- •Единство корпускулярных и волновых свойств электромагнитного излучения
- •Модели атома Томсона и Резерфорда
- •Линейчатый спектр атома водорода
- •Постулаты Бора
- •5. Опыты Франка и Герца
- •6. Спектр атома водорода по Бору
- •7. Корпускулярно-волновой дуализм свойств вещества.
- •8. Некоторые свойства волн да Бройля
- •9. Соотношение неопределенностей
- •10. Волновая функция и ее статистический смысл
- •11. Общее уравнение Шредингера. Уравнение Шредингера для стационарных состояний
- •12. Принцип причинности в квантовой механике
- •13. Движение свободной частицы
- •14. Частице в одномерной прямоугольной «потенциальной яме» с бесконечно высокими «стенками»
- •15. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннельный эффект
- •16. Линейный гармонический осциллятор в квантовой механике
- •17.Атом водорода в квантовой механике.
- •19. Спин электрона. Спиновое квантовое число
- •20. Принцип неразличимости тождественных частиц. Фермионы и бозоны
- •21. Принцип Паули. Распределение электронов в атоме по состояниям
- •22. Периодическая система элементов Менделеева
- •23. Рентгеновские спектры
- •24. Молекулы: химические связи, понятие об энергетических уровнях
- •25. Молекулярные спектры. Комбинационное рассеяние света
- •26. Поглощение. Спонтанное и вынужденное излучения
- •27. Оптические квантовые генераторы (лазеры)
- •29. Понятие о квантовой статистике Бозе — Эйнштейна и Ферми — Дирака
- •30. Выводы квантовой теории электропроводности металлов
- •31. Сверхпроводимость. Понятие об эффекте Джозефсона
- •32. Понятие о зонной теории твердых тел
- •33. Металлы, диэлектрики и полупроводники по зонной теории
- •34. Собственная проводимость полупроводников
- •35. Примесная проводимость полупроводников
- •36. Фотопроводимость полупроводников
- •37.Термоэлектрические явления и их применение
- •38. Контакт электронного и дырочного полупроводников (p-n-переход)
- •39. Полупроводниковые диоды и триоды (транзисторы)
- •40. Размер, состав и заряд атомного ядра. Массовое и зарядовое числа
- •41. Дефект массы и энергия связи ядра
- •42. Спин ядра и его магнитный момент
- •43. Ядерные силы. Модели ядра
- •44. Радиоактивное излучение и его виды
- •45. Ррадиоактивный распад
- •46. Примером -распада служит распад изотопа урана 238u с образованием Th:
- •47. Явление –-распада подчиняется правилу смещения
- •53 Цепная реакция деления
- •56 Космическое излучение
- •54 Понятие о ядерной энергетике
- •55 Реакция синтеза атомных ядер. Проблема управляемых термоядерных реакций
- •57. Мюоны и их свойства.
- •58. Мезоны и их свойства
- •59. Типы взаимодействий элементарных частиц
- •60. Частицы и античастицы
- •61. Гипероны. Странность и четность элементарных частиц
- •62. Классификация элементарных частиц. Кварки
36. Фотопроводимость полупроводников
Фотопроводимость свойственна полупроводникам. Электропроводность полупроводников ограничена нехваткой носителей заряда. При поглощении фотона электрон переходит из валентной зоны в зону проводимости. Как следствие образуется пара носителей заряда: электрон в зоне проводимости и дырка в валентной зоне. Оба носителя заряда при приложении к полупроводнику напряжения создают электрический ток.
При возбуждении фотопроводимости в собственном полупроводнике энергия фотона должна превышать ширину запрещенной зоны. В полупроводнике с примесями поглощение фотона может сопровождаться переходом из расположенного в запрещённой зоне уровня, что позволяет увеличить длину волны света, который вызывает фотопроводимость. Это обстоятельство важно для детектирования инфракрасного излучения. Условием высокой фотопроводимости является также большой коэффициент поглощения света, который реализуется в прямозонных полупроводниках.
Явление фотопроводимости используется в датчиках света, в частности в фоторезисторах. Фотопроводимость важна также для детектирования инфракрасного излучения и применяется, например, в приборах ночного видения. Увеличение проводимости при освещении используется также в ксерографии, при которой электрические заряды стекают с засвеченных мест предварительно на электризованной поверхности полупроводникового барабана. Явление фотопроводимости также используется для определения электрических свойств полупроводниковых структур
37.Термоэлектрические явления и их применение
Явление возбуждения термоэлектрического тока (явление Зеебека), а также тесно связанные с ним явления Пельте и Томсона называются термоэлектрическими явлениями.
Явление Зеебека (1821). Немецкий физик Т. Зеебек (1770—1831) обнаружил, что в замкнутой цепи, состоящей из последовательно соединенных разнородных проводников, контакты между которыми имеют различную температуру, возникает электрический ток. Явление Зеебека используется для измерения температуры. Для этого применяются термоэлементы, или термопары—датчики температур, состоящие из двух соединенных между собой разнородных металлических проводников.
2. Явление Пельтье (1834). Французский физик Ж. Пельтье (1785—1845) обнаружил, что при прохождении через контакт двух различных проводников электрического тока в зависимости от его направления помимо джоулевой теплоты выделяется или поглощается дополнительная теплота. Таким образом, явление Пельтье является обратным по отношению к явлению Зеебека. Явление Пельтье используется в термоэлектрических полупроводниковых холодильниках, созданных впервые в 1954 г. под руководством А. Ф. Иоффе, и в некоторых приборах.электронных
3. Явление Томсона (1856). Вильям Томсон (Кельвин), исследуя термоэлектрические явления, пришел к заключению, подтвердив его экспериментально, что при прохождении тока по неравномерно нагретому проводнику должно происходить дополнительное выделение (поглощение) теплоты, аналогичной теплоте Пельтье. Это явление получило название явления Томсона. Его можно объяснить следующим образом. Так как в более нагретой части проводника электроны имеют большую среднюю энергию, чем в менее нагретой, то, двигаясь в направлении убывания температуры, они отдают часть своей энергии решетке, в результате чего происходит выделение теплоты Томсона. Если же электроны движутся в сторону возрастания температуры, то они, наоборот, пополняют свою энергию за счет энергии решетки, в результате чего происходит поглощение теплоты Томсона.