- •Единство корпускулярных и волновых свойств электромагнитного излучения
- •Модели атома Томсона и Резерфорда
- •Линейчатый спектр атома водорода
- •Постулаты Бора
- •5. Опыты Франка и Герца
- •6. Спектр атома водорода по Бору
- •7. Корпускулярно-волновой дуализм свойств вещества.
- •8. Некоторые свойства волн да Бройля
- •9. Соотношение неопределенностей
- •10. Волновая функция и ее статистический смысл
- •11. Общее уравнение Шредингера. Уравнение Шредингера для стационарных состояний
- •12. Принцип причинности в квантовой механике
- •13. Движение свободной частицы
- •14. Частице в одномерной прямоугольной «потенциальной яме» с бесконечно высокими «стенками»
- •15. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннельный эффект
- •16. Линейный гармонический осциллятор в квантовой механике
- •17.Атом водорода в квантовой механике.
- •19. Спин электрона. Спиновое квантовое число
- •20. Принцип неразличимости тождественных частиц. Фермионы и бозоны
- •21. Принцип Паули. Распределение электронов в атоме по состояниям
- •22. Периодическая система элементов Менделеева
- •23. Рентгеновские спектры
- •24. Молекулы: химические связи, понятие об энергетических уровнях
- •25. Молекулярные спектры. Комбинационное рассеяние света
- •26. Поглощение. Спонтанное и вынужденное излучения
- •27. Оптические квантовые генераторы (лазеры)
- •29. Понятие о квантовой статистике Бозе — Эйнштейна и Ферми — Дирака
- •30. Выводы квантовой теории электропроводности металлов
- •31. Сверхпроводимость. Понятие об эффекте Джозефсона
- •32. Понятие о зонной теории твердых тел
- •33. Металлы, диэлектрики и полупроводники по зонной теории
- •34. Собственная проводимость полупроводников
- •35. Примесная проводимость полупроводников
- •36. Фотопроводимость полупроводников
- •37.Термоэлектрические явления и их применение
- •38. Контакт электронного и дырочного полупроводников (p-n-переход)
- •39. Полупроводниковые диоды и триоды (транзисторы)
- •40. Размер, состав и заряд атомного ядра. Массовое и зарядовое числа
- •41. Дефект массы и энергия связи ядра
- •42. Спин ядра и его магнитный момент
- •43. Ядерные силы. Модели ядра
- •44. Радиоактивное излучение и его виды
- •45. Ррадиоактивный распад
- •46. Примером -распада служит распад изотопа урана 238u с образованием Th:
- •47. Явление –-распада подчиняется правилу смещения
- •53 Цепная реакция деления
- •56 Космическое излучение
- •54 Понятие о ядерной энергетике
- •55 Реакция синтеза атомных ядер. Проблема управляемых термоядерных реакций
- •57. Мюоны и их свойства.
- •58. Мезоны и их свойства
- •59. Типы взаимодействий элементарных частиц
- •60. Частицы и античастицы
- •61. Гипероны. Странность и четность элементарных частиц
- •62. Классификация элементарных частиц. Кварки
33. Металлы, диэлектрики и полупроводники по зонной теории
зонная теория — один из основных разделов квантовой теории твердого тела, описывающий движение электронов в кристаллах, и являющийся основой современной теории металлов,полупроводников и диэлектриков.
Энергетический спектр электронов в твердом теле существенно отличается от энергетического спектра свободных электронов (являющегося непрерывным) или спектра электронов, принадлежащих отдельным изолированным атомам (дискретного с определенным набором доступных уровней) — он состоит из отдельных разрешенных энергетических зон, разделенных зонами запрещенных энергий.
Согласно квантово-механическим постулатам Бора, в изолированном атоме энергия электрона может принимать строго дискретные значения (электрон находится на одной из орбиталей). В случае же системы нескольких атомов, объединенных химической связью, электронные орбитали расщепляются в количестве, пропорциональном количеству атомов, образуя так называемые молекулярные орбитали. При дальнейшем увеличении системы до макроскопического уровня, количество орбиталей становится очень велико, а разница энергий электронов, находящихся на соседних орбиталях, соответственно очень маленькой — энергетические уровни расщепляются до двух практически непрерывных дискретных наборов — энергетических зон.
Выделяют 3 группы:
проводники — материалы, у которых зона проводимости и валентная зона перекрываются (нет энергетического зазора), образуя одну зону, называемую зоной проводимости (таким образом, электрон может свободно перемещаться между ними, получив любую допустимо малую энергию);
диэлектрики — материалы, у которых зоны не перекрываются и расстояние между ними составляет более 3 эВ (для того, чтобы перевести электрон из валентной зоны в зону проводимости требуется значительная энергия, поэтому диэлектрики ток практически не проводят);
полупроводники — материалы, у которых зоны не перекрываются и расстояние между ними (ширина запрещенной зоны) лежит в интервале 0,1–3 эВ (для того, чтобы перевести электрон из валентной зоны в зону проводимости требуется энергия меньшая, чем для диэлектрика, поэтому чистые полупроводники слабо пропускают ток).
Зонная теория является основой современной теории твердых тел. Она позволила понять природу и объяснить важнейшие свойства металлов, полупроводников и диэлектриков. Величина запрещенной зоны (энергетическая щель между зонами валентности и проводимости) является ключевой величиной в зонной теории и определяет оптические и электрические свойства материала. Например, в полупроводниках проводимость можно увеличить, создав разрешенный энергетический уровень в запрещенной зоне путем легирования — добавления в состав исходного основного материала примесей для изменения его физических и химических свойств. В этом случае говорят, что полупроводник примесный. Именно таким образом создаются все полупроводниковые приборы: солнечные элементы, диоды, транзисторы, твердотельные лазеры и др. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости называют процессом генерации носителей заряда (отрицательного — электрона, и положительного — дырки), а обратный переход — процессом рекомбинации.
Зонная теория имеет границы применимости, которые исходят из трех основных предположений: а) потенциал кристаллической решетки строго периодичен; б) взаимодействие между свободными электронами может быть сведено к одноэлектронному самосогласованному потенциалу (а оставшаяся часть рассмотрена методом теории возмущений); в) взаимодействие с фононами слабое (и может быть рассмотрено по теории возмущений).
