- •Лекция- пэ № 6 От 19 .11.2014 г Основные полупроводниковые приборы на основе р-n перехода и их значение в электронике
- •Основные (базовые) схемы выпрямления Однополупериодный выпрямитель
- •Двухполупериодный выпрямитель
- •Мостовая схема выпрямителя (имеет наибольшее применение)
- •Умножитель –удвоитель 2-х полупериодный
- •Практическая схема умножителя напряжения в 10-12 раз
- •Стабилитроны, варикапы, туннельные диоды и тиристоры Стабилитроны
- •Варикапы
- •Обозначение и вольт-фарадная характеристика варикапа
- •Типовая схема включения варикапа в колебательный контур
- •Вольтамперная характеристика и энергетические диаграммы туннельного диода
- •Тиристоры
- •Типичная вах тиристора (динистора)
- •Фотоэлектронные приборы: фоторезисторы, фото и светодиоды
- •Фоторезисторы
- •Структура и схема включения фд в ф-генераторном (а) и фотодиодном (б) режимах
- •Схемы включения светодиода к логическому элементу (а – при низком уровне сигнала на выходе логического элемента; б – при высоком) Типовые данные некоторых светодиодов
- •Приборы без р-n перехода : термо, тензо и магниторезис-торы, варисторы , датчики Холла.
- •Терморезисторы
- •Конструкция позистора, вах терморезистора и позистора:
- •Зависимость tkr от температуры: 1 – для терморезисторов; 2 – для позисторов
- •Варисторы
- •Тензорезисторы
- •Магниторезисторы
- •Холлотроны (датчики Холла)
Зависимость tkr от температуры: 1 – для терморезисторов; 2 – для позисторов
Резкое увеличение ТКR у позистора при увеличении температуры достигается изготовлением позисторов из титаната бария, легированного специальными примесями, увеличивающими удельное сопротивление на несколько порядков в определенном интервале температур.
Применение: в качестве датчиков температуры, в различных терморегуляторах и термометрах, в медицине для внутривенной термометрии, спектроскопии и контрольно-измерительной аппаратуре для измерения теплопроводности газов и жидкостей и т. д. В РЭА - для термостабилизации режима работы ряда элементов в ответственных узлах и в качестве ограничителей тока. В схеме (ниже) позистор RK, включенный последовательно с сопротивлением нагрузки Rн, используется в качестве ограничителя тока. Когда сопротивление нагрузки падает ниже определенного значения, в цепи увеличивается ток и возрастает температура позистора. Сопротивление позистора при этом возрастает, что ограничивает ток в цепи нагрузки.
Варисторы
Варистором называется полупроводниковый резистор, сопротивление которого эффективно уменьшается под действием приложенного к нему напряжения, а ток, протекающий в цепи, нарастает.
Виды варисторов, схема включения (а) и типовая вольтамперная характеристика (б)
Увеличение электропроводимости варистора при возрастании напряжения обусловлена несколькими механизмами: замыканием кристаллов карбида кремния вследствие увеличения напряженности электрического поля; пробоем оксидных поверхностных пленок на кристаллах и нагревом контактирующих точек между кристаллами.
Схема включения варистора для защиты контактов и стабилизации напряжения
Применение: - самое разнообразное: защита высоковольтных линий и линий связи от атмосферных перенапряжений, приборы и элементы аппаратуры от перегрузок по напряжению, защита контактов от разрушения, а также ста-билизация напряжения. Нелинейная ВАХ позволяет получать малые изменения напряжения при больших изменениях тока или сопротивления нагрузки. Стабилизаторы такого типа стабилизируют анодное напряжение передающих и приемных трубок в телевидении. В связи с тем, что к.п.д. стабилизаторов на варисторах не высок, то их используют в слаботочных схемах в качестве источника опорного напряжения.
Тензорезисторы
Тензорезистором называется преобразователь линейной деформации в изменение активного сопротивления вследствие тензоэффекта.
Тензоэффект заключается в том, что при деформации кристаллической решетки полупроводника изменяются междуатомные расстояния, приводящие к изменению концентрации и подвижности носителей зарядов, а, следовательно, к изменению электропроводности (сопротивления).
Тензорезистор
– это тонкая пластина или пленка из
германия, кремния, арсенида или антимонида
галлия, нанесенная на изолированную
подложку с двумя выводами (рис. 58), где
полупроводник используется как р-типа,
так и n-типа, от этого
зависит вид его деформационной
характеристики, представляющей собой
зависимость относительного изменения
сопротивления ∆R/R
от относительной деформации ∆l/l,
где l – длина рабочего
тела тензорезистора. Основными
параметрами тензорезистора являются
номинальное сопротивление Rном=100
500Ом
и коэффициент тензочувствительности
,
значение которого для различных
тензорезисторов лежит в пределах от
–150 до +150.
Применение: в датчиках давлений, усилий, датчиках малых перемещений и крутящего момента, а также в преобразователях давления или механи-ческих напряжений в электрический сигнал, например, в магнитофонах и звукоснимателях. Тензорезистивный эффект используется также в более сложных полупроводниковых приборах с р-n переходом для увеличения тензочувствительности – тензодиодах, тензотранзисторах и тензотиристо-рах, рассмотренных в [8].
Рис.
59. Деформационная
характеристика
тензорезистора
Рис.
58. Тензорезистор: а
– устройство; б – условное графическое
изображение
