- •1. Перечислите основные свойства полупроводников и виды проводимости.
- •2. Дайте понятие р-n-перехода, перечислите его свойства и нарисуйте вах.
- •3. Опишите устройство, назначение и вах выпрямительных диодов.
- •4. Приведите схему включения, назначение и вах стабилитрона.
- •6. Схемы включения транзисторов.
- •Биполярный транзистор в динамическом режиме.
- •7. Опишите устройство, принцип действия и параметры полевых транзисторов.
- •8. Приведите схему включения и вах полевых транзисторов.
- •9.Опишите устройство, принцип действия и назначение тиристоров.
- •10. Приведите вах и параметры тиристоров.
- •11.Опишите полупроводниковые имс, их достоинства и недостатки, изготовление элементов.
- •12.Опишите гибридные имс, их достоинства и недостатки, изготовление элементов.
- •13. Опишите устройство и принцип действия элт.
- •14. Изложите устройство, принцип действия, достоинства и недостатки накальных индикаторов.
- •15. Опишите устройство светодиодов, их достоинства и недостатки.
- •16. Жидкокристаллические индикаторы (жки).
- •17. Фоторезисторы(фр).
- •18. Фотодиод (фд).
- •19. Фототранзисторы (фт).
- •20. Опишите устройство, вах, параметры вакуумных фотоэлементов.
- •21. Опишите устройство, вах, параметры газонаполненных фотоэлементов.
- •22. Опишите устройство, принцип работы, достоинства и
- •28. Опишите однотактные усилители мощности.
- •29. Опишите двухтактные усилители мощности.
- •30. Опишите усилители в интегральном исполнении. Опишите бестрансформаторный усилитель мощности.
- •31. Изложите особенности построения упт, опишите однотактные упт на биполярных транзисторах
- •32. Опишите двухтактные упт на биполярных транзисторах
- •33. Опишите операционные усилители, приведите их структурные и принципиальные схемы, опишите оу в интегральном исполнении.
- •34. Опишите схему и принцип действия lc-автогенератора.
- •35. Опишите схему и принцип действия rc-автогенератора.
- •36. Дайте общую характеристику импульсных устройств.
- •37,38 Опишите дифференцирующие цепи. Опишите интегрирующие цепи.
- •39. Опишите диодные электронные ключи.
- •40. Опишите схему, принцип работы и применение мультивибратора
- •41. Приведите обозначение, схемную реализацию и применение логических элементов "не".
- •42. Приведите обозначение, схемную реализацию и применение логических элементов "и".
- •46. Опишите принцип действия, временные диаграммы двухполупериодной схемы с нулевой точкой и мостовой.
- •47. Опишите трехфазные выпрямители с нулевой точкой.
- •48.Опишите однофазные управляемые выпрямители.
- •49. Опишите трехфазные управляемые выпрямители
- •50.Опишите назначение и классификацию стабилизаторов, опишите параметрические стабилизаторы напряжения.
- •51. Опишите схему и принцип работы компенсационного стабилизатора напряжения.
- •52. Опишите транзисторные электронные ключи.
7. Опишите устройство, принцип действия и параметры полевых транзисторов.
8. Приведите схему включения и вах полевых транзисторов.
ПТ служат для усиления мощности электрических сигналов. Они являются униполярными полупроводниковыми приборами, так как прохождение в них тока обусловлено дрейфом носителей заряда одного знака в продольном электрическом поле через управляемый канал р- или n-типа. Управление значением тока через канал осуществляется поперечным электрическим полем. Таким образом, принцип работы ПТ основан на том, что изменение напряжения поперечного электрического поля изменяет проводимость канала, по которому проходит ток выходной цепи.
Применяются две разновидности полевых транзисторов: с затвором в виде р-n-перехода и с изолированным затвором. Принцип работы, характеристики и параметры обеих разновидностей одни и те же.
Рассмотрим принцип работы ПТ с затвором в виде р-n-перехода (рис. 2.19, а), схема включения которого с общим истоком показана на рис. 2.19, б.
Рис. 2.19
ПТ содержит пластину кремния с электропроводностью n-типа - канал , к торцам которого присоединены два металлических электрода - исток и сток. К электродам подключают напряжение источника питания Ec и сопротивление нагрузки Rн (рис. 2.19, а). При данной полярности Ec поток основных носителей заряда (в канале n-типа электронов) перемещается от истока к стоку. На противоположные грани пластины введены примеси, побразующие слои п/п-ка р-типа. Соединенные электрически вместе, эти слои образуют единый электрод - затвор. Между каналом и затвором образуются два р-n-перехода.
Проводимость канала определяется его сечением. Изменяя напряжение на затворе UЗИ, смещающее при указанной на рис. 2.19 полярности источника EЗ переходы в обратном направлении, можно изменять сечение канала за счет расширения или сужения обедненных слоев переходов, а следовательно, сопротивление канала и проходящий через него ток. При UЗИ = 0 ток стока IС, проходящий через канал, имеет максимальное значение IС.НАС (ток стока насыщения, рис. 2.20, а), так как сечение канала максимально. При увеличении обратного напряжения U3И обедненные слои р-n-переходов расширяются, уменьшая сечение канала, проводящего ток между истоком и стоком. В результате уменьшается значение тока стока IС. При напряжении отсечки UЗИ.ОТС сечение канала уменьшается практически до нуля, и ток Iс прекращается. При этом сток и исток оказываются изолированными друг от друга. Рассмотренные процессы иллюстрирует стокозатворная (входная) характеристика Iс = f (Uзн)Uси= const (рис. 2.20, а).
Рис. 2.20
На рис. 2.20, б показано семейство выходных характеристик Iс = φ(Uсн)Uзн= const.
Основные параметры ПТ:
крутизна характеристики управления Sп=(ðIc/ðUзн)Ucн=const ;
внутреннее сопротивление rc=(ðUсн/ðIc)Uзн=const
Достоинства:
малые собственные шумы (здесь отсутствует процесс инжекции и связанная с ним флуктуация);
высокое входное сопротивление (до 1014 — 1016 Ом).
Недостатки:
Невысокая крутизна характеристики.
