Метод Нельсона

Метод дозволяє отримати скорочену ДНФ булевої функції f з її випадкової КНФ. Якщо у довільній КНФ булевої функції розкрити всі дужки і провести всі поглинання, то в результаті буде отримана скорочена ДНФ булевої функції. Приклад:

f = (x1 v ẍ2)(ẍ1 v x3)(x1 v x2 v ẍ3)

f = (x1x3 v ẍ1ẍ2 v ẍ2x3)((x1 v x2 v ẍ3))=

Знайдемо скорочену ДНФ: = x1x3 v x1x2x3 v ẍ1ẍ2ẍ3 v x1ẍ2x3 Зробимо поглинання: f = x1x3 v ẍ1ẍ2ẍ3 і виходить скорочена ДНФ.

37. Дайте загальну характеристику цифрових мікросхем

Мікросхе́ма, інтегральна мікросхема (англ. integrated circuit) — електронна схема, що реалізована у вигляді напівпровідниковогокристалу (чипу) та виконує певну функцію. Винайдена у 1958 році американськими винахідниками Джеком Кілбі та Робертом Нойсом.

Чіп — напівпровідникова структура, на поверхні якої сформовані контактні площинки.^[1] Часто під інтегральною схемою (ІС) розуміють власне кристал або плівку з електронною схемою, а під мікросхемою (МС) — ІС в корпусі.

У 1961 році фірма Fairchild Semiconductor Corporation випустила інтегральні схеми у вільний продаж, і їх відразу стали використовувати у виробництві калькуляторів і комп'ютерів замість окремих транзисторів, що дозволило значно зменшити їхній розмір, та збільшити продуктивність.

Перша радянська напівпровідникова мікросхема була створена у 1961 році, в Таганрозькому радіотехнічному інституті, в лабораторії Л. Н. Колесова.

Ступінь інтеграції

Залежно від ступеня інтеграції застосовують наступні назви інтегральних схем:

• мала інтегральна схема (МІС) — до 100 елементів у кристалі,

• середня інтегральна схема (СІС) — до 1000 елементів у кристалі,

• велика інтегральна схема (ВІС) — до 10 тис. елементів у кристалі,

• надвелика інтегральна схема (НВІС) — понад 10 тис. елементів у кристалі.

Цифрові інтегральні мікросхеми мають ряд переваг в порівнянні з аналоговими:

• Зменшене енергоспоживання пов'язане із застосуванням в цифровій електроніці імпульсних електричних сигналів. При отриманні і перетворенні таких сигналів активні елементи електронних пристроїв (транзисторів) працюють в «ключовому» режимі, тобто транзистор або «відкритий» — що відповідає сигналу високого рівня (1), або «закритий» — (0), в першому випадку на транзисторі немає падіння напруги, в другому — через нього не йде струм. У обох випадках енергоспоживання близьке до 0, на відміну від аналогових пристроїв, в яких велику частину часу транзистори знаходяться в проміжному (резистивному) стані.

• Висока завадостійкість цифрових пристроїв пов'язана з великою відмінністю сигналів високого (наприклад, 2,5-5 В) і низького (0-0,5 В) рівня. Помилка можлива при таких перешкодах, коли високий рівень сприймається як низький і навпаки, що маловірогідно. Крім того, в цифрових пристроях можливе застосування спеціальних кодів, що дозволяють виправляти помилки.

• Велика відмінність сигналів високого і низького рівня і досить широкий інтервал їх допустимих змін робить цифрову техніку нечутливою до неминучого в інтегральній технології розкиду параметрів елементів, позбавляє від необхідності підбору і налаштування цифрових пристроїв.