20. Полупроводниковые усилительные устройства.

Биполярные транзисторы

Полевые транзисторы

Транзистор с управляющим p-n – переходом обозначается на схемах так:

n-канальный J-FET транзистор		p-канальный J-FET транзистор

В зависимости от типа носителей, которые используются для формирования проводящего канала (область, через которую течёт регулируемый ток), данные транзисторы могут быть n-канальные и p-канальные. На графическом обозначении видно, что n-канальные транзисторы изображаются со стрелкой, направленной внутрь, а p-канальные наружу.

MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor (металл – окисел – полупроводник) иField-Effect-Transistors(транзистор, управляемый электрическим полем)

Транзисторы MOSFET существуют двух типов: со встроенным каналом и индуцированным каналом.

MOSFET транзистор со встроенным диодом

Встроенный диод на условном обозначении мощного МДП-транзистора может и не указываться, хотя реально такой диод присутствует в любом мощном полевом транзисторе.

IGBT - биполярный транзистор с изолированным затвором

Igbt — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

21. Импульсное управление двигателем постоянного тока. Симметричный и несимметричный законы управления ключами. Управляемый выпрямитель.

Максимальный коллекторный ток на силовых транзисторах (при пуске двигателя) составляет 10 А. Чтобы обеспечить переход транзисторов в режим насыщения, базовый ток Iб должен быть не меньше

С учетом падения на переходах база-эмиттер напряжения 0,6 В и разности потенциалов между коллектором и эмиттером управляющих транзисторов 0,2 В,  максимальные сопротивления в базовых цепях составят:

где Uпит = 50В – напряжение источника питания.

Были выбраны сопротивления Rб = 1 кОм. Таким образом, базовый ток составил

Мощность, рассеивающаяся на сопротивлениях составит:

Были выбраны резисторы, рассеивающие мощность до 5 Вт.

Сопротивления в базовых цепях управляющих транзисторов были выбраны такие же, как в базовых цепях управляющих транзисторов.

Основные требования к шунтирующим диодам:

– шунтирующие диоды должны открываться/закрываться быстрее силовых транзисторов; Максимальное время открытия силовых транзисторов (с учетом граничной частоты 4 МГц) составит 0,25 мкс.

– максимальное обратное напряжение не меньше 50 В.

22. Пневматическая ветвь гсп. Пример пневматической системы автоматизации (фса). Достоинства и недостатки пса. Поколения пса.

Пневмоавтоматика – область технической кибернетики, охватывающая принципы и средства построения элементов, приборов и систем автоматического контроля и управления, использующих в работе различ. эффекты газовой динамики.

Пневмоавтоматика является одним из основных средств автоматизации производственных процессов.

ГСП – ГОС. СИСТЕМА ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРИБОРОВ И СРЕДСТВ АВТОМАТИЗАЦИИ

Пневмоавтоматика охватывает технические средства регулирования, управления и контроля, использующие в работе различные эффекты газовой динамики. В историческом развитии технических средств пневмоавтоматики можно проследить четыре поколения.

Первое поколение – универсальные регуляторы приборного типа.

Второе поколение – регуляторы, реализующие агрегатную структуру по принципу компенсации усилий.

Третье поколение – универсальная система элементов промышленной пневмоавтоматики (УСЭППА).

Четвертое поколение – струйная пневмоавтоматика (пневмоника, флюидика).

Дальнейшее развитие пневмоавтоматики привело к созданию струйного принципа построения элементов и модулей. В качестве носителя энергии в струйных элементах используется воздух, в связи с чем струйную технику назвали пневмоникой.