- •1. Вступ. Актуальність теми.
- •2.Теоретична частина.
- •2.1. Прямий однотемпературний синтез.
- •2.2. Фізико-хімічні властивості телуриду бісмуту.
- •2.3. Особливості кристалів на основі теллуриду бісмуту.
- •2.4. Cинтез твердих розчинів п- та р-типу провідності на основі телуриду вісмуту.
- •2.5. Метод вертикальної зонної плавки.
- •3.Експериментальна частина
- •3.1. Синтез телуриду бісмуту
- •3.2. Пристрій для отримання монокристалів твердих розчинів на основі телуриду вісмуту
- •3.3. Процес отримання термоелектричного матеріалу р-типу провідності на основі твердих розчинів халькогенідів Bi I Sb
- •4. Висновки.
4. Висновки.
В курсовій роботі розглянуто технологічні прийоми вирощування термоелектричного матеріалу, які б характеризувалась підвищеним процентом виходу придатного матеріалу. До цих прийомів належать використання тепловирівнюючої шайби при зонній перекристалізації твердих розчинів хальеогенідів вісмуту та сурми та повторне переплавляння відбракованих частин зливка. В першому випадку отримуються однорідні зливки з мало розбіжними електрофізичними параметрами. В другому –процент виходу придатних кристалів досягається шляхом утилізації відбракованих частин зливка.
СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ
1. Гольдцман В.А., Кудинов В.А, Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалына основе Bi2Te3. - М.: Наука, 1972.
2. Булатова Н.А., Свечникава Т.Е., Чижевская С.И.Термоэлектрические свойства сплавов на основетеллурида висмута выше 300 К // Неорг. материалы. - 1979. –Т. 15, №5. - С.895-896.
3. Абрикосов Н.Х., Свечникова Т.Е., Чижевская С.И.Легирование монокристаллов твердых растворовBi2Te2,8Se0,2 галогенидами элементов пятойгруппы // Неорг. материалы. - 1974. –Т. 14,№1. - С.43-45.
4. А.с. №148773 (СССР). Термоэлектрический материал p- типа проводимости / Арамашев К.А. // Открытия. Изобретения. - 1986.
5. Горобец М.В., Простеби Л.И., Рюхтин В.В., и др.Получение термоэлектрических материалов с повышенной добротностью в промышленных условиях // Электронная техника. Сер. Материалы. -1979. - Вып.12. - С.126-128.
6. Patent № 3933572 (USA). Method for growingcrysals / O'Connor et all. - 1976.
7. В.А.Гольцман, В.А.Кудинов, Г.А.Смирнов.Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Ві2Те3 - М.: Наука, 1972. – 216с.
8. Пат. України №36796. А.А.Ащеулов,Ю.Г.Добровольський, І.С.Романюк. Спосіб отримання монокристалів твердих розчинів на основітелуриду вісмуту методом вертикальної зонноїперекристалізації.