СХЕМОТЕХНИКА

Экзамен 29.06.2015

Билет № 1

Собственная - электропроводность, возникающая под действием электрического поля за счет движения электронов и в противоположном направлении такого же количества дырок.

Примесная - проводимость полупроводников, обусловленная электронами, перешедшими в зону проводимости с донорных уровней, и дырками, образовавшимися при переходе электронов из валентной зоны на акцепторные уровни.

Элемент — это часть ИС, реализующая функцию какого-либо простого электрорадиоэлемента (например, транзистора, диода, резистора, конденсатора).

Компонент — это часть ИС, также реализующая функцию ка­кого-либо электрорадиоэлемента, однако компонент перед сборкой ИС был самостоятельным изделием в специальной упаковке (ком­плектующее изделие). 

Билет № 2

Тиристор является силовым электронным не полностью управляемым ключом. Поэтому иногда в технической литературе его называют однооперационным тиристором, который может сигналом управления переводиться только в проводящее состояние, т.е. включаться. Для его выключения (при работе на постоянном токе) необходимо принимать специальные меры, обеспечивающие спадание прямого тока до нуля. Тиристорный ключ может проводить ток только в одном направлении, а в закрытом состоянии способен выдержать как прямое, так и обратное напряжение.

В зависимости от количества выводов подразделяют:

• Тиристоры диодные или динисторы, которые имеют только два вывода (анод и катод).

• Тиристоры триодные имеют три вывода (анод, катод и управляющий электрод). К ним относятся: тиристоры, запираемые тиристоры, тиристор-диод и симистор.

• Тиристоры четырехэлектродные или тетродные имеют четыре вывода (пару входных и пару выходных электродов). К ним относят тиристорную оптопару.

Билет № 3

Основными параметрами диода являются:

-Предельный ток.

-Перегрузочная способность.

-Номинальное напряжение.

-Повторяющийся импульсный обратный ток.

-Прямое падение напряжения.

В интегральных микросхемах процесс формирования активных элементов (транзисторов, диодов) , пассивных элементов (резисторов, конденсаторов) и соединительных элементов происходит на поверхности или в объеме полупроводникового кристалла или на поверхности диэлектрической подложки в едином технологическом цикле. Минимальное количество внутрисхемных соединений дает возможность резко повысить надежность микроэлектронной аппаратуры.

Билет № 4

Среди основных параметров выделяются такие характеристики резистора, как сопротивление по номинальному значению и его возможное отклонение, рассеиваемая мощность, предельное рабочее напряжение, максимальная температура, температурный коэффициент сопротивления, частотный отклик и шумы.  Резисторы характеризуются такими основными параметрами: номинальным значением сопротивления, допустимым отклонением сопротивления от номинального значения, номинальной (допустимой) мощностью рассеяния, максимальным рабочим напряжением, температурным коэффициентом сопротивления, собственными шумами и коэффициентом напряжения.

Конденсатор является пассивным электронным компонентом. В простейшем варианте конструкция состоит из двух электродов в форме пластин, разделённых диэлектриком, толщина которого мала по сравнению с размерами обкладок. Практически применяемые конденсаторы имеют много слоёв диэлектрика и многослойные электроды, или ленты чередующихся диэлектрика и электродов, свёрнутые в цилиндр или параллелепипед со скруглёнными четырьмя рёбрами.