Лабораторная работа 5 исследование статических характеристик биполярного транзистора мп 37б

1 Цель работы

Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ) МП 37Б. Изучить его вольтамперные характеристики в схеме с общим эмиттером (ОЭ).

Рис. 5.2. Схема исследования БТ структуры n-p-n c общим эмиттером

Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведена на рисунке 5.2. Назначение приборов такое же как и в предыдущей схеме. При исследовании транзистора со структурой p-n-p следует поменять полярности источников питания.

4 Задание к работе в лаборатории

Собрать схему для снятия характеристик транзистора при включении его по схеме с ОЭ (рисунок 5.2).

4.1. Снять две входные характеристики I_Б=f(U_БЭ); одну при U_КЭ=0, вторую при U_КЭ=5 . Входное напряжение при этом менять до такой величины, при которой электрические параметры транзистора не превышают максимально допустимых значений.

Результаты измерений занести в таблицу 3, которая аналогична таблице 1.

Таблица 1. I_Э= f(U_ЭБ) U_КБ=const

	UЭБ,В	0,1	0,2	0,3	0,4
UКБ= 0 В	IЭ,	0,018	0,044	0,078	0,1	IЭ =0,5IЭ МАКС
UКБ =5 В	мА	0,004	0,022	0,056	0,09

4.6. Снять семейство из 7-8 выходных характеристик I_К=f(U_КЭ) при токах базы, указанных на типовых характеристиках в справочнике, включая I_Б=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. U_КЭ=0 - 1 В. Результаты измерений заносятся в таблицу 4. Пример таблицы приведен ниже.

Таблица 4. I_К=f(U_КЭ) I_Б=const

	UКЭ,В	0,1	0,2	0,3	2	5	10
IБ1 =0 мкА	IК,мкА	0,0012	0,02	0,022	0,024	0,26	0,3
IБ2=25		0,05	0,44	0,66	1,2	1,3	1,4
IБ3=50		0,1	0,5	0,8	2,2	2,65	2,8
IБ4=75		0,24	0,55	0,92	3,3	4	4,4
IБ5=100	IК, мА	0,4	0,8	1,4	4,6	5,6	6