- •Методичні вказівки
- •Теоретична частина
- •1. Будова та принцип роботи біполярного транзистора
- •– Тепловий (некерований) зворотний струм колектора. Підставляючи значення іе з (1) в (2) отримуємо
- •2. Параметри біполярного транзистора
- •Вторинні параметри біполярного транзистора
- •Визначення hб-параметрів біполярного транзистора за статичними характеристиками
- •Визначення параметрів напівпровідникового діода за статичною характеристикою
- •Визначення параметрів польового транзистора за стоковою характеристикою
- •Визначення параметрів польового транзистора за стоково-затворною характеристикою
- •Завдання №1
- •Завдання №2
- •Завдання №3
- •Список літератури
Визначення параметрів напівпровідникового діода за статичною характеристикою
Для визначення параметрів напівпровідникового діода використовуємо пряму ділянку його вольт-амперної характеристики (рис.12). Вибираємо положення робочої точки Р, яке відповідає необхідному режиму. Для визначення опору діода для постійного струму R0 необхідно розділити значеня постійної прямої напруги в робочій точці Uпр.р до значення постійного сруму в цій точці Іпр.р
.
(37)
Для визначеня
диференціального опору діода для
змінного струму rд
використовуємо характеристичний
трикутник abc.
Для цього через точку Р
проводимо
дотичну до вольт-амперної характеристики
аb
і на цій дотичній, яка є гіпотенузою
прямокутного трикутника, будуємо
характеристичний трикутник
abc, катети
якого пропорційні значенням приростів
прямої напруги та прямого струму
відповідно:
,
Рис.12. Вольт-амперна характеристика напівпровідникового діода
Розраховуємо значення rд диференціального опору напівпровідникового діода для змінного струму в робочій точці Р
, (38)
де mU ‒ масштабний коефіцієнт прямої характеристики за напругою,
mІ ‒ масштабний коефіцієнт прямої характеристики за струмом.
Визначення параметрів польового транзистора за стоковою характеристикою
Для визначення вихідного диференціального опору на одній із стокових характеристик вибирають робочу точку р і будують характеристичний трикутник krs, з якого знаходять
Рис.13. Стокова характеристика польового транзистора з керуючим
n-p переходом
(39)
Для визначення крутизни характеристики польового транзистора проводимо через точку р пряму pn паралельну осі ординат до перетину з характеристикою при заданій напрузі і розраховуємо значення крутизни
(40)
Розраховуємо значення статичного коефіцієнта підсилення за напругою
Визначення параметрів польового транзистора за стоково-затворною характеристикою
Для визначення крутизни характеристики на стоково-затворній характеристиці рис.14 будують характеристичний трикутник abc, з якого знаходять основні параметри польового транзистора
Розраховуємо крутизну характеристики польового транзистора
(мА/В).
(41)
Розраховуємо вихідний опір для змінного струму
(42)
Розраховуємо коефіцієнт підсилення польового транзистора за напругою
(43)
Рис.14. Стоково-затворна характеристика польового транзистора з керуючим n-p переходом
Завдання №1
Для заданого типу напівпровідникового діода вибрати робочу точку на прямій ділянці вольт-амперної характеристики та розрахувати опори для постіного R0 та змінного rд струмів
№ варіанту |
Тип напівпровідникового діода |
1 |
ГД508А |
2 |
Д219А |
3 |
Д220А |
4 |
КД509А |
5 |
КД907А |
6 |
КД513А |
7 |
Д223 |
8 |
КД103А |
9 |
КД503Б |
10 |
КД510А |
