смогут работать на тактовой частоте 4,4 ГГц при задержках CAS в 19 циклов (CL19) и напряжении питания в 1,4 Вольта.