28 Вопрос
Коэффициент инжекции и переноса носителей заряда, коэффициент передачи тока биполярного транзистора. Активный режим работы, режимы отсечки и насыщения.
|
Основой работы любого транзистора является : 1)малая толщина базы 2)базовая область является всегда более высокоомной(слабо легированной) по сравнению с другими областями.
,-
показывает , какую часть составляет
полезный ток инжекции электронов из
эмиттера в базу в полном токе эмиттера,
где IЭР – дырочная компонента
эмиттерного тока и IЭN-электронная
компонента эмиттерн тока
-
показывает какая часть электронов
инжектируемых из эмиттера в базу ,
достигает коллекторн перехода
Iэп значительно меньше чем Iэр. γ=Iэр/(Iэр+Iэп)=Iэр/Iэ. γ->0.95 и выше. База всегда электрически нейтральна.
к(каппа)=Iкр/Iэр. Iэ=Iэп+Iэр. Iэр=Iкр+Iбр. α=Iкр/Iэ. α=γк. Iк=Iкр+Iко=αIэ+Iко. Iко-ток коллекторного перехода. Iб=Iэп+Iбр-Iко. Iэ=Iк+Iб.
Iб=Iэ-Iк=1-αIэ-Iко.
Вывод:принцип действия биполярного транзистора основан на создании транзитного потока носителей заряда из эмиттера в коллектор через базу и на управлении выходным (коллекторным) током за счет входного(эмиттерного) т.е. биполярный транзистор управляется током.
Режим отсечки
Когда напряжение база-эмиттер ниже, чем 0.6V - 0.7V, PN-переход между базой и эмиттером закрыт. В таком состоянии у транзистора отсутствует ток базы. В результате тока коллектора тоже не будет, поскольку в базе нет свободных электронов, готовых двигаться в сторону напряжения на коллекторе. Получается, что транзистор как бы заперт, и говорят, что он находится в режиме отсечки.
Активный режим
В активном режиме напряжение на базе достаточное, для того чтобы PN-переход между базой и эмиттером открылся. В этом состоянии у транзистора присутствуют токи базы и коллектора. Ток коллектора равняется току базы, умноженном на коэффициент усиления. Т.е активным режимом называют нормальный рабочий режим транзистора, который используют для усиления.
Режим насыщения
Иногда ток базы может оказаться слишком большим. В результате мощности питания просто не хватит для обеспечения такой величины тока коллектора, которая бы соответствовала коэффициенту усиления транзистора. В режиме насыщения ток коллектора будет максимальным, который может обеспечить источник питания, и не будет зависеть от тока базы. В таком состоянии транзистор не способен усиливать сигнал, поскольку ток коллектора не реагирует на изменения тока базы.
В режиме насыщения проводимость транзистора максимальна, и он больше подходит для функции переключателя (ключа) в состоянии «включен». Аналогично, в режиме отсечки проводимость транзистора минимальна, и это соответствует переключателю в состоянии «выключен».
Рассмотрим активный режим (А):
Uкб<0
Iко = Iкбо (тепл ток примерно = обр току)
С учетом этих усл формулы имеют вид:
(3.18)
(3.19)
Коллекторное U не влияет на токи,=>, выходные хар-ки явл эквидистантными (расп на один раст)
Рассмотрим режим насыщения (Н):
Хар-ся
Iк
за счет встречной инжекции НЗ со стороны
К в Б. Эти дырки компенс дырки, инжект
из эмит в базу, пока не
до
нуля.
Область насыщения – второй квадрант,
т.к. Uкб=Uвнеш +
.
Если Uвнеш=0, дырки все еще переходят.
Когда
Uвнеш = -
,
т.е. скомп.
при
изм на «+» знака Uкб.
Рассмотрим режим отсечки (О):
Оба перехода в обр направлении
Iэ = 0
Iк
= Iкб: ток коллектора и его хар-ки = ВАХ
p-n перехода
В этом режиме сопр-ия очень велики, а токи – малы.
Входная ВАХ:
С
Uкб
хар-ка, засчет ЭМТБ т.е.
I
смещается
