|
Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана
Калужский филиал
|
Факультет электроники, информатики и управления (ЭИУК)
Кафедра «Материаловедение» (ЭИУ4-КФ)
Расчетно-пояснительная записка
к курсовой работе
по курсу _Твердотельная электроника
на тему
Идентификация параметров математических моделей полупроводниковых приборов: диода 1N5822, биполярных транзисторов S8050, BC327 и полевого транзистора IRFZ44N
Студент:
Полонский Я.С.
гр. ФТМ-101
Руководитель:
Зайончковский В.С.
Оценка за курсовую работу « »
Калуга 2015 г
|
Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана
Калужский филиал
|
Факультет электроники, информатики и управления (ЭИУК)
Кафедра «Материаловедения» (ЭИУ4-КФ)
ЗАДАНИЕ
по Курсовой работе
Студент Полонский Я.С. группа ФТМ 101
(фамилия, инициалы)
Руководитель Зайончковский В.С.
(фамилия, инициалы)
Срок выполнения работы по графику:
20% к ___ нед., 40% к ___ нед., 60% к ___ нед., 80% к ___ нед., 100% к ___ нед.
Защита работы на _________ неделе 20____/____ уч.г.
Тема работы: Идентификация параметров математических моделей полупроводниковых приборов: диода 1N5822, биполярных транзисторов S8050, BC32725 и полевого транзистора IRFZ44N
Техническое задание
Снять входные и выходные вольт-амперные характеристики. Рассчитать параметры полупроводниковых приборов: диода 1N5822, биполярных транзисторов S8050, BC32725 и полевого транзистора IRFZ44N________
___________________________________________________________________________________________________________________________________
Объем и содержание работы
Графические работы на 1 листах формата А1
Расчетно – пояснительная записка на 37 листах формата А4
Структура расчетно-пояснительной записки
Титульный лист, задание, содержание, введение, основная часть, заключение, литература, приложение(я).
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Содержание и структура основной части определяется студентом по согласованию с руководителем. Рисунки, таблицы, литература оформляются в соответствии с ГОСТ 2.105-89 ЕСКД. Общие требования к текстовым документам, ГОСТ 2.32-2001. Отчет о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления.
Дополнительные указания по выполнению работы
______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Рекомендуемая литература
1.Головатый Ю.П. Курс лекций по предмету «Твердотельная электроника».–Калуга,2011_______________________________________________________ 2.Зайончковский В.С., Головатый Ю.П. Методические указания к выполнению лабораторных работ по курсу «Твердотельная электроника». – Калуга,2010___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Руководитель работы _____________________ Зайончковский В.С.
подпись Ф.И.О.
«____» __________________ 2015 г.
Студент Полонский Я.С.
подпись Ф.И.О.
«____» ___________________ 2015 г.
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 5
1. Теоретическая часть 6
1.1. Полупроводниковые диоды 6
1.2. Биполярные транзисторы 7
1.3. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8