– Тепловий (некерований) зворотний струм колектора. Підставляючи значення іе з (1) в (2) отримуємо

. (3)

Розв’язавши це рівняння відносно і_к, отримуємо

(4)

і (5) де  – коефіцієнт передачі струму бази;

і_кн  початковий наскрізний струм, який протікає через весь транзистор, коли і_б=0.

З урахуванням прийнятих позначень отримуємо остаточний вираз для і_к

(6)

Коефіцієнт  , так само як і  відноситься до важливих параметрів транзистора. Якщо відомий  , то  можна визначити за формулою

(7)

При значному підвищенні напруги на колекторі струм і_кн різко зростає і відбувається електричний пробій. Необхідно знати, що при роз’єднанні кола бази в транзисторі може відбуватися лавиноподібне збільшення струму колектора, що приводить до його перегріву і виходу транзистора з ладу. Тому при експлуатації транзисторів заборонено роз’єднувати коло бази при увімкненому колекторному живленні.

2. Параметри біполярного транзистора

До власних (первинних) параметрів транзистора відносять величини, які характеризують властивості транзистора незалежно від схеми його ввімкнення, відносять:

при U_к = const  диференціальний коефіцієнт передачі емітерного струму;

при U_к=const  диференціальний опір емітерного переходу , де _Т  температурний потенціал, який залежить від температури і при температурі оточуючого середовища Т_ос=20^оС складає  _Т =25 мВ;

при I_e = const  диференціальний опір колекторного переходу, для малопотужних транзисторів r_к  1 МОм;

при I_e = const  коефіцієнт внутрішнього зворотного зв’язку за напругою, який характеризує вплив U_к на U_е у зв’язку з явищем модуляції товщини бази, ;

r_б  об’ємний опір бази, який залежить від конфігурації бази (її активної і пасивної частин) і матеріалу, переважно r_б  (100  200) Ом;

 ємність (бар’єрна) колекторного переходу;

і_к0  тепловий (некерований) струм колектора.

Для малопотужних транзисторів у залежності від матеріалу, на основі якого він виготовлений, напруга між базою і емітером складає (0,3  0,7) В; при цьому в колі бази проходить струм у декілька десятків мікроампер. Напруга, що прикладається між емітером і колектором, може становити (5  30) В; при цьому струм колектора може досягнути декількох десятків міліампер.

При ввімкненні транзистора в схемі з спільним емітером підсилювальний каскад забезпечує підсилення за струмом і за напругою, а коефіцієнт підсилення за потужністю має максимальне значення. Вихідна напруга знаходиться у протифазі з вхідною, отже, між вихідною і вхідною напругами існує фазовий зсув, який складає . Вхідний опір транзистора при такому ввімкненні транзистора є відносно низький і знаходиться в межах від сотень ом до одиниць кілоом. До недоліків такої схеми ввімкнення відносять гірші частотні властивості і низьку температурну стабільність у порівнянні з схемою ввімкнення зі спільною базою.

Незважаючи на те, що струми, які проходять через емітерний і колекторний переходи, майже однакові, потужність, що розсіюється на колекторі, значно більша, ніж потужність, яка розсіюється на емітерному переході. Це пояснюється тим, що напруга між базою і емітером значно менша, ніж напруга між базою і колектором. Щоб полегшити відведення тепла від колектора, його роблять більшої площі, ніж емітер. У потужних транзисторах область колектора приєднана до масивного металевого корпусу, що покращує відвід тепла від колектора і дозволяє підвищити потужність, яка на ньому розсіюється.