Указания к составлению отчета.
Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
Привести параметры, исследуемых диодов, взятые из справочника.
Привести таблицы с результатами измерений.
На графике №1 построить вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов, используя различный масштаб по осям напряжения и тока для прямого и обратного включений.
Рассчитать прямое сопротивление диодов по постоянному току при токе 10 мА и обратное сопротивление при напряжении 10 В. Сравнить сопротивления диодов при прямом и обратном включениях.
На графике №2 построить вольтамперные характеристики кремниевого стабилитрона. Указать участок стабилизации.
Привести осциллограммы подводимого напряжения, напряжений на диоде и на нагрузке. Осциллограммы строятся одна под другой с соблюдением масштаба времени.
При I=10мА ;
При U=10В;
Вывод: Изучили устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Рассчитали прямое сопротивление диодов по постоянному току при токе 10 мА и обратное сопротивление при напряжении 10 В. Сравнили сопротивления диодов при прямом и обратном включениях
Построили графики ВАХ германиевого и кремниевого диодов, для прямого и обратного включения.
ФГОБУ ВПО «Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»
Факультет заочного обучения
Лабораторная работа №3
Тема: «ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С УПРАВЛЯЮЩИМ
p-n ПЕРЕХОДОМ»
по физическим основам электроники (наименование дисциплины)
выполнил студент 2 курса специальности МТС
Асташов Евгений Юрьевич (фамилия, имя, отчество)
Студенческий билет № 7613002 группа ЗМ – 31
Проверил доцент Фадеева Наталья Евгеньевна
« » 2015 г. Преподаватель (подпись разборчиво)
Новосибирск 2015
Лабораторная работа 3 исследование статических характеристик
И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ КП 103Л С УПРАВЛЯЮЩИМ p-n ПЕРЕХОДОМ
1 Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ) с управляющим p-n переходом.
В работе снимаются передаточные (сток - затворные) и выходные (стоковые) характеристики, а также определяются основные параметры транзистора.
.
4 Схемы исследования
На рисунке 3.1 приведена схема для снятия статических характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому включению ПТ с p-n переходом и каналом р-типа.
Рис. 3.1. Схема для исследования статических характеристик ПТ
Ко входу ПТ (участок затвор-исток) прикладывается управляющее напряжение UЗИ от регулируемого источника напряжения G1. К выходу ПТ (участок сток-исток) прикладывается напряжение UCИ от регулируемого источника постоянного напряжения G2 .
В работе необходимо экспериментально определить напряжение отсечки UЗИ ОТС и снять передаточную характеристику IС = F (UЗИ) при UCИ =-10B. Затем необходимо снять семейство выходных характеристик IС=F(UСИ) при UЗИ 1=0, UЗИ 2=0,25 UЗИ ОТС и UЗИ 3= 0,5 UЗИ ОТС.