Діоди характеризуються параметрами:

U_ст - напруга стабілізації; І_ст.пот - струм стабілізації;

I_ст.min - струм стабілізації мінімальний;

І_ст.max - струм стабілізації максимальний;

P_max - потужність максимальна;

Перевищення І_ст.max приводить до теплового пробою.

- диференційний опір стабілітрону.

- температурний коефіцієнт напруги стабілізації.

За величиною напруги стабілізації діоди підрозділяються:

1. Низьковольтні (U_ст < 5,4 В)

2. Високовольтні (U_ст > 5,4 B)

Фотодіоди.

Фотодіод - є фотоелектричним приладом із внутрішнім фотоефектом. Відбувається перетворення світлової енергії в електричну.

Випускаються:

Германієві та кремнієві.

Дискретні інтегральні.

Залежність струму фотодіода від прикладеної до нього напруги визначається вольт-амперною характеристикою:

.

Мал. 13 Вольтт-амперна характеристика фотодіода.

За світловою характеристикою визначається інтегральна чутливість фотодіода.

Розмір фотоструму діода також залежить від довжини хвилі світлового випромінювання.

Максимальна чутливість різноманітних типів фотодіодів лежить у діапазоні довжин хвиль від 0,63 до 0,92 мкм.

Світлодіоди - перетворюють енергію електричного поля в нетеплове оптичне випромінювання. Основою є p-n перехід. Основними характеристиками світлодіодів є ВАХ . Потужності і яскравості залежать від величини прямого струму , .

Використовують для індикації і виводу інформації. Швидкодія сягає

Ф4 >Ф3>Ф2>Ф1

де Ф- світловий потік.

Лекція №3.

Класифікація і будова біполярних транзисторів.

Біполярним трансформатором називається напівпровідниковий прилад із трьома прошарками напівпровідника , що чергуються з різного виду провідностей, призначений для посилення потужності електричних сигналів. Мають два p-n переходи. «Біполярний» - два типи заряду - електрон і дірка.

За характером провідності поділяються: на p-n-p і n-p-n типи.

Мал. 14. Умовне позначення транзисторiв.

Мал. 14a. Cтруктура транзисторів .

Емітер служить для інжектування носіїв у базу. Колектор служить для екстрагування (витягування) носіїв із бази. База є електродом, що керує розміром струму крiзь транзистор. За застосованим матеріалом підрозділяють: на германієві та кремнієві. За технологією підрозділяють: на силові, дифузійні і планерні.

Принцип дії біполярних

транзисторів.

P-n перехід має односторонню провідність. 2 p-n переходи роз’єднаних базою дозволили створити систему з ефектом посилення.

Саме за допомогою бази можна регулювати струм крiзь транзистор.

Мал. 15. Біполярний транзистор p-n-p

типу при прямому ввімкненні.

При прямому ввімкненні створюються умови для інжектування дірок з емітера в базу, а електронів з бази в емітер. Оскільки база є високоомною, то зустрічний струм електронів набагато менший, ніж дiрок. Називається зворотний струм емітера.

У базі при переміщенні дірок виникає градієнт (перепад) концентрації дірок, що призводить до їхнього дифузійного прямування, у тому числі з колектора. При переміщенні дірок крiзь базу, їхня концентрація зменшується за рахунок рекомбінації з електронами, які є в базі від джерела живлення. Потік цих електронів утворює струм Iб. Оскільки товщина бази складає одиниці мікрон, то велика частина дірок досягає колектора і захоплюється його полем, рекомбінуя з електронами, що надходять від джерела живлення. У колекторі протікає струм Iк.

Тому можна записати

.

Коефіцієнт передачі :

.

При відсутності посилення струму (I  IЭ) схема посилює напругу.

Транзистор n-p-n аналогічний p-n-p, тільки змінюється полярність прикладеної напруги.

Схеми вмикання біполярних транзисторів.

Можливі три схеми вмикання транзисторів:

з загальною базою ЗБ;

з загальним емітером ЗЭ;

з загальним колектором ЗК.

Біполярний транзистор характеризується чотирма сімействами статичних характеристик:

1. Вхідні

2. Вихідні

3. Характеристики передана струму

4. Характеристики зворотного зв'язку